韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體和三星(Samsung)電子各自都在加緊努力,開發(fā)每單元三位(3-bit-per-cell)的NAND閃存。據(jù)《Chosun Ilbo》報(bào)道,海力士在6月4日開發(fā)出了一款采用3-bit-per-cell技術(shù)的32GB NAND閃存。
盡管海力士半導(dǎo)體公司(Hynix)工廠上周停電,Avian證券公司的研究主管Avi Cohen預(yù)計(jì)DRAM和NAND閃存的價(jià)格仍會(huì)出現(xiàn)下跌現(xiàn)象。他認(rèn)為,在未來兩到四周內(nèi),內(nèi)存價(jià)格下跌的導(dǎo)火索,是原始設(shè)備制造商以及模塊制造商的庫
有消息傳出,韓國內(nèi)存芯片大廠海力士(Hynix)大陸江蘇無錫DRAM制造晶圓廠區(qū)21日下午不明原因停電超過四個(gè)小時(shí),當(dāng)?shù)卦庐a(chǎn)能10萬片的12英寸晶圓廠本月恐半數(shù)會(huì)晶圓會(huì)報(bào)廢,沖擊全球DRAM供給約1%。由于目前正邁入旺季庫
茂德 5387(TW) 在確定與Hynix(000660-KR;海力士) 攜手合作之后,位元出貨量是將進(jìn)行調(diào)整,茂德行銷業(yè) 務(wù)本部副總經(jīng)理曾邦助表示,公司第 1季DRAM位元出貨 量僅小幅增加不到3%,預(yù)期第 2季位元出貨量可望成長 12
日前,瑞士Numonyx BV表示計(jì)劃把DRAM生產(chǎn)從現(xiàn)有供應(yīng)商轉(zhuǎn)移給海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。該行動(dòng)是公司策略的一部分,將多技術(shù)多層內(nèi)存子系統(tǒng)打入嵌入式設(shè)備和無線手機(jī)領(lǐng)域。
Numonyx的首席技術(shù)官Ed Doller透露,非易失性存儲(chǔ)器公司Numonyx BV和韓國存儲(chǔ)器巨頭海力士(Hynix)半導(dǎo)體公司的合資企業(yè)控制著Numonyx的NAND flash存儲(chǔ)器生產(chǎn)的擴(kuò)張速度。 這家合資企業(yè)位于中國無錫,Numon
海力士3000萬塊芯片存缺陷 產(chǎn)量損失10%
據(jù)《The Korea Times》報(bào)道,韓國三星(Samsung)電子反對海力士(Hynix)半導(dǎo)體向臺(tái)灣地區(qū)茂德(ProMOS)轉(zhuǎn)讓技術(shù)的計(jì)劃。 據(jù)Chosun Ilbo的報(bào)道,海力士半導(dǎo)體一直在與茂德談判向后者轉(zhuǎn)讓54納米DRAM技術(shù)的事宜。
據(jù)報(bào)道,韓國海力士(Hynix)半導(dǎo)體已在其中國內(nèi)存企業(yè)投資2.6億美元,并在與臺(tái)灣地區(qū)的茂德(ProMOS)談判擴(kuò)大DRAM合作事宜。 據(jù)路透社報(bào)道,海力士表示將在無錫的合資內(nèi)存企業(yè)再投資2.6億美元,用于擴(kuò)展這家
海力士明年量產(chǎn)54納米DRAM芯片 效率提40%