電壓
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如何提高低成本開關(guān)電源的效率？
低電流開關(guān)穩(wěn)壓器IC通常使用達(dá)靈頓管作為輸出開關(guān)。在這種情況下，電源轉(zhuǎn)換效率可以借由兩個便宜的元器件得到提高?！ 槭怪蔀榭赡?，芯片上應(yīng)當(dāng)有一個針對驅(qū)動器晶
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TDK擴充積層陶瓷電容器的產(chǎn)品陣容
21ic訊 DK 株式會社宣布已擴充支持車載、溫度補償用NP0特性(150℃溫度保證)CGA系列的積層陶瓷電容器的產(chǎn)品陣容，實現(xiàn)了業(yè)界最高的額定電壓范圍(50～630V)與靜電容量范圍(100pF～220nF)。近年來，對于汽車用途的電子元
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配電網(wǎng)無功電壓的優(yōu)化控制
引言電壓是衡量電能質(zhì)量指標(biāo)之一，電網(wǎng)運行電壓質(zhì)量的優(yōu)劣，是配網(wǎng)結(jié)構(gòu)、無功電源配置、無功實時控制以及運行管理技術(shù)水平的綜合反映，也是發(fā)、供、用三方對無功控制協(xié)調(diào)能力的體現(xiàn)。在配電網(wǎng)運行中，無功對電壓質(zhì)量
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為患者和醫(yī)護(hù)人員提供安全的電源
早在一百年以前，醫(yī)生就開始利用一些簡單的設(shè)備來做診斷，如顯微鏡和聽診器,等等。由于當(dāng)時的醫(yī)療設(shè)備還未成熟，手術(shù)仍然存著極大的風(fēng)險，因此患者的生命安全主要依賴于外科醫(yī)師的技術(shù)和經(jīng)驗?，F(xiàn)如今，醫(yī)院里多了很
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分立元件構(gòu)成的超聲波發(fā)射電路b
分立元件構(gòu)成的超聲波發(fā)射電路b
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分立元件構(gòu)成的超聲波發(fā)射電路a
分立元件構(gòu)成的超聲波發(fā)射電路a
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聲音遙控開關(guān)電路
聲音遙控開關(guān)電路
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雙電壓可調(diào)穩(wěn)壓電源電路
雙電壓可調(diào)穩(wěn)壓電源電路
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鋸齒波移相觸發(fā)電路
鋸齒波移相觸發(fā)電路
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六倍壓整流電路
六倍壓整流電路
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飲水機雙張紙控制電路
飲水機雙張紙控制電路
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電容測量電路b
電容測量電路b
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電容測量電路a
電容測量電路a
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未來的以太網(wǎng)在線供電發(fā)展方向
現(xiàn)今以太網(wǎng)在線供電技術(shù)已是合法的應(yīng)用支撐。自IEEE委員會作為802.3af批準(zhǔn)原始標(biāo)準(zhǔn)以來，VoIP(IP語音)、電話和WAP(無線接入點)等設(shè)備已經(jīng)因該標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)而不斷獲益。這一標(biāo)準(zhǔn)提供了兩種實現(xiàn)方法，即中間跨度接入方法
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運算放大器電壓范圍——輸入和輸出之解疑釋惑
我們常常會收到一些與電源有關(guān)的應(yīng)用問題，詢問我們運算放大器的輸入和輸出電壓范圍到底有多大。既然大家存在這方面的疑惑，那么我們就利用這篇文章來為大家解疑釋惑：首先，常見運算放大器并沒有接地端。標(biāo)準(zhǔn)運算放
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輸入偏置電流消除電阻——您真的需要它們嗎？
您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎?請看下面圖 1 所示電路。我們中的許多人會教條地認(rèn)為添加 Rb 是一種“好方法”，并讓其值等于 R1 和 R2 的并聯(lián)組合。我們現(xiàn)在就來研究使
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大聯(lián)大友尚集團推出意法半導(dǎo)體的超薄、高性能可充電式電池
21ic訊 大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出意法半導(dǎo)體(簡稱ST)采用先進(jìn)工藝制作且厚度不足0.25mm的EnFilm™可充電式電池---EFL700A39 。該固態(tài)薄膜鋰電池厚度僅為220&mic
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10KW交流穩(wěn)壓電源電路
該電源采用較先進(jìn)的正弦能量分配技術(shù)，集穩(wěn)壓與抗干擾功能于一體，具有體積小、重量輕、噪聲小、效率高、可靠性高、能長期連續(xù)工作、適應(yīng)各種性質(zhì)的負(fù)載(阻性、感性、容
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多電壓軌系統(tǒng)需要具備控制和監(jiān)察功能的轉(zhuǎn)換器
由于系統(tǒng)復(fù)雜性提高、數(shù)字組件激增，所以其內(nèi)部電壓軌的數(shù)量也在持續(xù)增加，在這種情況下，必須有一種機制來監(jiān)視和控制這些電壓軌。常見的情況可能是，有多達(dá) 50 個負(fù)載點電
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絕緣柵型場效應(yīng)管
絕緣型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管。它的柵極-源極之間的
