電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí),作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì),電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的,它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。這里,只介紹一下電路板電
無(wú)論是移動(dòng)電話和等便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品,還是汽車(chē)、廚房電器、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)和商業(yè)感測(cè)應(yīng)用,基于直觀式技術(shù)的解決方案都是這些領(lǐng)域的首選人機(jī)界面。穩(wěn)健可靠的電容性觸
摘要:論述了電容型高功率脈沖電源中控制電路的基本功能。指出控制電路設(shè)計(jì)選用固態(tài)繼電器主要原因是其具有優(yōu)良的抗震動(dòng)性能。采用經(jīng)驗(yàn)法設(shè)計(jì)了控制電路,并通過(guò)試用改進(jìn)了
任何的電容器在使用前都要進(jìn)行耐壓測(cè)試及其他電氣性能測(cè)試,這樣可以確保電容器的精度是否符合規(guī)格要求,從而保證產(chǎn)品的安全可靠性。這些測(cè)試是如此的重要,所以大家跟著小
本文首先介紹了高速串行鏈路設(shè)計(jì)中AC耦合電容阻抗優(yōu)化的重要性,然后闡述如何利用Xpeedic蘇州芯禾科技公司旗下軟件ViaExpert對(duì)AC耦合電容設(shè)計(jì)進(jìn)行前仿真,然后指導(dǎo)后續(xù)PCB設(shè)
大多數(shù)用來(lái)測(cè)量無(wú)功元件的簡(jiǎn)單電路所能覆蓋的元件值范圍都很有限。本文介紹的電路雖然只是由一些便宜的元器件組成,但它能測(cè)量的電容值和電感值可跨越七個(gè)數(shù)量級(jí)。無(wú)論是容量范圍約為1pF~10μF的電容器,還是電感值
一、我們要講什么?本文主要介紹了關(guān)于干擾電源濾波器分類(lèi)的相關(guān)知識(shí),并著重對(duì)干擾電源濾波器系列進(jìn)行了描述。二、濾波的概念濾波是信號(hào)處理中的一個(gè)重要概念,濾波電路的作
PIC單片機(jī)電容觸摸按鍵,最方便的地方就是外圍電路簡(jiǎn)單,不需要任何外圍元器件。只要從引腳連接出一條線到焊盤(pán)上即可。電容按鍵觸摸的原理PIC單片機(jī)通過(guò)松弛振蕩器是一個(gè)自
STM32開(kāi)發(fā)板電容觸摸屏驅(qū)動(dòng),單點(diǎn)有效頭文件touch.h:u8 ft5x0x_read_data(void);void ft5x0x_i2c_init(void);struct _ts_event{ u16 x1; u16 y1; u16 x2; u16 y2; u16 x3; u16 y3; u16 x4; u16 y4; u1
如今MEMS麥克風(fēng)正逐漸取代音頻電路中的駐極體電容麥克風(fēng)(ECM)。ECM和MEMS這兩種麥克風(fēng)的功能相同,但各自和系統(tǒng)其余部分之間的連接卻不一樣。本應(yīng)用筆記將會(huì)介紹這些區(qū)別,
多層PCB通常包括一對(duì)或多對(duì)電壓和接地層。電源層的功能等同于一個(gè)低電感的電容器,能夠約束在元件和信道上產(chǎn)生的RF電容。機(jī)殼一般會(huì)有多個(gè)接地點(diǎn)連接到接地層,有助于減小板子的機(jī)殼和板間、板中的電壓梯度。電壓梯度
日前傳聞國(guó)巨電子中國(guó)區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價(jià)10%,不過(guò)國(guó)巨方面馬上辟謠否認(rèn),表示MLCC沒(méi)有降價(jià)空間,未來(lái)只可能繼續(xù)漲價(jià)。
1、電源 DDR的電源可以分為三類(lèi):a、主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。
設(shè)計(jì)一個(gè)移動(dòng)電源的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)是通過(guò)EMI測(cè)試。電子工程師經(jīng)常擔(dān)心EMI測(cè)試失敗。若電路EMI測(cè)試多次失敗,這將是一場(chǎng)噩夢(mèng)。您將不得不夜以繼日地在EMI實(shí)驗(yàn)室工作來(lái)解決
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通(ZVS),MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個(gè)基本條件: