通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立,而在
據(jù)國外媒體報道,美國科學家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導體芯片的導電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(
1 引言 DP(DisplayPort)接口標準旨在尋求代替計算機的數(shù)字視頻接口DVI(Digital Visual Interface)、LCD顯示器的低壓差分信號LVDS(Low Voltage Differential Signal),作為設(shè)備間和設(shè)備內(nèi)的工業(yè)標準,并在若干領(lǐng)
1 引言 MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題,關(guān)于此問題,
隨綠色經(jīng)濟的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系
生產(chǎn)商:日置電機株式會社 HIOKI 產(chǎn)品說明: 3291-50和3293-50是繼3291&3293之后的升級版折疊式鉗表。 產(chǎn)品特點:在狹小的地方也能測量、真有效值RMS測量、可翻轉(zhuǎn)設(shè)計,測量值便于讀取、白色LED背光可在暗處
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目前市場上的存儲器種類非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器(FeRAM)和新興的磁性存儲器(MRAM),那么MRAM會成為下一代存儲器嗎?有沒有可能未來市場上下一
Maxim推出帶有跟蹤控制的低成本、4通道、吸入/源出電流DAC DS4426。該器件是由I²C總線控制的7位電流型DAC,具有4個輸出通道,專為電源裕量控制和調(diào)節(jié)而設(shè)計。其中的3個DAC輸出通道帶有額外的電路,提供電源排序
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Maxim推出帶有跟蹤控制的低成本、4通道、吸入/源出電流DAC DS4426。該器件是由I²C總線控制的7位電流型DAC,具有4個輸出通道,專為電源裕量控制和調(diào)節(jié)而設(shè)計。其中的3個DAC輸出通道帶有額外的電路,提供電源排序
關(guān)鍵字: 測量 寬量程 HIOKI 日置功率計 隨著國家“十一五”規(guī)劃明確提出了節(jié)能降耗和主要污染物減排的目標,節(jié)能已日益成為國際社會最關(guān)注的熱門話題之一。國家能源署“1瓦計劃”的提出,迅速成為發(fā)達國家采取能源