8月9日消息,在FMS 2024峰會上,SK海力士展示了其最新的存儲產品,包括尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存。
內存條是計算機中非常重要的組件之一,它負責存儲和訪問計算機中的數(shù)據(jù)。在市場上,有很多不同品牌的內存條可供選擇,其中三星和海力士是最著名的兩個品牌之一。這兩個品牌的內存條在技術、質量和性能方面都非常相似,因此它們之間的兼容性是一個備受關注的問題。
據(jù)統(tǒng)計,隨著Intel閃存業(yè)務被SK海力士收購,韓國企業(yè)三星+SK海力士合計占市場份額已經(jīng)超過50%。
早在去年,SK海力士就曾宣布,成功開發(fā)出業(yè)界首款HBM3內存,但卻遲遲沒有公布產品的量產時間。
(全球TMT2022年4月5日訊)SK海力士和Solidigm首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年底完成收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段后,在美國設立的SSD子公司。SK海力士收購英特爾NAN...
從去年底的12代酷睿開始,內存進入了DDR5時代,這大半年來價格雖然還是很貴,但年底應該會繼續(xù)降,未來幾年各大內存廠商也會加大DDR5內存的生產,DDR4還會繼續(xù)使用多年,不會被淘汰。
(全球TMT2022年2月16日訊)SK海力士宣布,公司已開發(fā)出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM(processing-in-memory,內存中處理)”。 SK海力士開發(fā)出基于PIM技術的首款樣品GDDR6-AiM SK海力士還開發(fā)出了公司首款基于PI...
(全球TMT2021年12月30日訊)SK海力士宣布,已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段。繼12月22日獲得中國國家市場監(jiān)督管理總局的批準后,SK海力士完成了第一階段的后續(xù)流程,包括從英特爾接管SSD業(yè)務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的...
關注星標公眾號,不錯過精彩內容來源|與非網(wǎng)美國阻擋EUV光刻機引入SK海力士無錫廠據(jù)外媒報道,韓國存儲大廠SK海力士希望改造其在無錫的大型芯片代工廠,這座工廠占公司約半數(shù)DRAM芯片的產量,且占其全球產量達15%。SK海力士希望引入ASML最先進的EUV設備,升級無錫芯片廠的設備...
行業(yè)新聞早知道,點贊關注不迷路!11月24日消息,據(jù)外媒報道,就SK海力士打算引入EUV光刻機到其中國無錫工廠被阻這一傳言,SK海力士CEO李錫熙予以否認。此前,曾有消息稱SK海力士希望引入ASML(阿斯麥)最先進的EUV設備,升級其無錫芯片廠的設備產品,以提高量產能力,控制成本...
繼美國反對英特爾在中國四川成都擴建工廠后,韓國存儲器芯片大廠SKHynix恐怕也將成為美中科技戰(zhàn)的新受害者。11月18日,路透社報道,SK海力士希望引入ASML(阿斯麥)最先進的EUV設備,升級其無錫芯片廠的設備產品,控制成本并加速生產效率。但是,美國對此持反對意見。美國此前不斷...
關注星標公眾號,不錯過精彩內容來源|與非網(wǎng)美國阻擋EUV光刻機引入SK海力士無錫廠據(jù)外媒報道,韓國存儲大廠SK海力士希望改造其在無錫的大型芯片代工廠,這座工廠占公司約半數(shù)DRAM芯片的產量,且占其全球產量達15%。SK海力士希望引入ASML最先進的EUV設備,升級無錫芯片廠的設備...
(全球TMT2021年11月12日訊)SK海力士于11月12日表示,針對車用存儲半導體公司獲取了功能安全國際標準ISO 26262:2018 FSM(功能安全管理,F(xiàn)unctional Safety Management)標準認證。ISO 26262認證是國際標準化組織(ISO...
今天早上(11月9日)最新消息,有外媒報道稱韓國芯片巨頭三星電子和SK海力士于今天確認,在8日下午應美國方面的要求向美國政府提交了其芯片業(yè)務相關商業(yè)數(shù)據(jù),但是,報道又稱兩家企業(yè)并未提交客戶機密資料等敏感信息。?據(jù)報道稱,三星提交的商業(yè)資料里,省略了庫存信息,并將所有提交資料標記為...
繼前不久臺積電宣布將會按照美國要求,在11月8日前提交供應鏈資料后,近日韓媒再傳出消息,原本堅定持有反對態(tài)度的三星電子已決定配合美國的要求,此外SK海力士也將作出同樣抉擇,在11月8日期限內上交資料。三星電子副會長暨設備解決方案部(DS)負責人金奇南(KimKi-nam)在上周的...
10月20日,SK海力士宣布,成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3DRAM內存芯片。該產品可以與CPU、GPU核心相鄰封裝在一起,采用多層堆疊工藝,實現(xiàn)遠比傳統(tǒng)內存條高的存儲密度以及帶寬。目前HBMDRAM已經(jīng)發(fā)展到了第四代,HBM3進一步提升了單片容量以及帶寬。SK海力士表示,2020...
為解決全球芯片荒,美國政府要求芯片制造商自愿分享商業(yè)資料,引發(fā)業(yè)者擔憂,此舉恐泄漏商業(yè)機密。不過,原持猶豫態(tài)度的韓國芯片巨頭三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKhynix),據(jù)傳決定配合要求,將在期限前將資料提交給美國政府。韓聯(lián)社報道,今年9月下旬,...
全球第二大內存芯片制造商SK海力士周五表示,將以5760億韓元(4.92億美元)收購韓國晶圓代工廠商KeyFoundry。資料顯示,KeyFoundry在韓國忠清北道清州市擁有兩座8英寸晶圓廠(FAB4和FAB5,已合并統(tǒng)稱為FAB4)專門從事晶圓代工業(yè)務,月產能約為8.2萬片,...
10月20日,SK海力士宣布,成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片。該產品可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起,采用多層堆疊工藝,實現(xiàn)遠比傳統(tǒng)內存條高的存儲密度以及帶寬。
(全球TMT2021年10月20日訊)SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3?DRAM。? HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術,由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成,是一種高價值產品,創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。...