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美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石
美光科技表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi
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英特爾和美光發(fā)布20nm工藝的128Gbit MLC NAND閃存
通過20nm工藝，在單枚芯片上實(shí)現(xiàn)128Gbit。 美國英特爾和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）發(fā)布了通過20nm級(jí)工藝技術(shù)制造的128Gbit MLC（2bit/單元）NAND閃存。美光科技NAND解決方案部門
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ADI戰(zhàn)術(shù)級(jí)MEMS陀螺儀性能媲美光纖式
美商亞德諾(ADI)日前發(fā)表ADIS 16136戰(zhàn)術(shù)等級(jí)iSensor數(shù)位微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)陀螺儀，該元件在其火柴盒大小的模組當(dāng)中能夠提供3.5o/hr的典型偏壓穩(wěn)定度，且只消耗 低于1瓦特的功率，重量則只有25公克，相較于成本更高的
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推手助力 我國光伏企業(yè)將進(jìn)軍北美市場(chǎng)
2011年12月2日，全球領(lǐng)先的測(cè)試認(rèn)證機(jī)構(gòu)CSA在上海召開了光伏產(chǎn)品出口北美認(rèn)證研討會(huì)，來自CSA北美和中國的專家向國內(nèi)的光伏設(shè)備制造商詳細(xì)介紹了北美市場(chǎng)的政策、法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)和消費(fèi)者偏好，為中國光伏企業(yè)拓展北美市場(chǎng)
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英特爾和美光推出20nm 128Gb多層單元NAND閃存
21ic訊 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元（MLC）NAND設(shè)備，在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域樹立了新的標(biāo)桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方在NAND制程
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光（Micron）的混合式記憶體立方體（HybridMemoryCube）在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔（through-siliconvias;TSVs）所打造的第一顆芯片。硅
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制
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IBM幫助美光生產(chǎn)采用3D制程的商用芯片
12月5日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，IBM和美光公司近日宣布，美光公司將開始生產(chǎn)一款新的存儲(chǔ)芯片—采用3D制程的商用芯片。這一芯片將使用IBM的3D芯片制程硅穿孔芯片制造技術(shù)(through-silicon vias; TSVs)。 IBM在一
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制
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第四季北美光伏市場(chǎng)預(yù)計(jì)較去年同期翻倍
根據(jù)NPD Solarbuzz最新發(fā)布的北美光伏市場(chǎng)季度報(bào)告指出，北美光伏市場(chǎng)正處在十字路口，面臨著公用事業(yè)項(xiàng)目的強(qiáng)勁需求，分布式發(fā)電應(yīng)用補(bǔ)貼的下滑，光伏組件的供應(yīng)過剩，以及顯著的政策不確定性。NPD Solarbuzz總經(jīng)理
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北美光伏市場(chǎng)將面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
最新研究結(jié)果顯示，2011年北美光伏市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2010年基礎(chǔ)上增長101%，截止年底光伏裝機(jī)容量需求將達(dá)2.2GW。然而，由于刺激減弱，光伏組件供過于求等因素，其市場(chǎng)正處于十字路口，明年將會(huì)面臨更多挑戰(zhàn)。國際光伏研究機(jī)
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。 美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制
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Sony與美光共同研發(fā)下一代非揮發(fā)性記憶體
據(jù)LED環(huán)球在線，Sony副社長吉岡浩于28日接受采訪時(shí)證實(shí)，Sony正攜手美國半導(dǎo)體大廠美光(MicronTechnologyInc.)共同研發(fā)下一代非揮發(fā)性記憶體。報(bào)導(dǎo)指出，吉岡浩未就次世代記憶體的細(xì)節(jié)多作說明，僅表示雙方計(jì)劃于3-4
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Sony與美光共同研發(fā)下一代非揮發(fā)性記憶體
據(jù)悉，Sony副社長吉岡浩于28日接受采訪時(shí)證實(shí)，Sony正攜手美國半導(dǎo)體大廠美光(MicronTechnologyInc.)共同研發(fā)下一代非揮發(fā)性記憶體。報(bào)導(dǎo)指出，吉岡浩未就次世代記憶體的細(xì)節(jié)多作說明，僅表示雙方計(jì)劃于3-4年后商用化
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蘭巴斯告美光操縱DRAM價(jià)導(dǎo)致其股價(jià)暴跌
蘭巴斯公司（Rambus）指控美光（Micron）與海力士（Hynix）共謀阻止其記憶芯片成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的官司失利，16日股價(jià)一度暴跌78%。蘭巴斯指稱美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法，串通操縱DRAM價(jià)格，但舊金山的
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內(nèi)存晴雨表:三星與美光在DRAM市場(chǎng)低迷之際表現(xiàn)出色
三星份額進(jìn)一步接近50%；整體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入下降16%據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)簡報(bào)，DRAM市場(chǎng)第三季度形勢(shì)困難，但幾家廠商和表現(xiàn)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)整體水平，占市場(chǎng)營業(yè)收入的份額略有增長，尤其是韓國三星電子和美國美光?？?/p>
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Rambus起訴美光和海力士失敗股價(jià)大跌近2/3
北京時(shí)間11月17日早間消息，美國一家法院周三判決Rambus在與美光和海力士的反壟斷訴訟中敗訴。這一判決導(dǎo)致Rambus股價(jià)周三下跌近2/3。Rambus此前對(duì)美光和海力士提起反壟斷訴訟，索賠40億美元。在周三法庭做出判決后，
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Rambus起訴美光和海力士失敗股價(jià)大跌近三分之二
美國一家法院周三判決Rambus在與美光和海力士的反壟斷訴訟中敗訴。這一判決導(dǎo)致Rambus股價(jià)周三下跌近2/3。Rambus此前對(duì)美光和海力士提起反壟斷訴訟，索賠40億美元。在周三法庭做出判決后，Rambus股價(jià)一度大跌80%，至
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2011年北美光伏市場(chǎng)預(yù)計(jì)勁增200%
據(jù)IHS iSuppli公司的北美光伏市場(chǎng)報(bào)告，美國加州的許多太陽能項(xiàng)目經(jīng)過多年開發(fā)之后終于投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2011年北美的光伏(PV)太陽能系統(tǒng)安裝容量將大增200%。今年北美新安裝的PV容量預(yù)計(jì)將達(dá)3.5GW，是2010年1.2GW的三倍。其
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