電壓
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國(guó)企大牛工程師談開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)心得
首先從開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)工藝開(kāi)始描述吧，先說(shuō)說(shuō)印制板的設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)電源工作在高頻率，高脈沖狀態(tài)，屬于模擬電路中的一個(gè)比較特殊種類(lèi)。布板時(shí)須遵循高頻電路布線原則。
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分析解釋開(kāi)關(guān)電源中的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)
本文將分析解釋開(kāi)關(guān)電源中的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)。
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開(kāi)關(guān)電源PCB Layout要求歸納總結(jié)
PCB Layout是開(kāi)關(guān)電源研發(fā)過(guò)程中的極為重要的步驟和環(huán)節(jié)，關(guān)系到開(kāi)關(guān)電源能否正常工作，生產(chǎn)是否順利進(jìn)行,使用是否安全等問(wèn)題。
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Micro-LED三種驅(qū)動(dòng)方式對(duì)比，哪種更具優(yōu)勢(shì)？
Micro-LED是電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光器件，其驅(qū)動(dòng)方式一般只有兩種模式：無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)(PM：Passive Matrix，又稱(chēng)無(wú)源尋址、被動(dòng)尋址、無(wú)源驅(qū)動(dòng)等等)與有源選址驅(qū)動(dòng)(AM：Active Matrix，又稱(chēng)有源尋址、主動(dòng)尋址、有源驅(qū)動(dòng)等)，此文還延伸有源驅(qū)動(dòng)的另一種“半有源”驅(qū)動(dòng)。這幾種模式具有不同的驅(qū)動(dòng)原理與應(yīng)用特色，下面將通過(guò)電路圖來(lái)具體介紹其原理。
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四種開(kāi)關(guān)電源常犯故障及維修技巧
開(kāi)關(guān)電源是各種電子設(shè)備必不可缺的組成部分，其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，功耗小，轉(zhuǎn)化率高，且體積和重量只有線性電源的20%—30%，故目前它已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。電子設(shè)備電氣故障的檢修，本著從易到難的原則，基本上都是先從電源入手，在確定其電源正常后，再進(jìn)行其他部位的檢修，且電源故障占電子設(shè)備電氣故障的大多數(shù)。故了解開(kāi)頭電源基本工作原理，熟悉其維修技巧和常見(jiàn)故障，有利于縮短電子設(shè)備故障維修時(shí)間，提高個(gè)人設(shè)備維護(hù)技能。
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如何排除FPGA電源定序問(wèn)題
系統(tǒng)設(shè)計(jì)師必須考慮加電和斷電期間芯核電源和I/O源之間的定時(shí)差和電壓差(換言之，就是電源定序)問(wèn)題。當(dāng)電源定序不當(dāng)時(shí)，就有可能發(fā)生閉鎖失靈或電流消耗過(guò)大的現(xiàn)象。如果兩個(gè)電源加到芯核接口和I/O接口上的電位不同時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)閉鎖。定序要求不相同的FPGA和其他元件會(huì)使電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加復(fù)雜化。為了排除定序問(wèn)題，你應(yīng)當(dāng)在加電和斷電期間使芯核電源和I/O電源之間的電壓差最小。圖1所示的電源將3.3V輸入電壓調(diào)節(jié)到1.8V芯核電壓，并在加電和斷電期間跟蹤3.3V I/O電壓，以使兩電源線之間的電壓差最小。
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10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。
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8大提示教你如何正確使用萬(wàn)用表測(cè)量
消除因接線所造成誤差的最簡(jiǎn)單方法是進(jìn)行調(diào)零測(cè)量。對(duì)于直流電壓或電阻測(cè)量，要選擇適合的測(cè)量量程，然后把探頭接到一起并等待一個(gè)測(cè)量 — 這是最接近于零輸入的情況 — 然后按調(diào)零（null）按鈕。以下得到的讀數(shù)將扣除調(diào)零測(cè)量的結(jié)果。調(diào)零測(cè)量非常適合直流和電阻測(cè)量功能。但這項(xiàng)這技術(shù)并不適合交流測(cè)量。交流轉(zhuǎn)換器在量程的較低部分不能很好工作;Agilent 34401A 數(shù)字萬(wàn)用表的模擬轉(zhuǎn)換器未規(guī)定低于10%滿度時(shí)的技術(shù)指標(biāo)。Agilent 34410A 和34411A數(shù)字萬(wàn)用表用數(shù)字技術(shù)，能一直測(cè)量到1%滿度，但也
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你不知道的細(xì)節(jié)，正在毀掉你的電路
發(fā)現(xiàn)這些細(xì)節(jié)，拯救電路很多人都一樣，我們很多工程師在完成一個(gè)項(xiàng)目后，發(fā)現(xiàn)整個(gè)項(xiàng)目大部分的時(shí)間都花在“調(diào)試檢測(cè)電路整改電路”這個(gè)階段，也正是這個(gè)階段，很多項(xiàng)目沒(méi)有辦法進(jìn)行下去，停滯在那邊。想要快速完成項(xiàng)目，擺脫實(shí)驗(yàn)調(diào)試時(shí)的煩悶，苦惱不知道問(wèn)題出在哪里，就快點(diǎn)了解下面這些電路設(shè)計(jì)中的細(xì)節(jié)!
