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選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能
高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。
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開關(guān)電源的可靠性熱設(shè)計(jì)
1引言 高功率密度是開關(guān)電源發(fā)展的方向之一,通過(guò)熱設(shè)計(jì)盡可能減少電源內(nèi)部產(chǎn)生的熱量、減少熱阻以提高效率外、選擇合理的冷卻方式是開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的基本任務(wù).開關(guān)電源除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開關(guān)電源可靠性最重
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開關(guān)電源的可靠性熱設(shè)計(jì)
1引言 高功率密度是開關(guān)電源發(fā)展的方向之一,通過(guò)熱設(shè)計(jì)盡可能減少電源內(nèi)部產(chǎn)生的熱量、減少熱阻以提高效率外、選擇合理的冷卻方式是開關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的基本任務(wù).開關(guān)電源除了電應(yīng)力之外,溫度是影響開關(guān)電源可靠性最重
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LED 醫(yī)療照明的節(jié)能訴求
不知不覺(jué)，具有顯著節(jié)能特性的發(fā)光二極體(也稱作發(fā)光二極管，簡(jiǎn)稱led)，在人們生活中扮演的角色越來(lái)越豐富——手機(jī)按鍵的光源、筆記本電腦的指示燈、汽車防霧燈、室內(nèi)照明燈……在上海世博會(huì)上，LED產(chǎn)品帶來(lái)的絢麗景
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LED醫(yī)療照明的節(jié)能訴求
不知不覺(jué)，具有顯著節(jié)能特性的發(fā)光二極體（也稱作發(fā)光二極管，簡(jiǎn)稱LED)，在人們生活中扮演的角色越來(lái)越豐富——手機(jī)按鍵的光源、筆記本電腦的指示燈、汽車防霧燈、室內(nèi)照明燈……在上海世博會(huì)上，LED產(chǎn)品帶來(lái)的絢麗景
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高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是
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高取光率低熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是
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喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率
喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率
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中國(guó)正遭受大型LED封裝企業(yè)缺失之痛
中國(guó)目前是LED的封裝大國(guó)，占全球封裝產(chǎn)量的70%。然而，中國(guó)LED封裝企業(yè)非常分散，有近2000家封裝企業(yè)，缺乏能與國(guó)際巨頭抗衡的大型企業(yè)，至目前為止還沒(méi)有一家上市公司。 深圳雷曼光電總經(jīng)理李漫鐵認(rèn)為，國(guó)內(nèi)外在封
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET (TI)
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺
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設(shè)計(jì)電源管理電路時(shí)必需考慮的散熱問(wèn)題
高溫或內(nèi)部功耗產(chǎn)生的過(guò)多熱量可能改變電子元件的特性并導(dǎo)致其關(guān)機(jī)、在指定工作范圍外工作，甚或出現(xiàn)故障。電源管理器件(及其相關(guān)電路)經(jīng)常會(huì)遇到這些問(wèn)題，因?yàn)檩斎肱c負(fù)載之間的任何功耗都會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)熱，所以必須
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設(shè)計(jì)電源管理電路時(shí)必需考慮的散熱問(wèn)題
高溫或內(nèi)部功耗產(chǎn)生的過(guò)多熱量可能改變電子元件的特性并導(dǎo)致其關(guān)機(jī)、在指定工作范圍外工作，甚或出現(xiàn)故障。電源管理器件(及其相關(guān)電路)經(jīng)常會(huì)遇到這些問(wèn)題，因?yàn)檩斎肱c負(fù)載之間的任何功耗都會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)熱，所以必須
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電動(dòng)車控制器短路保護(hù)時(shí)間的計(jì)算方法
議題內(nèi)容： 電動(dòng)車無(wú)刷電機(jī)控制器短路的工作模型 控制器在短路時(shí)MOSFET的工作狀態(tài) 計(jì)算MOSFET瞬態(tài)溫升的計(jì)算公式 設(shè)定短路保護(hù)時(shí)間的原則 解決方案： 溫升公式：Tj = Tc + P × Rth(jc) 根據(jù)單脈沖的熱阻系
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提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封
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提高取光效率降熱阻功率型LED封裝技術(shù)
超高亮度LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種照明的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)這些功率型LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。功率型LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封
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模塊電源的熱測(cè)試
以小體積著稱的模塊電源，正朝著低電壓輸入、大電流輸出，以及大的功率密度方向發(fā)展。但是，高集成度、高功率密度會(huì)使得其單位體積上的溫升越來(lái)越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計(jì)資料表明，電子元器
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