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ATMI捐200萬美元助超低功耗微電子技術(shù)研究和普及
ATMI 宣布提供200萬美元款項贈予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley);該公司執(zhí)行長Doug Neugold 在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動中，捐款給工程學(xué)院院長 S. Shankar Sastry ，以及電晶體技術(shù)先驅(qū)、現(xiàn)任電機與資
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ATMI捐款百萬美元資助超低功耗微電子技術(shù)研發(fā)
半導(dǎo)體材料供應(yīng)商ATMI宣布提供200萬美元款項贈予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UCBerkeley)；該公司執(zhí)行長DougNeugold在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動中，捐款給工程學(xué)院院長S.ShankarSastry，以及電晶體技術(shù)先驅(qū)、現(xiàn)任
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ATMI贊助加州大學(xué)伯克利分校2百萬美元用于移動設(shè)備研究
微電子材料解決方案供應(yīng)商ATMI, Inc.今日提供2 百萬美元款項贈予加州大學(xué)伯克利分校(UC Berkeley)。 ATMI首席執(zhí)行官Doug Neugold 在加州大學(xué)伯克利分校校園的公開活動中，贈款給工程學(xué)院院長S. Shankar Sastry 以及電
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ATMI捐百萬美元資助超低功耗微電子技術(shù)研發(fā)
半導(dǎo)體材料供應(yīng)商 ATMI 宣布提供 200萬美元款項贈予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley);該公司執(zhí)行長Doug Neugold 在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動中，捐款給工程學(xué)院院長 S. Shankar Sastry ，以及電晶體技術(shù)
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ATMI贊助加州大學(xué)柏克萊分校2百萬美元 協(xié)助推動移動設(shè)備效率尖端研究
捐款將支持胡正明教授超低功耗器件之研究工作2013 年5 月22 日— 丹伯里, 康乃狄克州—全球性科技公司及微電子產(chǎn)業(yè)先進材料解決方案供應(yīng)商ATMI, Inc. (NASDAQ-GS: ATMI)，今日提供2 百萬美元款項贈予加州大學(xué)柏克萊分
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FinFET挑戰(zhàn)與解決之道──客制、數(shù)位與Signoff
FinFET 技術(shù)的導(dǎo)入將是電子業(yè)界的一大進展；FinFET部署超越了平面電晶體在20nm所展現(xiàn)的基本效能與功耗特性，進而具體實現(xiàn)了制程轉(zhuǎn)移的價值。FinFET讓業(yè)界回到了正軌，然而，嶄新元件類型、193nm波長微影、以生產(chǎn)制造
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展規(guī)劃藍圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進制程，受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm，
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應(yīng)材：未來5年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷 比過去15年還多
臺灣應(yīng)用材料(Applied Material)26日在臺大舉辦2013應(yīng)用材料日，由應(yīng)材臺灣區(qū)總裁余定陸以「加速改變」為題，進一步闡述半導(dǎo)體、顯示器和太陽能產(chǎn)業(yè)未來的趨勢。余定陸指出，半導(dǎo)體的改變已經(jīng)發(fā)生，尤其未來行動裝置
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展藍圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進制程，受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm，
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展藍圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進制程，受惠于行動通訊產(chǎn)品如智慧型手機、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進制程技術(shù)熱潮。 GlobalFoundries目前主力制程為28奈
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特殊液晶材料再突破 華映透明顯示器明年上市
華映透明顯示器面板預(yù)計于2014年面市。繼三星(Samsung)、群創(chuàng)、友達等面板大廠后，華映也積極突破特殊液晶材料技術(shù)關(guān)卡，期加快透明顯示器面板導(dǎo)入量產(chǎn)的速度，并與其他面板大廠共同競逐透明顯示器市場商機。華映先端
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臺灣交大電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院奪得世界第一
臺灣之光再添一件!交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團隊研發(fā)出了一項只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsExp
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臺灣交大半導(dǎo)體新突破 奪世界第一
臺灣之光再添一件!交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團隊研發(fā)出了一項只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsExp
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臺灣交大半導(dǎo)體新突破 奪世界第一
臺灣之光再添一件！交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團隊研發(fā)出了一項只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsEx
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FinFET進展超前 臺積電不敢稍有松懈
盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進的制程技術(shù)。近期臺積電已經(jīng)對外宣示，其FinFET(鰭式場效電晶體)、極紫外光(EUV)等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進度，已
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FinFET進展超前 臺積電飆速甩三星
盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進的制程技術(shù)。近期臺積電已經(jīng)對外宣示，其FinFET（鰭式場效電晶體）、極紫外光（EUV）等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進度
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益華/臺積強化FinFET制程合作關(guān)系
益華電腦(Cadence Design Systems)宣布與臺積電簽署一份為期多年的協(xié)議，針對行動、網(wǎng)路架構(gòu)、伺服器與現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)應(yīng)用軟體的先進制程設(shè)計，開發(fā)16奈米鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)專屬設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)。這項深度
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專家：FinFET具發(fā)展?jié)摿Φ渤錆M風(fēng)險
在新思科技(Synopsys)于美國矽谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機尚未達到。 來自晶圓代工業(yè)者 Globalfoundries 的技術(shù)主管
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16nm/14nm FinFET：開辟電子技術(shù)新疆界
FinFET技術(shù)是電子業(yè)界的新一代先進技術(shù)，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更顯著的功耗和效能優(yōu)勢，遠(yuǎn)勝過傳統(tǒng)平面型電晶體。Intel已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三閘極(tri-gate)”的FinFET技術(shù)，同時許多晶圓廠也正在
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卡位10奈米世代 臺積、漢辰搶布新制程/設(shè)備
臺積電與漢辰正積極研發(fā)新制程與設(shè)備技術(shù)。由于半導(dǎo)體進入10奈米制程世代后，電晶體的微縮將面臨物理極限，亟需新的材料、制程與設(shè)備加以克服；因此臺積電與漢辰皆已針對未來可望取代矽的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)
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