爾必達(dá)社長(zhǎng)：本季度爾必達(dá)DRAM全球份額將達(dá)到20％以上

爾必達(dá)內(nèi)存的代表董事社長(zhǎng)兼CEO坂本幸雄在2008年10月27日起于東京召開的半導(dǎo)體制造相關(guān)的國際會(huì)議“International Symposium on Semiconductor Manufacturing（ISSM 2008）”的主題演講中表示：“爾必達(dá)的DRAM全球份

追蹤：三星與Sandisk收購談判未中斷

據(jù)國外媒體報(bào)道，盡管半導(dǎo)體行業(yè)陷入蕭條局面，但三星電子仍按原計(jì)劃在今年向半導(dǎo)體項(xiàng)目投入7萬億韓元(約合60億美元)，而且公司與Sandisk的收購談判并未中斷。 三星電子總管半導(dǎo)體項(xiàng)目的總經(jīng)理權(quán)五鉉23日在首爾舉行的

東芝拼了！NAND Flash全面轉(zhuǎn)進(jìn)43納米制程

為因應(yīng)NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣寒冬，以及進(jìn)入傳統(tǒng)淡季后價(jià)格進(jìn)一步重挫，日系大廠東芝(Toshiba)計(jì)劃在2009年第1季前，將制程技術(shù)全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)43納米，現(xiàn)有56納米制程將逐步退役，屆時(shí)東芝將是全球NAND Flash制造商成本結(jié)構(gòu)最

3家DRAM廠合計(jì)減產(chǎn)占全球產(chǎn)能6％ 幅度仍然不夠

據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，DRAM報(bào)價(jià)跌破現(xiàn)金成本，引爆一波減產(chǎn)風(fēng)潮，繼力晶和爾必達(dá)(Elpida)宣布減產(chǎn)，海力士(Hynix)也宣布將包括清州M9廠和大陸無錫HC1廠的8寸晶圓廠生產(chǎn)喊停，期望能防止公司營(yíng)運(yùn)進(jìn)一步流血，合計(jì)海力

3家DRAM廠合計(jì)減產(chǎn)占全球產(chǎn)能6％ 幅度仍然不夠

DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能過剩 海力士加速關(guān)閉200毫米晶圓廠

海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)上周四宣布了該公司加速引退其200毫米晶圓廠的計(jì)劃，表示將將于本月底關(guān)閉位于韓國Icheon的M7工廠。海力士此前宣布過關(guān)閉兩個(gè)200毫米工廠，一個(gè)位于韓國Cheongju，另一個(gè)位于Ore的Eugene。

前海力士員工涉嫌向京東方泄露LCD面板技術(shù)遭拘留

據(jù)韓國媒體報(bào)道，首爾中央地檢高科技犯罪調(diào)查部近日稱，對(duì)Boehydis前代表崔某和前開發(fā)中心負(fù)責(zé)人林某進(jìn)行了不拘留起訴。

日本對(duì)海力士芯片強(qiáng)征高稅 韓國表示不滿

日本對(duì)海力士芯片強(qiáng)征高稅 韓國表示不滿

日本削減對(duì)海力士DRAM芯片征收的反補(bǔ)貼關(guān)稅

日本計(jì)劃削減韓國儲(chǔ)存芯片廠商海力士(Hynix)半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補(bǔ)貼關(guān)稅。媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報(bào)道說，日本收取的進(jìn)口反補(bǔ)貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數(shù)年來，美

韓國海力士將買下臺(tái)灣茂德8.6%股權(quán) 總值34.56億臺(tái)幣

韓國記憶體晶片制造商海力士半導(dǎo)體周五表示,已同意買下臺(tái)灣茂德8.6%股權(quán),較6月所宣布的9.5%少.

海力士將關(guān)閉美國晶圓廠 業(yè)內(nèi)200毫米工廠面臨換代

海力士(Hynix)將于近兩個(gè)月內(nèi)關(guān)閉位于美國俄勒岡州Eugene的200毫米DRAM晶圓廠，原因是DRAM市場(chǎng)供過于求的情況已持續(xù)了數(shù)月。有報(bào)告稱，海力士將會(huì)關(guān)閉晶圓廠并考慮出售該廠，減小在當(dāng)?shù)氐臉I(yè)務(wù)規(guī)模。 該舉動(dòng)

三星與海力士聯(lián)合開發(fā)450毫米晶圓工藝的MRAM

三星公司(Samsung)與海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)，兩家韓國最大的芯片公司，近日對(duì)外宣稱，兩家將計(jì)劃聯(lián)合開發(fā)自旋扭矩轉(zhuǎn)換式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(STT-MRAM)并使之標(biāo)準(zhǔn)化，從而成為采用450毫米晶圓工藝的該芯片市場(chǎng)的領(lǐng)軍

海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或?qū)anDisk不利

韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報(bào)道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。