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ATMI捐200萬美元助超低功耗微電子技術(shù)研究和普及
ATMI 宣布提供200萬美元款項(xiàng)贈(zèng)予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Doug Neugold 在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動(dòng)中，捐款給工程學(xué)院院長(zhǎng) S. Shankar Sastry ，以及電晶體技術(shù)先驅(qū)、現(xiàn)任電機(jī)與資
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ATMI捐款百萬美元資助超低功耗微電子技術(shù)研發(fā)
半導(dǎo)體材料供應(yīng)商ATMI宣布提供200萬美元款項(xiàng)贈(zèng)予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UCBerkeley)；該公司執(zhí)行長(zhǎng)DougNeugold在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動(dòng)中，捐款給工程學(xué)院院長(zhǎng)S.ShankarSastry，以及電晶體技術(shù)先驅(qū)、現(xiàn)任
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ATMI贊助加州大學(xué)伯克利分校2百萬美元用于移動(dòng)設(shè)備研究
微電子材料解決方案供應(yīng)商ATMI, Inc.今日提供2 百萬美元款項(xiàng)贈(zèng)予加州大學(xué)伯克利分校(UC Berkeley)。 ATMI首席執(zhí)行官Doug Neugold 在加州大學(xué)伯克利分校校園的公開活動(dòng)中，贈(zèng)款給工程學(xué)院院長(zhǎng)S. Shankar Sastry 以及電
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ATMI捐百萬美元資助超低功耗微電子技術(shù)研發(fā)
半導(dǎo)體材料供應(yīng)商 ATMI 宣布提供 200萬美元款項(xiàng)贈(zèng)予美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Doug Neugold 在加州大學(xué)柏克萊分校校園的公開活動(dòng)中，捐款給工程學(xué)院院長(zhǎng) S. Shankar Sastry ，以及電晶體技術(shù)
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ATMI贊助加州大學(xué)柏克萊分校2百萬美元 協(xié)助推動(dòng)移動(dòng)設(shè)備效率尖端研究
捐款將支持胡正明教授超低功耗器件之研究工作2013 年5 月22 日— 丹伯里, 康乃狄克州—全球性科技公司及微電子產(chǎn)業(yè)先進(jìn)材料解決方案供應(yīng)商ATMI, Inc. (NASDAQ-GS: ATMI)，今日提供2 百萬美元款項(xiàng)贈(zèng)予加州大學(xué)柏克萊分
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FinFET挑戰(zhàn)與解決之道──客制、數(shù)位與Signoff
FinFET 技術(shù)的導(dǎo)入將是電子業(yè)界的一大進(jìn)展；FinFET部署超越了平面電晶體在20nm所展現(xiàn)的基本效能與功耗特性，進(jìn)而具體實(shí)現(xiàn)了制程轉(zhuǎn)移的價(jià)值。FinFET讓業(yè)界回到了正軌，然而，嶄新元件類型、193nm波長(zhǎng)微影、以生產(chǎn)制造
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展規(guī)劃藍(lán)圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進(jìn)制程，受惠于行動(dòng)通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm，
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應(yīng)材：未來5年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變遷 比過去15年還多
臺(tái)灣應(yīng)用材料(Applied Material)26日在臺(tái)大舉辦2013應(yīng)用材料日，由應(yīng)材臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸以「加速改變」為題，進(jìn)一步闡述半導(dǎo)體、顯示器和太陽能產(chǎn)業(yè)未來的趨勢(shì)。余定陸指出，半導(dǎo)體的改變已經(jīng)發(fā)生，尤其未來行動(dòng)裝置
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進(jìn)制程，受惠于行動(dòng)通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。GlobalFoundries目前主力制程為28nm，
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GlobalFoundries技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖
晶圓代工廠GlobalFoundries近3年來投資達(dá)百億美元，2013年占45億美元，主要都是用在先進(jìn)制程，受惠于行動(dòng)通訊產(chǎn)品如智慧型手機(jī)、平板電腦等裝置掀起全球新一波先進(jìn)制程技術(shù)熱潮。 GlobalFoundries目前主力制程為28奈
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特殊液晶材料再突破 華映透明顯示器明年上市
華映透明顯示器面板預(yù)計(jì)于2014年面市。繼三星(Samsung)、群創(chuàng)、友達(dá)等面板大廠后，華映也積極突破特殊液晶材料技術(shù)關(guān)卡，期加快透明顯示器面板導(dǎo)入量產(chǎn)的速度，并與其他面板大廠共同競(jìng)逐透明顯示器市場(chǎng)商機(jī)。華映先端
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臺(tái)灣交大電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院奪得世界第一
臺(tái)灣之光再添一件!交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長(zhǎng)張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一項(xiàng)只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsExp
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臺(tái)灣交大半導(dǎo)體新突破 奪世界第一
臺(tái)灣之光再添一件!交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長(zhǎng)張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一項(xiàng)只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsExp
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臺(tái)灣交大半導(dǎo)體新突破 奪世界第一
臺(tái)灣之光再添一件！交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長(zhǎng)張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一項(xiàng)只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsEx
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FinFET進(jìn)展超前 臺(tái)積電不敢稍有松懈
盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺(tái)積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進(jìn)的制程技術(shù)。近期臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)外宣示，其FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)、極紫外光(EUV)等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度，已
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FinFET進(jìn)展超前 臺(tái)積電飆速甩三星
盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺(tái)積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進(jìn)的制程技術(shù)。近期臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)外宣示，其FinFET（鰭式場(chǎng)效電晶體）、極紫外光（EUV）等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度
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益華/臺(tái)積強(qiáng)化FinFET制程合作關(guān)系
益華電腦(Cadence Design Systems)宣布與臺(tái)積電簽署一份為期多年的協(xié)議，針對(duì)行動(dòng)、網(wǎng)路架構(gòu)、伺服器與現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)應(yīng)用軟體的先進(jìn)制程設(shè)計(jì)，開發(fā)16奈米鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)專屬設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)。這項(xiàng)深度
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專家：FinFET具發(fā)展?jié)摿Φ渤錆M風(fēng)險(xiǎn)
在新思科技(Synopsys)于美國矽谷舉行年度使用者大會(huì)上，參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。 來自晶圓代工業(yè)者 Globalfoundries 的技術(shù)主管
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16nm/14nm FinFET：開辟電子技術(shù)新疆界
FinFET技術(shù)是電子業(yè)界的新一代先進(jìn)技術(shù)，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更顯著的功耗和效能優(yōu)勢(shì)，遠(yuǎn)勝過傳統(tǒng)平面型電晶體。Intel已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三閘極(tri-gate)”的FinFET技術(shù)，同時(shí)許多晶圓廠也正在
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卡位10奈米世代 臺(tái)積、漢辰搶布新制程/設(shè)備
臺(tái)積電與漢辰正積極研發(fā)新制程與設(shè)備技術(shù)。由于半導(dǎo)體進(jìn)入10奈米制程世代后，電晶體的微縮將面臨物理極限，亟需新的材料、制程與設(shè)備加以克服；因此臺(tái)積電與漢辰皆已針對(duì)未來可望取代矽的鍺和三五族元素，分別投入發(fā)
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