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采用英特爾14nm制程 Altera晶圓代工策略大調(diào)整
Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米叁閘極電晶體技術(shù)，制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路，以及電腦和儲存應(yīng)用解決方案;此舉不僅讓Altera成為率先采用14奈米制造現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)的業(yè)者，也意味著
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借力英特爾14nm制程 Altera啟動多代工廠策略
Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米三閘極電晶體技術(shù)，制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路，以及電腦和儲存應(yīng)用解決方案；此舉不僅讓Altera成為率先采用14奈米制造現(xiàn)場可編程閘
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借力英特爾14nm制程 Altera啟動多代工廠策略
Altera晶圓代工策略大轉(zhuǎn)彎。Altera于日前宣布將采用英特爾(Intel)的14奈米三閘極電晶體技術(shù)，制造下一代軍事、固網(wǎng)通訊、云端網(wǎng)路，以及電腦和儲存應(yīng)用解決方案；此舉不僅讓Altera成為率先采用14奈米制造現(xiàn)場可編程閘
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工研院整合日本大廠KANEKA軟性基板
工研院3日與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表，合作開發(fā)可應(yīng)用于未來軟性顯示器的半導(dǎo)體氧化物電晶體陣列技術(shù) (IGZO)，研究成果已獲第19屆全球顯示技術(shù)研討會 (IDW’12)入選論文殊榮，并受邀于12月4日研討會中發(fā)表。 工
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大尺寸面板產(chǎn)能 明年成長看弱
電子產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research預(yù)估，明年(2013年)全球9寸以上大尺寸面板產(chǎn)能成長幅度為3.4%，創(chuàng)下有史以來最低水準(zhǔn)。 DIGITIMES Research資深分析師兼副主任黃銘章指出，雖然明年大尺寸面板產(chǎn)能年增幅度最低
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國際/格羅方德推14奈米 追英特爾
中央社臺北30日報導(dǎo)，半導(dǎo)體代工廠格羅方德推出專為行動市場設(shè)計的14nm-XM，表示可加速客戶使用鰭式電晶體(FinFET)，且格羅方德掌握了許多14nm-XM專利，足以趕上英特爾在14奈米的進(jìn)程。 格羅方德(GLOBALFOUNDRIE
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3D FinFET電晶體 大幅減低電流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架構(gòu)
針對行動裝置市場，提供更細(xì)小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動裝置體積得以減少，以及延長電池續(xù)航行力，半導(dǎo)體廠商 GlobalFoundries 日前宣布將采用 14nm-XM 制程架構(gòu)，并首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (S
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格羅方德?lián)屖?優(yōu)化電晶體架構(gòu)
半導(dǎo)體晶圓代工大廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出14nm-XM技術(shù)，可提供 3D「鰭式場效記憶體」(FinFET)電晶體的效能及能源優(yōu)勢，是專為成長快速的行動市場所設(shè)計。 格羅方德透過資料發(fā)布表市，新的14nm-XM技術(shù)不僅
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全球最小半導(dǎo)體雷射 清大成功研發(fā)
臺灣又有領(lǐng)先世界的研究，清華大學(xué)物理系成功臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、傲視全球，國立清華大學(xué)、成功大學(xué)在半導(dǎo)體研究又有新的突破發(fā)現(xiàn)。研究團(tuán)隊成功研發(fā)出、全球最小的半導(dǎo)體雷射，運(yùn)算速度比傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射、快了將近10
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全球最小半導(dǎo)體雷射 臺研發(fā)運(yùn)算快千倍
臺灣行政院國家科學(xué)委員會30日召開記者會，公布成功研發(fā)全球最小半導(dǎo)體奈米雷射“新型雷射──電漿子奈米雷射（PlasmonicNanolaser）”，成功突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射受限于光學(xué)繞射的極限，操作速度可高過電晶體千倍以上
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全球最小半導(dǎo)體雷射 清大成功研發(fā)
臺灣又有領(lǐng)先世界的研究，清華大學(xué)物理系成功臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、傲視全球，國立清華大學(xué)、成功大學(xué)在半導(dǎo)體研究又有新的突破發(fā)現(xiàn)。研究團(tuán)隊成功研發(fā)出、全球最小的半導(dǎo)體雷射，運(yùn)算速度比傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射、快了將近10
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半導(dǎo)體新制程: 奈米碳管 (CNTs)
在持續(xù)不斷微小化的電子系統(tǒng)里, 能源效率是目前面臨的最大挑戰(zhàn), 而微小化就是主要推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的驅(qū)動力. “當(dāng)我們接近摩爾定律（Moore’s Law）的極限, 矽制程在追求微小化的未來終究是要被取代 ”Jeffrey Bokor
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解構(gòu)英特爾FinFET：fin更少、更像三角形
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實(shí)際上是幾乎呈現(xiàn)三角形的梯形。這顆被解剖的IC
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五種方法全面緩解芯片功耗問題
功耗過高已經(jīng)成為半導(dǎo)體制程尺寸進(jìn)一步微縮的主要障礙，并且嚴(yán)重威脅到所有電子領(lǐng)域的一切進(jìn)展──從推動行動設(shè)備更加微型化到開發(fā)超級電腦均包含在內(nèi)。雖然根本原因在于永恆不變的物理和化學(xué)原理，但工程師們已經(jīng)開
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用創(chuàng)新方法跨越1x-nm晶片微縮挑戰(zhàn)
隨著晶片制造邁向次20nm世代及10x-nm的更微小幾何尺寸，眼前橫亙的技術(shù)挑戰(zhàn)很可能導(dǎo)致這個產(chǎn)業(yè)的競爭態(tài)勢發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。不過，技術(shù)的演進(jìn)并不會只依循單一道路，面對重重挑戰(zhàn)時，往往會出現(xiàn)創(chuàng)新的解決方案。如Soitec
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英特爾挑戰(zhàn)ARM智慧手機(jī)市場主導(dǎo)地位
英特爾挑戰(zhàn)ARM智慧手機(jī)市場主導(dǎo)地位
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英特爾挑戰(zhàn)ARM智慧手機(jī)市場主導(dǎo)地位
英特爾挑戰(zhàn)ARM智慧手機(jī)市場主導(dǎo)地位
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傳石墨稀電晶體架構(gòu)的BYT-ON可能作為一代FPGA的基礎(chǔ)
位在波蘭Bytom的DigitalCoreDesign是全球知名的設(shè)計實(shí)驗(yàn)室，該機(jī)構(gòu)日前宣布，已經(jīng)開發(fā)出全球首款采用石墨稀(Graphene)制造的處理器──BYT-ON。2004年，人們首度發(fā)現(xiàn)石墨稀是一種碳同位素異構(gòu)體(allotropeofcarbon)。
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第三張訂單落袋英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)擴(kuò)大
英特爾(Intel)在晶圓代工市場的發(fā)展攻勢再起。繼可編程閘陣列(FPGA)供應(yīng)商Achronix和Tabula后，英特爾日前又成功取得第三張晶圓代工訂單，將為專門開發(fā)網(wǎng)路流量處理器(Network Flow Processor)的晶片商N(yùn)etronome生產(chǎn)
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OLED大突破：日本制造成本將降至1/10
日經(jīng)新聞26日報導(dǎo)，日本山形大學(xué)時任靜士等教授已成功研發(fā)出一套可藉由印刷的方式來制造OLED面板驅(qū)動元件(電晶體)的新技術(shù)。報導(dǎo)指出，藉由利用該新技術(shù)，則只要結(jié)合作為發(fā)光體的有機(jī)化合物和塑膠制面板，則OLED面板
