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DRAM市場(chǎng)觸底，Q3出貨成長(zhǎng)有望超過(guò)30%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場(chǎng)需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)報(bào)價(jià)在這半年間下跌幅度超過(guò)50%，連帶使得原本就虧損累累、財(cái)務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營(yíng)運(yùn)
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海力士第二季凈虧4100萬(wàn)美元 連虧7個(gè)季度
全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商海力士半導(dǎo)體近日表示該公司第二季度凈虧損4100萬(wàn)美元。這也是海力士連續(xù)第七個(gè)季度虧損。 第二季度，海力士?jī)籼潛p為507億韓元(4100萬(wàn)美元)，去年同期凈虧損為7078億韓元。根據(jù)彭博
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海力士半導(dǎo)體預(yù)計(jì)于2010年下半年全行存儲(chǔ)器供應(yīng)狀況將改善
綜合外電7月24日?qǐng)?bào)道，全球第二大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)商韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司首席財(cái)務(wù)官Kim Min-chul表示，預(yù)計(jì)于2010年下半年全行存儲(chǔ)器供應(yīng)狀況將改善。 在關(guān)于公司二季度盈利電話(huà)會(huì)議上，海力士半導(dǎo)體公司CFO
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海力士41納米通過(guò)認(rèn)證 切入蘋(píng)果供應(yīng)鏈
海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得
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海力士第二季凈虧4100萬(wàn)美元 已連虧7個(gè)季度
北京時(shí)間7月24日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商海力士半導(dǎo)體近日表示該公司第二季度凈虧損4100萬(wàn)美元。這也是海力士連續(xù)第七個(gè)季度虧損。 第二季度，海力士?jī)籼潛p為507億韓
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DRAM廠縮衣節(jié)食 資本支出大幅縮減
2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預(yù)估，將海力士的自有廠房與意法半導(dǎo)體在大陸合資的無(wú)錫廠一并計(jì)算，
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三星電子和海力士半導(dǎo)體股價(jià)跳漲,受英特爾業(yè)績(jī)扶助
7月15日電---在英特爾IMTC.O公布業(yè)績(jī)後,韓國(guó)三星電子(005930.KS: 行情)和海力士半導(dǎo)體(000660.KS: 行情)的股價(jià)雙雙跳漲. 截至0026GMT,三星電子上漲4.73%至664,000韓圜,超過(guò)韓國(guó)大盤(pán)的漲幅2%.該股一度觸及665,000韓圜
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海力士半導(dǎo)體新產(chǎn)能投資將削減45%
全球第二大芯片生產(chǎn)商-韓國(guó)海力士半導(dǎo)體周五表示，將把一項(xiàng)新產(chǎn)能的投資削減45%至2.1兆(萬(wàn)億)韓元(16.4億美元)，并將把投資期延長(zhǎng)兩年至2011年。 海力士半導(dǎo)體在一份提交給韓國(guó)證交所的文件中稱(chēng)，將在2007年4月至
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全球領(lǐng)先的50納米級(jí)技術(shù)將在無(wú)錫海力士全面推廣
世界領(lǐng)先的50納米級(jí)技術(shù)將在無(wú)錫海力士生產(chǎn)線(xiàn)中廣泛推廣使用；到年底，無(wú)錫海力士的一半晶圓產(chǎn)品有望使用這項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)。 在晶圓生產(chǎn)中使用的50納米級(jí)技術(shù)，比起現(xiàn)在廣泛采用的60、70納米級(jí)技術(shù)，使用的硅材料更少，
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茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)
茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見(jiàn)日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開(kāi)始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏
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海力士半導(dǎo)體擬將旗下封裝測(cè)試工廠出售給中國(guó)公司
海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc., 000660.SE)計(jì)劃將旗下一間封裝測(cè)試工廠轉(zhuǎn)讓給一家中國(guó)公司。報(bào)導(dǎo)援引一位業(yè)界消息人士的話(huà)稱(chēng)，海力士半導(dǎo)體與中國(guó)一家公司就出售旗下封裝測(cè)試生產(chǎn)線(xiàn)的談判已經(jīng)進(jìn)入最后階段，
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三星電子海力士半導(dǎo)體將小幅上調(diào)6月下半月DRAM芯片價(jià)格
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》(Maeil Business Newspaper)援引一位行業(yè)消息人士的話(huà)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)和海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor Inc., 000660.SE)計(jì)劃在6月份下半月上調(diào)DRAM芯片
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