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海力士半導體將投資2.31億美元以提高芯片產能
11月19日電全球第二大計算機存儲芯片制造商海力士半導體(Hynix Semiconductor)周五表示，計劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級芯片產能。該公司對證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士M8產線將以代工為重心
海力士半導體(Hynix)M8產線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導，近期海力士以部分IC設計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發(fā)光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用
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海力士將活用M8廠強化代工事業(yè)
海力士半導體(Hynix)M8產線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導，近期海力士以部分IC設計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發(fā)光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用
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臺積電購買二手設備
晶圓代工廠臺積電積極擴產，除擴充12寸先進制程產能外，亦積極擴充8寸產能，3日公告斥資5.48億元，購買海力士(Hynix)美國廠的8寸設備，主要用以擴充臺灣8寸廠與大陸松江廠產能。 臺積電2010年積極擴產，日前法說會中
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臺積電擴充產能
晶圓代工廠臺積電積極擴產，除擴充12寸先進制程產能外，亦積極擴充8寸產能，3日公告斥資5.48億元，購買海力士(Hynix)美國廠的8寸設備，主要用以擴充臺灣8寸廠與大陸松江廠產能。臺積電2010年積極擴產，日前法說會中，
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臺積電買海力士二手八寸設備
晶圓代工廠臺積電積極擴產，除擴充12寸先進制程產能外，亦積極擴充8寸產能，3日公告斥資5.48億元，購買海力士(Hynix)美國廠的8寸設備，主要用以擴充臺灣8寸廠與大陸松江廠產能。臺積電2010年積極擴產，日前法說會中，
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臺積松江廠 Q3獲利旺
臺積電（2330）上海松江廠第三季稅后純益5.67億元，不僅持續(xù)獲利，季增幅更高達一倍。為擴大松江廠營運規(guī)模，臺積電斥資逾5億元收購海力士（Hynix）美國廠二手8吋機臺，加快達成松江廠月產能達11萬片目標，放大獲利
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海力士半導體第三季營業(yè)利潤為1.01萬億韓圜
海力士半導體(000660.KS:行情)公布第三季財報,季度獲利為紀錄第二高,因出貨量增加,且產品重心轉向高價值晶片,緩解了普通芯片價格大幅下降帶來的影響.海力士半導體周四公布7-9月當季綜合營業(yè)利潤為1.01萬億(兆)韓圜(合
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海力士Q3獲利翻5倍
受惠于出貨成長及轉進優(yōu)勢芯片的策略奏效，南韓海力士半導體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預估，內存芯片價格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。海力士周四公布，第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越
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明年量產20納米NAND Flash
海力士社長權五哲表示，自2010年8月投入量產的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當順利。2011年中計劃量產20納米制程產品。海力士持續(xù)引領DRAM產品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產品技術方面在過去1、2年落后其它競爭
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韓半導體LCD大廠首長明年市場將有起色
12日三星電子（SamsungElectronics）半導體事業(yè)部長權五鉉和海力士半導體（Hynix）社長權五哲出席12日~15日于南韓一山Kintex舉辦的2010韓國電子事業(yè)大展，受訪時表示，價格跌幅將可能持續(xù)到2011年第1季，但2011年上半
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海力士擬明年量產20納米NAND Flash
韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產出量提高約25%。海力士社長權五哲表示，自
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DRAM價格連跌5月 三星、海力士4Q營收不樂觀
DRAM內存半導體價格跌勢持續(xù)第5個月，韓廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導體(Hynix)等內存公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機。據(jù)內存市場研究機構DRAMeXchange統(tǒng)計，DRAM主要產品DDR3在10月上半時平均
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海力士擬明年量產20奈米NANDFlash
南韓半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20奈米制程量產NANDFlash。此20奈米制程閃存可應用于手機或平板計算機(TabletPC)等裝置，相較26奈米內存，晶圓(wafer)產出量提高約25%。海力士社長權五哲表示，自2010年8月投
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海力士半導體跟Electro Scientific采購晶片設備
(ESIO) 11.60 :ElectroSCientific宣布，南韓海力士半導體(Hynix)委托訂單，采購9850TPIR+雷射連結處理系統(tǒng)。
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存儲市場變戰(zhàn)場 異業(yè)結盟抗衡海力士惠普
存儲器業(yè)者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化存儲器(Phase Change RAM；PRAM)和磁性隨機存取存儲器(Magnetic RAM；MRAM)等次世代存儲器，將會有一番激烈競爭。 爾必達在存儲器領域布局越來越廣泛，2010年取得已
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海力士半導體和爾必達勁揚,此前英特爾公布第四季強勁財測
亞洲芯片(晶片)類股周三由海力士半導體(000660.KS:行情)和爾必達記憶體(ElpidaMemory)(6665.T:行情)領漲,漲幅逾2%,此前英特爾INTC.0公布第四季強勁財測引發(fā)市場寄望科技板塊今年可拿出亮麗成績單.英特爾公布第四季樂
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異業(yè)結盟激戰(zhàn)存儲市場爾必達攜手夏普抗衡海力士惠普
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲器技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮，存儲器業(yè)者預期
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異業(yè)結盟激戰(zhàn)存儲市場 爾必達攜手夏普抗衡海力士惠普
繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代存儲器ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代存儲器技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮，存儲器業(yè)者預
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受DRAM芯片價格下跌 海力士半導股價大跌5.1%
海力士半導體(000660.KS:行情)股價周一擴大跌幅至逾5%,分析師稱因市場在財報高峰前夕感到不安,且擔心記憶體芯片價格的前景."市場似乎更加擔心記憶體芯片,尤其是動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)芯片的定價."HanaDaetooSecur
