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三星挑戰(zhàn)英特爾，出招“小試牛刀”
近日，據(jù)外媒報(bào)道，市場(chǎng)分析公司野村證券(Nomura)稱(chēng)，三星電子今年第二季度的芯片銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)為151億美元，高于英特爾144億美元的預(yù)估銷(xiāo)售額，成為全球第一大芯片制造商。越過(guò)數(shù)字的表面，這不是一次簡(jiǎn)單的超越，意味著，英特爾自1993年以來(lái)長(zhǎng)達(dá)24年之久的霸主地位被首次撼動(dòng)。
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魅藍(lán)若獨(dú)立 聯(lián)發(fā)科還會(huì)是魅族首選嗎？
商業(yè)合作的前提是雙方可以實(shí)現(xiàn)利益疊加，通過(guò)產(chǎn)品升級(jí)將一些難以發(fā)揮出來(lái)的效果通過(guò)與友商的合作來(lái)提升品牌價(jià)值，實(shí)現(xiàn)雙贏。而魅族即便是在與高通發(fā)生訴訟并失敗后，依然沒(méi)有放棄聯(lián)發(fā)科，到底是什么導(dǎo)致了魅族如此偏袒MTK芯片?
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電池管理系統(tǒng)故障分析方法及案例
電池管理系統(tǒng)(BATTERY MANAGEMENT SYSTEM)，俗稱(chēng)電池保姆或電池管家，是連接車(chē)載動(dòng)力電池和的重要紐帶，其主要功能包括：電池物理參數(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);電池狀態(tài)估計(jì);在線(xiàn)診斷與預(yù)警
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解讀ERP指令對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)要求
1、ERP能效指令及實(shí)施措施(1194/2012)概述2009年10月21日，歐盟頒布了《能源相關(guān)產(chǎn)品的生態(tài)設(shè)計(jì)要求的框架》(2009 /125 /EC)，來(lái)取代舊版 2005 /32 /EC 指令，從而將產(chǎn)品范
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單片機(jī)直流開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
直流穩(wěn)壓電源已廣泛地應(yīng)用于許多工業(yè)領(lǐng)域中。在工業(yè)生產(chǎn)中(如電焊、電鍍或直流電機(jī)的調(diào)速等)，需要用到大量的電壓可調(diào)的直流電源，他們一般都要求有可以方便的調(diào)節(jié)電壓輸出
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MCU單片機(jī)并行通訊的原理參考
1. 問(wèn)題的提出某系統(tǒng)中使用了三路串行接口的傳感器(GPS、壓力和風(fēng)向)及三路模擬電流(4～20mA)接口的傳感器(濕度、溫度和水位)?，F(xiàn)需要將這些數(shù)據(jù)匯總后通過(guò)串口上傳給PC機(jī)，
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pic單片機(jī)紅外夜視儀設(shè)計(jì)
隨著汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展和安防意識(shí)的日益強(qiáng)化，人們對(duì)汽車(chē)安全保障技術(shù)的要求越來(lái)越高，而現(xiàn)有汽車(chē)照明系統(tǒng)在雪夜、雪天或大霧等能見(jiàn)度較低情況下視距不遠(yuǎn)、效果不佳的弊病
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單片機(jī)的串口通訊源代碼
通信協(xié)議： 第1字節(jié)，MSB為1，為第1字節(jié)標(biāo)志，第2字節(jié)，MSB為0，為非第一字節(jié)標(biāo)志，其余類(lèi)推……，最后一個(gè)字節(jié)為前幾個(gè)字節(jié)后7位的異或校驗(yàn)和。測(cè)試方法：可以
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大革命
LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅組件高出一大截，但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。 這些新一代組件的商品化，為電力電子產(chǎn)業(yè)打開(kāi)了全新的應(yīng)用可能性。
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三菱電機(jī)投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)擴(kuò)大碳化硅功率器件產(chǎn)量
三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)執(zhí)行官Gourab Majumdar博士日前表示，為了提高三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲透率，公司已經(jīng)開(kāi)始投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)擴(kuò)產(chǎn)，再配合創(chuàng)新技術(shù)向市場(chǎng)推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)品。
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艾邁斯推出專(zhuān)為CT掃描儀的專(zhuān)用電流-數(shù)字轉(zhuǎn)換器
AS5900是一款用于光電二極管陣列的26比特、128通道電流輸入模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，在噪音、分辨率、線(xiàn)性、速度和功耗方面具備世界一流性能
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產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。
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SPWM與SVPWM的原理、算法以及兩者的區(qū)別
所謂SPWM，就是在PWM的基礎(chǔ)上改變了調(diào)制脈沖方式，脈沖寬度時(shí)間占空比按正弦規(guī)律排列，這樣輸出波形經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)臑V波可以做到正弦波輸出。它廣泛地用于直流交流逆變器等，比如
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萬(wàn)用表如何測(cè)量二極管？
1、二極管的特性二極管的英文是diode。二極管的正。負(fù)二個(gè)端子，(如圖1)正端A稱(chēng)為陽(yáng)極，負(fù)端B稱(chēng)為陰極。電流只能從陽(yáng)極向陰極方向移動(dòng)。 2、如何用萬(wàn)用表測(cè)量二極管的正負(fù)
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一文了解MEMS晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)屬于21 世紀(jì)前沿技術(shù)，是對(duì)MEMS加速度計(jì)、MEMS 陀螺儀及慣性導(dǎo)航系統(tǒng)的總稱(chēng)。MEMS 器件特征尺寸從毫米、微米甚至到納米量級(jí)，涉及機(jī)械、電子、化學(xué)、物理、
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簡(jiǎn)析芯片反向設(shè)計(jì)流程
什么是芯片反向設(shè)計(jì)?反向設(shè)計(jì)其實(shí)就是芯片反向設(shè)計(jì)?，它是通過(guò)對(duì)芯片內(nèi)部電路的提取與分析、整理，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片技術(shù)原理、設(shè)計(jì)思路、工藝制造、結(jié)構(gòu)機(jī)制等方面的深入洞悉，可
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LED散熱核心之爭(zhēng)：鋁基板和陶瓷基板誰(shuí)的散熱性能更優(yōu)良？
5月3日，德國(guó)照明大廠(chǎng)歐司朗發(fā)布2017財(cái)年第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告，2017年1-3月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.5億歐元(折合人民幣78.97億元)，比上年同期增長(zhǎng)約為10%。在半導(dǎo)體照明飛速發(fā)展的今天，L
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納米尺度下：LED、激光LD與量子點(diǎn)應(yīng)用
定義：不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義，泛指尺寸小于100nm(納米)的材料，而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱(chēng)為「納米科技(Nanotechnology)」。納
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多個(gè)傳感器間相互位置關(guān)系校準(zhǔn)方法
創(chuàng)意無(wú)極限，儀表大發(fā)明。今天為大家介紹一項(xiàng)國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利——多個(gè)傳感器間相互位置關(guān)系校準(zhǔn)方法。該專(zhuān)利由上海微電子裝備有限公司申請(qǐng)，并于2017年6月27日獲
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三維鰭式GaN高線(xiàn)性微波功率器件技術(shù)獲重要突破
中國(guó)電科(CETC)第五十五研究所(NEDI)微信公眾號(hào)4月12日?qǐng)?bào)道，該所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張凱博士發(fā)表在國(guó)際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的論文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三維鰭式GaN高線(xiàn)性微波功率器件》被國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)著名雜志《Semiconductor Today》進(jìn)行專(zhuān)欄報(bào)道，受到國(guó)內(nèi)外業(yè)界關(guān)注。
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