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DisplaySearch：金屬氧化物面板產(chǎn)能成長(zhǎng)快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專(zhuān)業(yè)顯示器市調(diào)機(jī)構(gòu)DisplaySearch預(yù)估，這項(xiàng)高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強(qiáng)調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更高
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金屬氧化物面板產(chǎn)能成長(zhǎng)快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專(zhuān)業(yè)顯示器市調(diào)機(jī)構(gòu) DisplaySearch預(yù)估，這項(xiàng)高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強(qiáng)調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更高
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金屬氧化物面板產(chǎn)能成長(zhǎng)快速
各面板廠積極發(fā)展金屬氧化物薄膜電晶體面板制程，專(zhuān)業(yè)顯示器市調(diào)機(jī)構(gòu) DisplaySearch預(yù)估，這項(xiàng)高階面板制程的產(chǎn)能，可望在2016年超越低溫多晶矽制程。DisplaySearch強(qiáng)調(diào)，隨著平面顯示器制造商將低溫多晶矽技術(shù)往更
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用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
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可由CR設(shè)定數(shù)微秒至數(shù)十秒時(shí)間的通用定時(shí)器
可由CR設(shè)定數(shù)微秒至數(shù)十秒時(shí)間的通用定時(shí)器
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柔性電子可用來(lái)打印超速石墨烯芯片
近日消息，據(jù)美國(guó)科技博客Gizmodo報(bào)道，未來(lái)主義者總是認(rèn)為柔性電子能夠以驚人的方式改變我們未來(lái)的生活，但這些頭腦風(fēng)暴式的想法至今還沒(méi)能問(wèn)市。日前，一支由美國(guó)德克薩斯州大學(xué)的科學(xué)家組成的研究小組發(fā)現(xiàn)了改變未
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柔性電子可用來(lái)打印超速石墨烯芯片
近日消息，據(jù)美國(guó)科技博客Gizmodo報(bào)道，未來(lái)主義者總是認(rèn)為柔性電子能夠以驚人的方式改變我們未來(lái)的生活，但這些頭腦風(fēng)暴式的想法至今還沒(méi)能問(wèn)市。日前，一支由美國(guó)德克薩斯州大學(xué)的科學(xué)家組成的研究小組發(fā)現(xiàn)了改變未
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FinFET復(fù)雜度破表 半導(dǎo)體設(shè)備商投資不手軟
鰭式電晶體(FinFET)制程將帶動(dòng)新一波半導(dǎo)體設(shè)備投資熱潮。由于FinFET導(dǎo)入立體式電晶體結(jié)構(gòu)，使得晶圓制程中的蝕刻和缺陷檢測(cè)復(fù)雜度較以往大幅攀升，因此包括科林研發(fā)(Lam Research)和東京威力科創(chuàng)(TEL)等半導(dǎo)體設(shè)備大
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽
一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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UMC與SuVolta 宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28奈米低功耗制程技術(shù)
Marketwired23日，臺(tái)灣新竹, 加州洛斯加托斯--聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28奈米制程。該項(xiàng)制程將SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)電晶體技術(shù)整合到UMC
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應(yīng)材：半導(dǎo)體材料改善對(duì)芯片性能提升至關(guān)重要
半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)材(Applied Materials)的磊晶設(shè)備部門(mén)主管Schubert Chu表示，半導(dǎo)體材料的改善在每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)對(duì) IC性能提升的貢獻(xiàn)度達(dá)近90%，該數(shù)字在2000年時(shí)僅15%。Chu在近日于美國(guó)舉行的Semicon West 展會(huì)上接受
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臺(tái)清華大學(xué)教授高頻調(diào)變LED技術(shù)獲國(guó)際認(rèn)可
臺(tái)灣清華大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系吳孟奇教授研究團(tuán)隊(duì)，利用氮化物材料特性，研發(fā)出高頻發(fā)光二極管(LED)，未來(lái)可應(yīng)用于可見(jiàn)光通訊與高解析度顯示屏等領(lǐng)域。臺(tái)灣清華電機(jī)系徐碩鴻教授研究團(tuán)隊(duì)同樣也利用氮化物材料，研發(fā)出可提
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工研院開(kāi)發(fā)IGZO TFT低溫制程，將赴日發(fā)表
工研院于12/3與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表雙方合作開(kāi)發(fā)、可應(yīng)用于未來(lái)軟性顯示器的半導(dǎo)體氧化物電晶體陣列技術(shù)（IGZO, In-Ga-Zn-OTFT），這項(xiàng)創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的IGZO TFT陣列技術(shù)系采≦200°C低溫制程，具備高撓曲特點(diǎn)，曲率
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五種降低未來(lái)IC功耗的技術(shù)
功耗過(guò)高已經(jīng)成為半導(dǎo)體制程尺寸進(jìn)一步微縮的主要障礙，并且嚴(yán)重威脅到所有電子領(lǐng)域的一切進(jìn)展──從推動(dòng)行動(dòng)設(shè)備更加微型化到開(kāi)發(fā)超級(jí)電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永恆不變的物理和化學(xué)原理，但工程師們已經(jīng)開(kāi)
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Sharp IGZO面板終獲市場(chǎng)青睞
IGZO面板大勢(shì)預(yù)估 Sharp最先進(jìn)的IGZO（氧化銦鎵鋅）面板已有客戶(hù)排隊(duì)訂購(gòu)，Sharp今年初曾透露難以找到買(mǎi)家。 附圖: 2008至2015年LTPS和IGZO高解析度背板的產(chǎn)量預(yù)估。資料來(lái)源：NPD Display Search 從2013年第1季起
