電壓
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實現(xiàn)電壓非接觸穩(wěn)定測量
在復合材料特性檢測、電路電氣特性檢測、人體心電檢測、核磁共振等方面需要對物體表面電壓進行精確測量。傳統(tǒng)上電壓的檢測都需要與物體直接接觸，通過傳導電流來完成。該種電壓測量方法無法測量空中電壓的變化，即使測量物體表面電壓，這種接觸測量方式也有許多缺點。
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P6SMB系列TVS二極管受寵有何緣由？
全球領先的電路保護產品及解決方案產品組合的供應商Littelfuse發(fā)布了一款TVS二極管——P6SMB系列(包括P6SMB440A、P6SMB、P6SMB15A、P6SMB15CA、P6SMB36A、P6SMB400CA)，其具有快速響應及優(yōu)異的鉗位能力，從0V到BV min僅需小于1ps的反應時間 。其不僅可廣泛應用于TVS設備中以保護I/O接口，還能夠應用在VCC總線、電信、計算機、工業(yè)以及消費電子電路中。
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電感耦合電壓放大器電路
電感耦合電壓放大器電路
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嵌入式接口保護設計方案
接口是嵌入式設備中最常見的組成部分，是數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?，它起著?shù)據(jù)傳輸與隔離保護電路的作用，今天我們一起探討接口保護設計一種常見方案。 氣體放電管是一種陶瓷或玻璃封
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正負電源基礎知識以及如何符合雙向可控硅觸發(fā)要求
電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負電壓。對于不經常跟雙向可控硅開關管打交道的人來說，“負電源”聽起來怪怪的，畢竟集成電路從來不使用負電壓。
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高通QC1.0-4.0快充技術功率電壓進化史
快充技術日新月異，快充市場百家爭鳴的今天，高通QC快充依然主導著市場。如今QC快充已發(fā)展到第四代，每一代都有著革命性的進步。從QC1.0到QC4.0更新?lián)Q代時間之短，不免讓廣大人民群眾抱怨。“啥?老子QC3.0都沒用
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NASA 出品，吹口氣就讓你傷口愈合的紗布
想象一下，你正搭載著 Space X 的第一支火箭踏入火星，或者是成為 NASA 火星之旅計劃的第一位宇航員，在 2030 年登上了這座神秘的紅色星球。當你降落在火星表面，終于能夠執(zhí)行日常任務，卻在鉆取巖石樣本時，一下子
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VCC、 VDD、VEE、VSS 電壓理解
VCC、 VDD、VEE、VSS版本一：簡單說來，可以這樣理解：一、解釋VCC：C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓;VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件內部的工作電壓;VSS：S=series 表示公共連接的意思，通常指電
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Vishay擴展汽車級SMD鋁電容器的電壓范圍
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將汽車級146 CTI和160 CLA系列表面貼裝鋁電容器的電壓范圍分別擴展到100V和80V。Vishay BCcomponents器件
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一種電源適配器標識數(shù)值超出輸入電壓的情況
在電源適配器上通常有一系列標號的參數(shù)，很少有人去關注這些參數(shù)。本文就將根據(jù)實例，為大家分析電源適配器中一種標識數(shù)值超出輸入電壓范圍的情況，真的是廠家標錯還是里面
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電源電壓微調電路的設計方法
本設計實例介紹了一種基于OVP/UVP測試、負載余量測試、電壓可編程性或其它任何理由而需要調節(jié)電源輸出電壓的方法。圖1電源輸出電壓雙向調節(jié)電路。圖1所示電路可以通過向反
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高手講解 電源適配器標稱電壓與電流的關系
相信各位電源設計者對于電源適配器并不陌生，但深究起來，各位電源工程師又是否對電源適配器足夠了解呢?實際上在各大論壇中關于電源適配器的討論幾乎都是最基礎的，本文來自
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復勵直流電機的自動調整電壓電路
如下圖所示為一款復勵直流電機的自動調整電壓電路。該電路主要是用于40kW、230V的，電壓變化率可達2. 5%.圖中，BQ為并勵繞組，CQ為串勵繞組外接電阻Rw串接在并勵繞組回路。
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如何打造體積小、續(xù)航性能強勁的可穿戴產品
隨著近年來電子可穿戴產品技術的進步，與之相關的充電技術、智能電源管理、集成密度方面的技術已經出現(xiàn)很大的飛躍。因此可穿戴設備正在變得越來越小，與此同時功能卻不降反
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雙向可控硅零電壓轉換電路
雙向可控硅將設在正周期的開始處，用來門控經過3μF電容的電流，可控硅晶體管C103是關閉的。負載電壓為1μF的電容充電，這樣在線性電壓的隨后負半周期中，雙向可控硅將
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淺談電能質量電網諧波
摘要：之前我們有接到客戶說在用我們E8000電能質量分析儀，測量諧波電壓總諧波畸變率是3.4%,問不知道是否屬于正常范圍?”我暫時不回答這個問題先，這里想跟大家淺談一
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ESD二極管用于電壓箝位
當放大器發(fā)生外部過壓狀況時，ESD二極管是放大器與過電應力之間的最后防線。正確理解ESD單元在一個器件中是如何實現(xiàn)的，設計人員就能通過適當?shù)碾娐吩O計大大擴展放大器的生存范圍。本文旨在向讀者介紹各種類型的ESD實現(xiàn)方案，討論每種方案的特點，并就如何利用這些單元來提高設計魯棒性提供指南
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雙向可控硅零電壓轉換電路
雙向可控硅將設在正周期的開始處，用來門控經過3μF電容的電流，可控硅晶體管C103是關閉的。負載電壓為1μF的電容充電，這樣在線性電壓的隨后負半周期中，雙向可控硅將
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絕緣柵雙極型晶體管原理小科普
對于新人工程師而言，掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識是非常重要的，這將會對工程師日后的產品設計和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中，我們將會就絕緣柵雙極型晶體
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GaN FET與硅FET的比較
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解
