www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

電流

我要報(bào)錯(cuò)
科學(xué)上把單位時(shí)間里通過導(dǎo)體任一橫截面的電量叫做電流強(qiáng)度,簡稱電流。通常用字母 I表示,它的單位是安培(安德烈·瑪麗·安培,1775年—1836年,法國物理學(xué)家、化學(xué)家,在電磁作用方面的研究成就卓著,對(duì)數(shù)學(xué)和物理也有貢獻(xiàn)。電流的國際單位安培即以其姓氏命名),簡稱“安”,符號(hào) “A”,也是指電荷在導(dǎo)體中的定向移動(dòng)。導(dǎo)體中的自由電荷在電場力的作用下做有規(guī)則的定向運(yùn)動(dòng)就形成了 電流。電源的電動(dòng)勢形成了電壓,繼而產(chǎn)生了電場力,在電場力的作用下,處于電微安(μA)1A=1 000mA=1 000 000μA,電學(xué)上規(guī)定:正電荷定向流動(dòng)的方向?yàn)殡娏鞣较?。金屬?dǎo)體中電流微觀表達(dá)式I=nesv,n為單位體積內(nèi)自由電子數(shù),e為電子的電荷量,s為導(dǎo)體橫截面積,v為電荷速度。大自然有很多種承載電荷的載子,例如,導(dǎo)電體內(nèi)可移動(dòng)的電子、電解液內(nèi)的離子、等離子體內(nèi)的電子和離子、強(qiáng)子內(nèi)的夸克。這些載子的移動(dòng),形成了電流。
  • 輸電線路電壓/電流的計(jì)算機(jī)保護(hù)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    輸電線路電流保護(hù)和電壓保護(hù)分別作為電力系統(tǒng)保護(hù)原理和手段之一,是十分重要的保護(hù)類型。該設(shè)計(jì)分別對(duì)電力線路的過壓、欠壓以及過流進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測與控制。同時(shí)采用相間短路的電流/電壓保護(hù)和接地短路的零序電流/電壓保護(hù)。這里利用計(jì)算機(jī)的高速處理能力性能,達(dá)到了對(duì)輸電線路進(jìn)行復(fù)雜多方式監(jiān)測,復(fù)雜多方式控制與保護(hù)的目的。

  • 76V APD偏置和電流監(jiān)測IC(Maxim)

    Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級(jí)和電流監(jiān)測IC DS1842。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝設(shè)計(jì),集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡,用于監(jiān)測APD電流。該器件還包含一個(gè)FET開關(guān),可與外部DC-DC控制器配

    電源
    2009-11-22
    IC PD MAXIM 電流
  • 基于0.5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

    針對(duì)DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進(jìn)的欠壓鎖存電路。所設(shè)計(jì)的電路在不使用額外的帶隙基準(zhǔn)電壓源作為比較基準(zhǔn)的情況下,實(shí)現(xiàn)了閾值點(diǎn)電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個(gè)電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計(jì),使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點(diǎn)。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中,上述理論并不成立,因此在實(shí)際的應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生一些問題,本文將詳細(xì)地論述這些問題,以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在

  • 美科學(xué)家已研制出半導(dǎo)體芯片硅替代品

    據(jù)國外媒體報(bào)道,美國科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(

  • 基于DP標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)頻時(shí)鐘發(fā)生器系統(tǒng)參數(shù)研究

    1 引言 DP(DisplayPort)接口標(biāo)準(zhǔn)旨在尋求代替計(jì)算機(jī)的數(shù)字視頻接口DVI(Digital Visual Interface)、LCD顯示器的低壓差分信號(hào)LVDS(Low Voltage Differential Signal),作為設(shè)備間和設(shè)備內(nèi)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并在若干領(lǐng)

  • MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究

    1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性,可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問題,關(guān)于此問題,

  • 即將普及的碳化硅器件

    隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。據(jù)統(tǒng)計(jì),60%至70%的電能是在低能耗系

  • 便于現(xiàn)場使用的鉗形電流表3291-50和3293-50

    生產(chǎn)商:日置電機(jī)株式會(huì)社 HIOKI 產(chǎn)品說明: 3291-50和3293-50是繼3291&3293之后的升級(jí)版折疊式鉗表。 產(chǎn)品特點(diǎn):在狹小的地方也能測量、真有效值RMS測量、可翻轉(zhuǎn)設(shè)計(jì),測量值便于讀取、白色LED背光可在暗處

  • 便于現(xiàn)場使用的鉗形電流表3291-50和3293-50

    生產(chǎn)商:日置電機(jī)株式會(huì)社 HIOKI 產(chǎn)品說明: 3291-50和3293-50是繼3291&3293之后的升級(jí)版折疊式鉗表。 產(chǎn)品特點(diǎn):在狹小的地方也能測量、真有效值RMS測量、可翻轉(zhuǎn)設(shè)計(jì),測量值便于讀取、白色LED背光可在暗處

  • PCM才是閃存之后真正的下一代存儲(chǔ)器技術(shù)

    目前市場上的存儲(chǔ)器種類非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)和新興的磁性存儲(chǔ)器(MRAM),那么MRAM會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器嗎?有沒有可能未來市場上下一