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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能
11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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海力士將活用M8廠強(qiáng)化代工事業(yè)
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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臺(tái)積電購(gòu)買二手設(shè)備
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。 臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說會(huì)中
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說會(huì)中，
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臺(tái)積電買海力士二手八寸設(shè)備
晶圓代工廠臺(tái)積電積極擴(kuò)產(chǎn)，除擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能外，亦積極擴(kuò)充8寸產(chǎn)能，3日公告斥資5.48億元，購(gòu)買海力士(Hynix)美國(guó)廠的8寸設(shè)備，主要用以擴(kuò)充臺(tái)灣8寸廠與大陸松江廠產(chǎn)能。臺(tái)積電2010年積極擴(kuò)產(chǎn)，日前法說會(huì)中，
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臺(tái)積松江廠 Q3獲利旺
臺(tái)積電（2330）上海松江廠第三季稅后純益5.67億元，不僅持續(xù)獲利，季增幅更高達(dá)一倍。為擴(kuò)大松江廠營(yíng)運(yùn)規(guī)模，臺(tái)積電斥資逾5億元收購(gòu)海力士（Hynix）美國(guó)廠二手8吋機(jī)臺(tái)，加快達(dá)成松江廠月產(chǎn)能達(dá)11萬片目標(biāo)，放大獲利
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海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.01萬億韓圜
海力士半導(dǎo)體(000660.KS:行情)公布第三季財(cái)報(bào),季度獲利為紀(jì)錄第二高,因出貨量增加,且產(chǎn)品重心轉(zhuǎn)向高價(jià)值晶片,緩解了普通芯片價(jià)格大幅下降帶來的影響.海力士半導(dǎo)體周四公布7-9月當(dāng)季綜合營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.01萬億(兆)韓圜(合
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海力士Q3獲利翻5倍
受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。海力士周四公布，第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越
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明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢(shì)，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競(jìng)爭(zhēng)
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韓半導(dǎo)體LCD大廠首長(zhǎng)明年市場(chǎng)將有起色
12日三星電子（SamsungElectronics）半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)權(quán)五鉉和海力士半導(dǎo)體（Hynix）社長(zhǎng)權(quán)五哲出席12日~15日于南韓一山Kintex舉辦的2010韓國(guó)電子事業(yè)大展，受訪時(shí)表示，價(jià)格跌幅將可能持續(xù)到2011年第1季，但2011年上半
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自
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DRAM價(jià)格連跌5月 三星、海力士4Q營(yíng)收不樂觀
DRAM內(nèi)存半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月，韓廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等內(nèi)存公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，DRAM主要產(chǎn)品DDR3在10月上半時(shí)平均
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海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash
南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投
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海力士半導(dǎo)體跟Electro Scientific采購(gòu)晶片設(shè)備
(ESIO) 11.60 :ElectroSCientific宣布，南韓海力士半導(dǎo)體(Hynix)委托訂單，采購(gòu)9850TPIR+雷射連結(jié)處理系統(tǒng)。
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存儲(chǔ)市場(chǎng)變戰(zhàn)場(chǎng) 異業(yè)結(jié)盟抗衡海力士惠普
存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化存儲(chǔ)器(Phase Change RAM；PRAM)和磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM；MRAM)等次世代存儲(chǔ)器，將會(huì)有一番激烈競(jìng)爭(zhēng)。 爾必達(dá)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域布局越來越廣泛，2010年取得已
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海力士半導(dǎo)體和爾必達(dá)勁揚(yáng),此前英特爾公布第四季強(qiáng)勁財(cái)測(cè)
亞洲芯片(晶片)類股周三由海力士半導(dǎo)體(000660.KS:行情)和爾必達(dá)記憶體(ElpidaMemory)(6665.T:行情)領(lǐng)漲,漲幅逾2%,此前英特爾INTC.0公布第四季強(qiáng)勁財(cái)測(cè)引發(fā)市場(chǎng)寄望科技板塊今年可拿出亮麗成績(jī)單.英特爾公布第四季樂
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異業(yè)結(jié)盟激戰(zhàn)存儲(chǔ)市場(chǎng)爾必達(dá)攜手夏普抗衡海力士惠普
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲(chǔ)器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)期
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異業(yè)結(jié)盟激戰(zhàn)存儲(chǔ)市場(chǎng) 爾必達(dá)攜手夏普抗衡海力士惠普
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲(chǔ)器ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲(chǔ)器技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，存儲(chǔ)器業(yè)者預(yù)
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受DRAM芯片價(jià)格下跌 海力士半導(dǎo)股價(jià)大跌5.1%
海力士半導(dǎo)體(000660.KS:行情)股價(jià)周一擴(kuò)大跌幅至逾5%,分析師稱因市場(chǎng)在財(cái)報(bào)高峰前夕感到不安,且擔(dān)心記憶體芯片價(jià)格的前景."市場(chǎng)似乎更加擔(dān)心記憶體芯片,尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片的定價(jià)."HanaDaetooSecur
