在復(fù)合材料特性檢測(cè)、電路電氣特性檢測(cè)、人體心電檢測(cè)、核磁共振等方面需要對(duì)物體表面電壓進(jìn)行精確測(cè)量。傳統(tǒng)上電壓的檢測(cè)都需要與物體直接接觸,通過傳導(dǎo)電流來完成。該種電壓測(cè)量方法無法測(cè)量空中電壓的變化,即使測(cè)量物體表面電壓,這種接觸測(cè)量方式也有許多缺點(diǎn)。
全球領(lǐng)先的電路保護(hù)產(chǎn)品及解決方案產(chǎn)品組合的供應(yīng)商Littelfuse發(fā)布了一款TVS二極管——P6SMB系列(包括P6SMB440A、P6SMB、P6SMB15A、P6SMB15CA、P6SMB36A、P6SMB400CA),其具有快速響應(yīng)及優(yōu)異的鉗位能力,從0V到BV min僅需小于1ps的反應(yīng)時(shí)間 。其不僅可廣泛應(yīng)用于TVS設(shè)備中以保護(hù)I/O接口,還能夠應(yīng)用在VCC總線、電信、計(jì)算機(jī)、工業(yè)以及消費(fèi)電子電路中。
電感耦合電壓放大器電路
接口是嵌入式設(shè)備中最常見的組成部分,是數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?,它起著?shù)據(jù)傳輸與隔離保護(hù)電路的作用,今天我們一起探討接口保護(hù)設(shè)計(jì)一種常見方案。 氣體放電管是一種陶瓷或玻璃封
電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負(fù)電壓。對(duì)于不經(jīng)常跟雙向可控硅開關(guān)管打交道的人來說,“負(fù)電源”聽起來怪怪的,畢竟集成電路從來不使用負(fù)電壓。
快充技術(shù)日新月異,快充市場(chǎng)百家爭(zhēng)鳴的今天,高通QC快充依然主導(dǎo)著市場(chǎng)。如今QC快充已發(fā)展到第四代,每一代都有著革命性的進(jìn)步。從QC1.0到QC4.0更新?lián)Q代時(shí)間之短,不免讓廣大人民群眾抱怨。“啥?老子QC3.0都沒用
想象一下,你正搭載著 Space X 的第一支火箭踏入火星,或者是成為 NASA 火星之旅計(jì)劃的第一位宇航員,在 2030 年登上了這座神秘的紅色星球。當(dāng)你降落在火星表面,終于能夠執(zhí)行日常任務(wù),卻在鉆取巖石樣本時(shí),一下子
VCC、 VDD、VEE、VSS版本一:簡(jiǎn)單說來,可以這樣理解:一、解釋VCC:C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓;VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓;VSS:S=series 表示公共連接的意思,通常指電
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將汽車級(jí)146 CTI和160 CLA系列表面貼裝鋁電容器的電壓范圍分別擴(kuò)展到100V和80V。Vishay BCcomponents器件
在電源適配器上通常有一系列標(biāo)號(hào)的參數(shù),很少有人去關(guān)注這些參數(shù)。本文就將根據(jù)實(shí)例,為大家分析電源適配器中一種標(biāo)識(shí)數(shù)值超出輸入電壓范圍的情況,真的是廠家標(biāo)錯(cuò)還是里面
本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了一種基于OVP/UVP測(cè)試、負(fù)載余量測(cè)試、電壓可編程性或其它任何理由而需要調(diào)節(jié)電源輸出電壓的方法。圖1電源輸出電壓雙向調(diào)節(jié)電路。圖1所示電路可以通過向反
相信各位電源設(shè)計(jì)者對(duì)于電源適配器并不陌生,但深究起來,各位電源工程師又是否對(duì)電源適配器足夠了解呢?實(shí)際上在各大論壇中關(guān)于電源適配器的討論幾乎都是最基礎(chǔ)的,本文來自
如下圖所示為一款復(fù)勵(lì)直流電機(jī)的自動(dòng)調(diào)整電壓電路。該電路主要是用于40kW、230V的,電壓變化率可達(dá)2. 5%.圖中,BQ為并勵(lì)繞組,CQ為串勵(lì)繞組外接電阻Rw串接在并勵(lì)繞組回路。
隨著近年來電子可穿戴產(chǎn)品技術(shù)的進(jìn)步,與之相關(guān)的充電技術(shù)、智能電源管理、集成密度方面的技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)很大的飛躍。因此可穿戴設(shè)備正在變得越來越小,與此同時(shí)功能卻不降反
雙向可控硅將設(shè)在正周期的開始處,用來門控經(jīng)過3μF電容的電流,可控硅晶體管C103是關(guān)閉的。負(fù)載電壓為1μF的電容充電,這樣在線性電壓的隨后負(fù)半周期中,雙向可控硅將
摘要:之前我們有接到客戶說在用我們E8000電能質(zhì)量分析儀,測(cè)量諧波電壓總諧波畸變率是3.4%,問不知道是否屬于正常范圍?”我暫時(shí)不回答這個(gè)問題先,這里想跟大家淺談一
當(dāng)放大器發(fā)生外部過壓狀況時(shí),ESD二極管是放大器與過電應(yīng)力之間的最后防線。正確理解ESD單元在一個(gè)器件中是如何實(shí)現(xiàn)的,設(shè)計(jì)人員就能通過適當(dāng)?shù)碾娐吩O(shè)計(jì)大大擴(kuò)展放大器的生存范圍。本文旨在向讀者介紹各種類型的ESD實(shí)現(xiàn)方案,討論每種方案的特點(diǎn),并就如何利用這些單元來提高設(shè)計(jì)魯棒性提供指南
雙向可控硅將設(shè)在正周期的開始處,用來門控經(jīng)過3μF電容的電流,可控硅晶體管C103是關(guān)閉的。負(fù)載電壓為1μF的電容充電,這樣在線性電壓的隨后負(fù)半周期中,雙向可控硅將
對(duì)于新人工程師而言,掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識(shí)是非常重要的,這將會(huì)對(duì)工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中,我們將會(huì)就絕緣柵雙極型晶體
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說,理解