1 概述PHILIPS 51LPC系列單片機(jī)目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七個(gè)型號。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振蕩方式,可編程選擇;具有較寬的操作電壓范圍2.7~6.0V,可編程I/O口線輸出模式選擇,可選擇施密特觸發(fā)輸
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
如圖所示的是金星兩片機(jī)電源電路圖,該電源也稱X53P電源或X56P電源,在國產(chǎn)的各種型號、各種尺寸的彩電中有著廣泛的應(yīng)用,區(qū)別在于各型號的彩電上所標(biāo)的電路位號有所不同,但電路程式是完全一樣的,以金星C498為例,
1 概述PHILIPS 51LPC系列單片機(jī)目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七個(gè)型號。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振蕩方式,可編程選擇;具有較寬的操作電壓范圍2.7~6.0V,可編程I/O口線輸出模式選擇,可選擇施密特觸發(fā)輸
1變壓器負(fù)荷不平衡對系統(tǒng)的影響1.1增加線損配電變壓器三相負(fù)荷不平衡時(shí),線損增加表現(xiàn)在兩部分:一是增加配電變壓器損耗;二是增加線路損耗。1.2降低變壓器的利用率,威脅安全運(yùn)行配電變壓器的額定容量是按每相繞組設(shè)
現(xiàn)象一:這板子的PCB設(shè)計(jì)要求不高,就用細(xì)一點(diǎn)的線,自動布吧點(diǎn)評:自動布線必然要占用更大的PCB面積,同時(shí)產(chǎn)生比手動布線多好多倍的過孔,在批量很大的產(chǎn)品中,PCB廠家降價(jià)所考慮的因素除了商務(wù)因素外,就是線寬和過
方案特點(diǎn):* 性能穩(wěn)定、成本低* 功能全面(電壓、電流、功率、頻率、有功、無功、實(shí)在功率、功率因素)方案簡介該解決方案采用德州儀器MSP430AFE253IPW,帶3路sigma-delt 24Bit ADC,通訊接口可采用SPI或UART,可精確計(jì)
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
1 概述PHILIPS 51LPC系列單片機(jī)目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七個(gè)型號。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振蕩方式,可編程選擇;具有較寬的操作電壓范圍2.7~6.0V,可編程I/O口線輸出模式選擇,可選擇施密特觸發(fā)輸
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
日經(jīng)新聞2日報(bào)導(dǎo),東京大學(xué)荒川泰彥教授與田邊克明副教授等人已研發(fā)出一套基礎(chǔ)技術(shù),可將PC關(guān)鍵零件「LSI(大規(guī)模積體電路)」的耗電力降至現(xiàn)行的約1/100,之后并計(jì)劃于5年內(nèi)完成試作品。據(jù)報(bào)導(dǎo),關(guān)于上述LSI的技術(shù)細(xì)節(jié)
如圖所示的是金星兩片機(jī)電源電路圖,該電源也稱X53P電源或X56P電源,在國產(chǎn)的各種型號、各種尺寸的彩電中有著廣泛的應(yīng)用,區(qū)別在于各型號的彩電上所標(biāo)的電路位號有所不同,但電路程式是完全一樣的,以金星C498為例,
1 概述PHILIPS 51LPC系列單片機(jī)目前已包括P87LPC760/1/2/4/7/8/9共七個(gè)型號。51LPC提供高速和低速的晶振和RC振蕩方式,可編程選擇;具有較寬的操作電壓范圍2.7~6.0V,可編程I/O口線輸出模式選擇,可選擇施密特觸發(fā)輸
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
制作一個(gè)高質(zhì)量的電荷放大器確實(shí)非常困難,首先要選取最合適的芯片,為什么一般的運(yùn)放不適合做電荷放大器呢?因?yàn)殡姾煞糯笃鞯姆答侂娮璺浅4?,通常?50M歐姆以上,如果要制作頻帶響應(yīng)非常好的電荷放大器,則反饋電阻
由于數(shù)字電路是利用上升沿/下降沿很短的脈沖信號,所以會向外部放出包括高頻成分的多余電磁波(噪聲),而且對外部來的電磁波(噪聲)敏感地響應(yīng),造成誤動作。另外在電路內(nèi)部也存在線間產(chǎn)生交調(diào)失真、數(shù)字器件的通/斷時(shí)
“木林森MLS(光源世家)與飛利浦Lumileds此次的戰(zhàn)略合作,其實(shí)已經(jīng)代表了LED行業(yè)高度聚合的一種大方向因?yàn)?,這是從上游LED芯片商(Lumileds)到中游封裝制造(木林森全球光源基地)再到下游品牌商(MLS)整條產(chǎn)業(yè)鏈的徹
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上