爾必達社長：本季度爾必達DRAM全球份額將達到20％以上

爾必達內存的代表董事社長兼CEO坂本幸雄在2008年10月27日起于東京召開的半導體制造相關的國際會議“International Symposium on Semiconductor Manufacturing（ISSM 2008）”的主題演講中表示：“爾必達的DRAM全球份

追蹤：三星與Sandisk收購談判未中斷

據國外媒體報道，盡管半導體行業(yè)陷入蕭條局面，但三星電子仍按原計劃在今年向半導體項目投入7萬億韓元(約合60億美元)，而且公司與Sandisk的收購談判并未中斷。 三星電子總管半導體項目的總經理權五鉉23日在首爾舉行的

東芝拼了！NAND Flash全面轉進43納米制程

為因應NAND Flash產業(yè)景氣寒冬，以及進入傳統(tǒng)淡季后價格進一步重挫，日系大廠東芝(Toshiba)計劃在2009年第1季前，將制程技術全數轉進43納米，現有56納米制程將逐步退役，屆時東芝將是全球NAND Flash制造商成本結構最

3家DRAM廠合計減產占全球產能6％ 幅度仍然不夠

據DigiTimes網站報道，DRAM報價跌破現金成本，引爆一波減產風潮，繼力晶和爾必達(Elpida)宣布減產，海力士(Hynix)也宣布將包括清州M9廠和大陸無錫HC1廠的8寸晶圓廠生產喊停，期望能防止公司營運進一步流血，合計海力

3家DRAM廠合計減產占全球產能6％ 幅度仍然不夠

DRAM產業(yè)產能過剩 海力士加速關閉200毫米晶圓廠

海力士半導體公司(Hynix)上周四宣布了該公司加速引退其200毫米晶圓廠的計劃，表示將將于本月底關閉位于韓國Icheon的M7工廠。海力士此前宣布過關閉兩個200毫米工廠，一個位于韓國Cheongju，另一個位于Ore的Eugene。

前海力士員工涉嫌向京東方泄露LCD面板技術遭拘留

據韓國媒體報道，首爾中央地檢高科技犯罪調查部近日稱，對Boehydis前代表崔某和前開發(fā)中心負責人林某進行了不拘留起訴。

日本對海力士芯片強征高稅 韓國表示不滿

日本對海力士芯片強征高稅 韓國表示不滿

日本削減對海力士DRAM芯片征收的反補貼關稅

日本計劃削減韓國儲存芯片廠商海力士(Hynix)半導體在日本銷售DRAM芯片征收反補貼關稅。媒體援引日本經濟、貿易和工業(yè)部提供的消息報道說，日本收取的進口反補貼關稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數年來，美

韓國海力士將買下臺灣茂德8.6%股權 總值34.56億臺幣

韓國記憶體晶片制造商海力士半導體周五表示,已同意買下臺灣茂德8.6%股權,較6月所宣布的9.5%少.

海力士將關閉美國晶圓廠 業(yè)內200毫米工廠面臨換代

海力士(Hynix)將于近兩個月內關閉位于美國俄勒岡州Eugene的200毫米DRAM晶圓廠，原因是DRAM市場供過于求的情況已持續(xù)了數月。有報告稱，海力士將會關閉晶圓廠并考慮出售該廠，減小在當地的業(yè)務規(guī)模。 該舉動

三星與海力士聯合開發(fā)450毫米晶圓工藝的MRAM

三星公司(Samsung)與海力士半導體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對外宣稱，兩家將計劃聯合開發(fā)自旋扭矩轉換式磁性隨機存儲器(STT-MRAM)并使之標準化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場的領軍

海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或對SanDisk不利

韓國海力士(Hynix)半導體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據《Chosun Ilbo》報道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術的32GB NAND閃存。