STM32開發(fā)板電容觸摸屏驅(qū)動(dòng),單點(diǎn)有效頭文件touch.h:u8 ft5x0x_read_data(void);void ft5x0x_i2c_init(void);struct _ts_event{ u16 x1; u16 y1; u16 x2; u16 y2; u16 x3; u16 y3; u16 x4; u16 y4; u1
如今MEMS麥克風(fēng)正逐漸取代音頻電路中的駐極體電容麥克風(fēng)(ECM)。ECM和MEMS這兩種麥克風(fēng)的功能相同,但各自和系統(tǒng)其余部分之間的連接卻不一樣。本應(yīng)用筆記將會(huì)介紹這些區(qū)別,
多層PCB通常包括一對(duì)或多對(duì)電壓和接地層。電源層的功能等同于一個(gè)低電感的電容器,能夠約束在元件和信道上產(chǎn)生的RF電容。機(jī)殼一般會(huì)有多個(gè)接地點(diǎn)連接到接地層,有助于減小板子的機(jī)殼和板間、板中的電壓梯度。電壓梯度
日前傳聞國(guó)巨電子中國(guó)區(qū)經(jīng)理表示MLCC電容將降價(jià)10%,不過國(guó)巨方面馬上辟謠否認(rèn),表示MLCC沒有降價(jià)空間,未來只可能繼續(xù)漲價(jià)。
1、電源 DDR的電源可以分為三類:a、主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。
設(shè)計(jì)一個(gè)移動(dòng)電源的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)是通過EMI測(cè)試。電子工程師經(jīng)常擔(dān)心EMI測(cè)試失敗。若電路EMI測(cè)試多次失敗,這將是一場(chǎng)噩夢(mèng)。您將不得不夜以繼日地在EMI實(shí)驗(yàn)室工作來解決
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個(gè)基本條件:
有人說是負(fù)載電容,是用來糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說是啟振電容;有人說起諧振作用的。電容與內(nèi)部電路共同組成一定頻率的振蕩,這個(gè)電容是硬連接,固定頻率能力很強(qiáng),其
電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲(chǔ)能元件,它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動(dòng)控制等電路中。熟悉電
在常用的低壓電源中,用電容器降壓(實(shí)際是電容限流)與用變壓器相比,電容降壓的電源體積小、經(jīng)濟(jì)、可靠、效率高,缺點(diǎn)是不如變壓器變壓的電源安全。通過電容器把交流電引
去耦和層電容有時(shí)工程師會(huì)忽略使用去耦的目的,僅僅在上分散大小不同的許多電容,使較低阻抗電源連接到地。但問題依舊:需要多少電容?許多相關(guān)文獻(xiàn)表明,必須使用大小不同的許多電容來降低功率傳輸系統(tǒng)(PDS)的阻抗,
對(duì)于電容的安裝,首先要提到的就是安裝距離。容值最小的電容,有最高的諧振頻率,去耦半徑最小,因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距離稍遠(yuǎn),最外層放置容值最大的。但是,所有對(duì)該芯片去耦的電容都盡量靠
低頻1/f噪聲(LF噪聲)指的是電壓基準(zhǔn)源在10Hz以下的噪聲,設(shè)計(jì)中很難抑制這部分噪聲。通過搭建低通RC濾波器有助于降低LF噪聲,但這需要很大的電容、電阻。電容值較大時(shí),具有
尖峰電流的形成:數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。以下圖的TTL與非門為例說明尖峰電流的形成:圖1TTL與非門輸出電壓如右圖(a)所示,理論上電源
電容是開關(guān)電源中的再普通不過的器件,它可以用來降低紋波噪聲,可以用來提高電源的穩(wěn)定性以及瞬態(tài)響應(yīng)性,然而,電容的種類繁多,如何通過技巧快速進(jìn)行選型,而產(chǎn)品可靠性
如圖是電容串聯(lián)電路,電容串聯(lián)電路的電路形式與電阻串聯(lián)電路一樣。電路中,電容C1和C2串聯(lián)。如果將電容器的容抗用電阻的形式來等效,可以畫成等效電路,R1和R2串聯(lián)電路,電