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功率MOSFET線性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場(chǎng)和電流分布
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示，其工作特性有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱(chēng)恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱(chēng)可變電阻區(qū)。
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各類(lèi)形狀磁芯的“優(yōu)缺點(diǎn)”！
高頻變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí)，鐵芯(或磁芯)中便產(chǎn)生交流磁通，使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓(或電流)。變壓器由鐵芯(或磁芯)和線圈組成，線圈有兩個(gè)或兩個(gè)以上的繞組，其中接電源的繞組叫初級(jí)線圈，其余的繞組叫次級(jí)線圈。變壓器的磁芯包括罐型磁芯，RM型磁芯，E型磁芯，EC、ETD和EER型磁芯，PQ型磁芯，EP型磁芯，EP型磁芯，環(huán)形磁芯等磁芯，那么這些磁芯對(duì)變壓器的工作有何影響呢?下面請(qǐng)看具體的分析。
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詳解測(cè)電壓/電流/電阻 數(shù)字萬(wàn)用表使用方法
數(shù)字萬(wàn)用表，顧名思義，其工作原理主要以數(shù)字電路為基礎(chǔ)來(lái)檢測(cè)和分析信號(hào)，然后通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供LCD顯示出來(lái)。
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一種新的策略去制備三元非富勒烯太陽(yáng)能電池
【引言】最近幾年，三元策略已被證明是一個(gè)有效的策略去提升有機(jī)太陽(yáng)能電池的性能。目前，第三組分普遍的選擇準(zhǔn)則是與二元主體系有著互補(bǔ)的吸收光譜，以促進(jìn)三元活性層對(duì)光
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電壓暫降的危害及治理方案
隨著經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展，工業(yè)制造與居民用電的多樣化，導(dǎo)致電網(wǎng)的電能質(zhì)量問(wèn)題更加復(fù)雜化，隨機(jī)化與多樣化，其中電壓暫降已經(jīng)成為各類(lèi)企業(yè)與電網(wǎng)研究單位首要的治理和研究方向。
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采用面向低噪聲的運(yùn)放進(jìn)行設(shè)計(jì)
物理過(guò)程的現(xiàn)實(shí)使我們無(wú)法獲得具有完美精度、零噪聲、無(wú)窮大開(kāi)環(huán)增益、轉(zhuǎn)換速率和增益帶寬乘積的理想運(yùn)放。但是，我們期待一代又一代連續(xù)面市的放大器可比前一代的放大器更好。那么，低 1/f 噪聲運(yùn)放的下一步會(huì)怎么樣呢?
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非對(duì)稱(chēng)有源分頻電路
使用美國(guó)國(guó)家公司的LF356高通和低通正極濾波器在500赫茲的交叉點(diǎn)不對(duì)成，過(guò)濾輸出的電壓的總和是恒定和相同的。低通濾波器的衰減只有-6分貝每倍頻，就像和高通濾波器的18分
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針對(duì)納米器件的脈沖I-V測(cè)試小技巧
在對(duì)納米器件進(jìn)行電流-電壓（I-V）脈沖特征分析時(shí)通常需要測(cè)量非常小的電壓或電流，因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里，低電平測(cè)量技術(shù)不僅對(duì)于器件的I-V特征分析而且對(duì)于高電導(dǎo)率材料的電阻測(cè)量都非常重要。
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當(dāng)GND不是GND時(shí)，單端電路會(huì)變成差分電路
在繪制原理圖時(shí)，人們對(duì)系統(tǒng)接地回路(或 )符號(hào)總是有些想當(dāng)然。 符號(hào)遍及原理圖的各個(gè)角落，而且原理圖假定不同的 在印刷電路板 (PCB) 上都將處在相同的電勢(shì)下。事實(shí)上，經(jīng)
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pic16c57單片機(jī)電阻測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)
低電阻測(cè)量?jī)x按其測(cè)試電流的大小可分為兩類(lèi)：一類(lèi)測(cè)試電流較大，主要用于接插件、開(kāi)關(guān)、導(dǎo)體等產(chǎn)品的直流低電阻的測(cè)量;另一類(lèi)測(cè)試電流很小(一般為1 mA左右)，用于電雷管、點(diǎn)
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經(jīng)典輸出短路保護(hù)電路
上電時(shí)：C2兩端電壓不能突變，Q2基極電壓由VCC開(kāi)始下降，下降到Q2可以導(dǎo)通(BE結(jié)壓降取0.7V)，這個(gè)時(shí)間大概是0.12mS。但是同時(shí)Q1也在起到阻止Q2導(dǎo)通的作用，Q1導(dǎo)通的時(shí)間大概
