LTC4365 過欠壓設(shè)置電阻與輸出電壓的關(guān)聯(lián)探究

在電子電路設(shè)計中，確保電源的穩(wěn)定和安全至關(guān)重要。LTC4365 作為一款出色的過壓(OV)、欠壓(UV)以及反向極性故障保護(hù)控制器，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其能夠為電源輸入電壓可能出現(xiàn)過高、過低甚至負(fù)值的應(yīng)用場景提供可靠保護(hù)，通過控制外部 N 溝道 MOSFET 的柵極電壓，使輸出處于安全工作范圍。在 LTC4365 的應(yīng)用中，過欠壓設(shè)置電阻的選擇和設(shè)定對其保護(hù)性能起著關(guān)鍵作用，而一個值得深入探討的問題是：LTC4365 的過欠壓設(shè)置電阻是否可以通過輸出電壓來改變?

MOSFET柵極充電機(jī)理是什么？如何提高M(jìn)OSFET的動態(tài)響應(yīng)？

一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

IGBT功率半導(dǎo)體器件主要參數(shù)

如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會關(guān)閉電路應(yīng)用。

mos管開關(guān)電路原理詳解

D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

三星通過新思科技設(shè)計工具和流程實現(xiàn)多次成功測試流片

新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設(shè)計工具和流程實現(xiàn)了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應(yīng)用中。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實...

MOS概述

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

概述：MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計不當(dāng)，容易造成器...

MOSFET柵極前?100?Ω?電阻有什么用？

故事開始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過實驗證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗的應(yīng)用工程師Gureux對他的實驗進(jìn)行了監(jiān)督，并全程提供專家指導(dǎo)。高端電流檢測簡介圖1中的電路所示為一個典型的高端電流檢測示例。圖1高端電...

什么是電子管?電子管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的?

在這篇文章中，小編將為大家?guī)黼娮庸?、電子管?nèi)部結(jié)構(gòu)的相關(guān)報道。

關(guān)于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？

學(xué)過電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個名字是從英文而來的。

CPU之布局和物聯(lián)構(gòu)建芯片應(yīng)該怎樣去設(shè)計

處理器和所有其他數(shù)字邏輯都是由晶體管制成的。晶體管是電子控制開關(guān)，我們可以通過施加或去除柵極電壓來打開或關(guān)閉。我們討論了兩種主要類型的晶體管：nMOS器件在柵極導(dǎo)通時允許電流，pMOS器件在柵極

如何給運(yùn)動控制選擇Mosfet驅(qū)動器，你知道嗎？

你知道如何給運(yùn)動控制選擇Mosfet驅(qū)動器嗎?工程師們經(jīng)常使用柵極驅(qū)動器或“前置驅(qū)動器”IC以及n通道功率mosfet來提供驅(qū)動電機(jī)所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動電路、mosfet以及某些情況下相關(guān)的無源元件相關(guān)的所有設(shè)計考慮。通常，這個過程很難理解，實現(xiàn)也不是最優(yōu)的。讓我們開始討論簡單的方法來選擇元件的預(yù)驅(qū)動/功率MOSFET電路，并由此產(chǎn)生的系統(tǒng)性能。

如何定義MOS管三個極以及相關(guān)測試？

你知道MOS管有三個極嗎?它有什么作用?今天我們來看看MOS管的一些干貨，首先MOS管有三個極：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。

電子管功放的檢修技巧_電子管功放故障排除

　　電子管功放的檢修技巧 　　一、通電前的測量 　　對于一部故障機(jī)，通過了解和觀察，如不能確定故障部位和所在，不可貿(mào)然通電，應(yīng)進(jìn)行如下測量。 　　1、測量直流高壓電路與底

電子管收音機(jī)收不到臺什么原因_快速檢修電子管收音機(jī)

　　電子管收音機(jī)收不到臺什么原因 　　首先在開機(jī)幾分鐘后用手觸摸一下電子管的外表溫度，正常情況下應(yīng)該很熱甚至有些燙手。如溫度和人的體溫接近，說明管子沒有工作。此時應(yīng)該測一下有無直流高壓。

芯片里面100多億晶體管是如何實現(xiàn)的？看這幾張圖就明白了！

這是一個Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)，越往下線寬越窄，越靠近器件層。 這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管。 M

點沙成金：Intel處理器制造全過程揭密

如今能獨立設(shè)計、制造尖端半導(dǎo)體芯片的企業(yè)屈指可數(shù)，Intel當(dāng)屬各種翹楚，可以在不超過一個指甲蓋大小的面積內(nèi)封裝數(shù)十億個微小的電子開關(guān)。這是人類最復(fù)雜的壯舉之一。 最近，Intel特意制作了一段動畫視

什么是柵極脈沖驅(qū)動電路？

大家知道什么是柵極脈沖驅(qū)動電路嗎?它的工作原理是什么?在脈沖雷達(dá)應(yīng)用中，從發(fā)射到接收操作的過渡期間需要快速開啟/關(guān)閉高功率放大器 (HPA)。典型的轉(zhuǎn)換時間目標(biāo)可能小于1 s。傳統(tǒng)上，這是通過漏極控制來實現(xiàn)的。漏極控制需要在28 V至50 V的電壓下切換大電流。已知開關(guān)功率技術(shù)可以勝任這一任務(wù)，但會涉及額外的物理尺寸和電路問題。在現(xiàn)代相控陣天線開發(fā)中，雖然要求盡可能低的SWaP(尺寸重量和功耗)，但希望消除與HPA漏極開關(guān)相關(guān)的復(fù)雜問題。

美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構(gòu)

美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計思路，不過美光與Inte

確定柵極偏置電阻的方法