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全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011第四季營收64.5億美元
集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查顯示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011年第四季營收為64.5億美元，較第三季營收衰退約1.7%，表現(xiàn)持平。雖然第四季合約價格較上季跌幅高達約25%，如一線DRAM大廠早已將標準型D
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美光新總裁稱內(nèi)存價格或已見底
雖然內(nèi)存價格暴跌已經(jīng)導致該行業(yè)四大企業(yè)中的三家出現(xiàn)虧損，但美光科技總裁馬克·亞當斯(Mark Adams)周五表示，電腦內(nèi)存價格很可能已經(jīng)見底。作為全美唯一一家DRAM存儲芯片廠商，美光科技去年12月發(fā)布的業(yè)績顯示，由
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美光正式任命總裁兼COO馬克·德肯任新CEO
內(nèi)存芯片制造商美光科技董事會周六正式任命公司總裁兼首席運營官馬克·德肯（Mark Durcan）擔任首席執(zhí)行官，接替周五意外去世的史蒂夫·阿普爾頓（Steve Appleton）?！ ∶拦舛麻L兼首席執(zhí)行官史蒂
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傳中芯國際入資爾必達 擬買部分設備
繼美光之后，日本新聞網(wǎng)指出，爾必達正與中國最大晶圓代工廠中芯國際洽談入資事宜，初步協(xié)議中芯國際將向爾必達出資，而爾必達會把一部分設備賣給中芯國際。 由于中芯國際已淡出記憶體代工事業(yè)三年，這次傳聞
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中芯國際擬買爾必達設備
繼美光之后，日本新聞網(wǎng)指出，爾必達正與中國最大晶圓代工廠中芯國際洽談入資事宜，初步協(xié)議中芯國際將向爾必達出資，而爾必達會把一部分設備賣給中芯國際。 由于中芯國際已淡出記憶體代工事業(yè)三年，這次傳聞一
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固態(tài)存儲大幅回升 美光重金收Virtensys
固態(tài)硬盤，閃存和隨機存儲供應商美光科技打算收購PCIe接口設備銷售商Virtensys。Virtensys的VIO 4000產(chǎn)品通過標準PCIe線連接到服務器，能使一組服務器共享NIC網(wǎng)卡，HBA卡，直連式磁盤和支持PCIe連接的固態(tài)硬盤等PCIe
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專家分析中美光伏“雙反”初裁
1日，美國商務部在聯(lián)邦紀事上發(fā)布公告，再次推遲對華太陽能電池（板）雙反案的初裁判決。專家認為，初裁延期只是一種貿(mào)易制裁手段，征稅將降低中國光伏企業(yè)競爭力。美商務部稱，為防止難以補救的損害，決定將在2012年
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中美光伏“雙反”事件再升級 “90天”或重擊中企
自美國商務部就中國輸美太陽能光伏電池(板)發(fā)起“反傾銷、反補貼”案(以下簡稱“雙反”)正式立案后，該案又有進一步的進展。因為去年10月~12月期間，中國光伏企業(yè)出口美國的太陽能光伏電池數(shù)量和
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美光傳砸150億 入股爾必達
美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺幣150億元)入股爾必達(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業(yè)界整合案例。美光、爾必達分別是南科、華亞科，以及力晶、瑞晶合作伙伴，兩強整并有助臺廠迎
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中芯國際 擬買爾必達設備
繼美光之后，日本新聞網(wǎng)指出，爾必達正與中國最大晶圓代工廠中芯國際洽談入資事宜，初步協(xié)議中芯國際將向爾必達出資，而爾必達會把一部分設備賣給中芯國際。 由于中芯國際已淡出記憶體代工事業(yè)三年，這次傳聞一旦
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DRAM競爭日趨嚴峻 整并強風來襲
1月9日消息，據(jù)外媒報道，日本存儲器大廠爾必達（Elpida）上周傳出向客戶請求金援，凸顯存儲器芯片產(chǎn)業(yè)的競爭再度日趨嚴峻，分析師和業(yè)界主管認為，業(yè)者家數(shù)將持續(xù)減少，刺激進一步整并。存儲器芯片在1960年代中期被
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爾必達短債四月到期 財務狀況引爆產(chǎn)業(yè)整并臆測
根據(jù)集邦科技（TrendForce）旗下的DRAMeXchange的調(diào)查，在時序進入2011年年末，爾必達爆出財務危機，除了傳出爾必達已向日本政府尋求紓困，亦傳出日本政府協(xié)調(diào)東芝出面接管的傳聞，若此舉成真，爾必達將會是在此波DR
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DRAM市場持續(xù)低迷
總體來看，排名前8的廠商第三季度合計占有97.6%的DRAM市場，與第二季度時的97.4%相差很小。 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報，DRAM市場第三季度形勢困難，但幾家廠商和表現(xiàn)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)整體水平，占市場營業(yè)收入的份額略
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中美光伏戰(zhàn) 美國出“陽謀”
中國光伏的“審判日”因故又拖延了。12月26日，美國商務部表示：“美國商務部將推遲對華太陽能電池（板）反補貼調(diào)查的初裁時間至明年2月14日公布，原定時間為1月12日。”但這并不意味著中國光伏
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前三個季度中國光纖產(chǎn)量同比增28%
統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于國內(nèi)預制棒產(chǎn)能的增加，2011年前三個季度，中國光纖產(chǎn)量繼續(xù)上升，同比增長28%。據(jù)悉，全球光纜需求量已經(jīng)連續(xù)兩個季度超過5000萬芯公里，全球光纜出貨量為5150萬芯公里，相比上個季度的5070萬芯公
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英特爾、美光聯(lián)合開發(fā)出高密度低成本20nm閃存
英特爾和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已開發(fā)出128Gb的NAND閃存，新元件采用了針對閃存改良的20nm工藝制程，將high-k金屬柵極(HKMG)晶體管包含在內(nèi)。兩家公司聲稱，他們開發(fā)出了全球首款獨立型128Gb存儲器
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美光提出3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石
美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是&ldq
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美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石
美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是
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臺企觀中美光伏之戰(zhàn) 坐收漁利
由于美國針對中國太陽能光伏產(chǎn)品展開反傾銷調(diào)查，中國太陽能業(yè)界展開自救行動，而臺灣廠商受惠轉(zhuǎn)單效應的影響，業(yè)績回溫。一旦中國模組產(chǎn)品的反傾銷成案，上述國家的廠商將因此而受惠，未來成長可期；而臺灣模組廠商
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美光3D內(nèi)存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石
美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。
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