MOSFET柵極充電機理是什么？如何提高MOSFET的動態(tài)響應？

一直以來，MOSFET都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

IGBT功率半導體器件主要參數(shù)

如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負，則會關閉電路應用。

mos管開關電路原理詳解

D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

三星通過新思科技設計工具和流程實現(xiàn)多次成功測試流片

新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設計工具和流程實現(xiàn)了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應用中。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實...

MOS概述

金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

概述：MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設計不當，容易造成器...

MOSFET柵極前?100?Ω?電阻有什么用？

故事開始年輕的應用工程師Neubean想通過實驗證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗的應用工程師Gureux對他的實驗進行了監(jiān)督，并全程提供專家指導。高端電流檢測簡介圖1中的電路所示為一個典型的高端電流檢測示例。圖1高端電...

什么是電子管?電子管的內(nèi)部結構是怎樣的?

在這篇文章中，小編將為大家?guī)黼娮庸?、電子管?nèi)部結構的相關報道。

關于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？

學過電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個名字是從英文而來的。

CPU之布局和物聯(lián)構建芯片應該怎樣去設計

處理器和所有其他數(shù)字邏輯都是由晶體管制成的。晶體管是電子控制開關，我們可以通過施加或去除柵極電壓來打開或關閉。我們討論了兩種主要類型的晶體管：nMOS器件在柵極導通時允許電流，pMOS器件在柵極

如何給運動控制選擇Mosfet驅(qū)動器，你知道嗎？

你知道如何給運動控制選擇Mosfet驅(qū)動器嗎?工程師們經(jīng)常使用柵極驅(qū)動器或“前置驅(qū)動器”IC以及n通道功率mosfet來提供驅(qū)動電機所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動電路、mosfet以及某些情況下相關的無源元件相關的所有設計考慮。通常，這個過程很難理解，實現(xiàn)也不是最優(yōu)的。讓我們開始討論簡單的方法來選擇元件的預驅(qū)動/功率MOSFET電路，并由此產(chǎn)生的系統(tǒng)性能。

如何定義MOS管三個極以及相關測試？

你知道MOS管有三個極嗎?它有什么作用?今天我們來看看MOS管的一些干貨，首先MOS管有三個極：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。

電子管功放的檢修技巧_電子管功放故障排除

　　電子管功放的檢修技巧 　　一、通電前的測量 　　對于一部故障機，通過了解和觀察，如不能確定故障部位和所在，不可貿(mào)然通電，應進行如下測量。 　　1、測量直流高壓電路與底

電子管收音機收不到臺什么原因_快速檢修電子管收音機

　　電子管收音機收不到臺什么原因 　　首先在開機幾分鐘后用手觸摸一下電子管的外表溫度，正常情況下應該很熱甚至有些燙手。如溫度和人的體溫接近，說明管子沒有工作。此時應該測一下有無直流高壓。

芯片里面100多億晶體管是如何實現(xiàn)的？看這幾張圖就明白了！

這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結構，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結構，芯片內(nèi)部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管。 M

點沙成金：Intel處理器制造全過程揭密

如今能獨立設計、制造尖端半導體芯片的企業(yè)屈指可數(shù)，Intel當屬各種翹楚，可以在不超過一個指甲蓋大小的面積內(nèi)封裝數(shù)十億個微小的電子開關。這是人類最復雜的壯舉之一。 最近，Intel特意制作了一段動畫視

什么是柵極脈沖驅(qū)動電路？

大家知道什么是柵極脈沖驅(qū)動電路嗎?它的工作原理是什么?在脈沖雷達應用中，從發(fā)射到接收操作的過渡期間需要快速開啟/關閉高功率放大器 (HPA)。典型的轉換時間目標可能小于1 s。傳統(tǒng)上，這是通過漏極控制來實現(xiàn)的。漏極控制需要在28 V至50 V的電壓下切換大電流。已知開關功率技術可以勝任這一任務，但會涉及額外的物理尺寸和電路問題。在現(xiàn)代相控陣天線開發(fā)中，雖然要求盡可能低的SWaP(尺寸重量和功耗)，但希望消除與HPA漏極開關相關的復雜問題。

美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構

美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設計思路，不過美光與Inte

確定柵極偏置電阻的方法

柵極

;;; 可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，簡稱SCR，也叫做晶體閘流管）是一種4層的PNPN半導體。其內(nèi)部擁有3組PN結構造。如圖3. 84所示，對于PNPN結合的半