海力士與三星欲推3-bit-per-cell NAND，或對SanDisk不利

韓國海力士(Hynix)半導體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力，開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據《Chosun Ilbo》報道，海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術的32GB NAND閃存。

海力士停電事故未拉起內存價格 仍會持續(xù)下跌

盡管海力士半導體公司(Hynix)工廠上周停電，Avian證券公司的研究主管Avi Cohen預計DRAM和NAND閃存的價格仍會出現(xiàn)下跌現(xiàn)象。他認為，在未來兩到四周內，內存價格下跌的導火索，是原始設備制造商以及模塊制造商的庫

海力士半導體江蘇無錫廠停電4小時 半數晶圓報廢

有消息傳出，韓國內存芯片大廠海力士（Hynix）大陸江蘇無錫DRAM制造晶圓廠區(qū)21日下午不明原因停電超過四個小時，當地月產能10萬片的12英寸晶圓廠本月恐半數會晶圓會報廢，沖擊全球DRAM供給約1%。由于目前正邁入旺季庫

茂德攜手海力士 今年全年位元出貨量將成長40-50%

茂德 5387(TW) 在確定與Hynix(000660-KR；海力士) 攜手合作之后，位元出貨量是將進行調整，茂德行銷業(yè) 務本部副總經理曾邦助表示，公司第 1季DRAM位元出貨 量僅小幅增加不到3%，預期第 2季位元出貨量可望成長 12

Numonyx計劃將DRAM生產向海力士與茂德轉移

日前，瑞士Numonyx BV表示計劃把DRAM生產從現(xiàn)有供應商轉移給海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。該行動是公司策略的一部分，將多技術多層內存子系統(tǒng)打入嵌入式設備和無線手機領域。

海力士加大投入Numonyx，控制后者NAND flash擴張速度

Numonyx的首席技術官Ed Doller透露，非易失性存儲器公司Numonyx BV和韓國存儲器巨頭海力士(Hynix)半導體公司的合資企業(yè)控制著Numonyx的NAND flash存儲器生產的擴張速度。 這家合資企業(yè)位于中國無錫，Numon

海力士3000萬塊芯片存缺陷 產量損失10%

海力士3000萬塊芯片存缺陷 產量損失10%

被指泄露技術 海力士向茂德轉讓技術遭三星反對

被指泄露技術 海力士向茂德轉讓技術遭三星反對

據《The Korea Times》報道，韓國三星(Samsung)電子反對海力士(Hynix)半導體向臺灣地區(qū)茂德(ProMOS)轉讓技術的計劃。 據Chosun Ilbo的報道，海力士半導體一直在與茂德談判向后者轉讓54納米DRAM技術的事宜。

海力士擴大中國工廠產能 追加投資2.6億美元

據報道，韓國海力士(Hynix)半導體已在其中國內存企業(yè)投資2.6億美元，并在與臺灣地區(qū)的茂德(ProMOS)談判擴大DRAM合作事宜。 據路透社報道，海力士表示將在無錫的合資內存企業(yè)再投資2.6億美元，用于擴展這家

海力士明年量產54納米DRAM芯片 效率提40%

海力士明年量產54納米DRAM芯片 效率提40%

SanDisk新工廠落戶上海 30%產能轉至中國