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力晶呼吁美光Flash技轉臺塑 臺廠勿再死守DRAM
力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時，也積極往NANDFlash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內存自有技術了，力晶的NANDFlash技術目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光（Micron）趕快把NANDFlash技術技轉
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力晶呼吁美光Flash技轉臺塑 臺廠勿再死守DRAM
力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內存自有技術了，力晶的NAND Flash技術目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術
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美光新帝封測大單 力成笑納
存儲器封測大廠力成科技（6239）接單再傳捷報，拿下美光（Micron）及新帝（SanDisk）NAND快閃存儲器封測大單！，加上原大客戶東芝加碼釋單，力成第4季營收可望優(yōu)于第3季 由于智能型手機、平板計算機、Ultrabook等
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美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內存
之前我們曾經(jīng)提到過美光開發(fā)的“夾心餅干”內存技術即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關樣品。10月6日，美光宣布將和存儲芯片業(yè)界龍頭韓國三星電子一起研發(fā)HMC這種新
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三星與美光結盟推動新一代內存規(guī)格
三星電子（Samsung Electronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內存立方體」（Hybrid Memory Cube，HMC）協(xié)會，以用來開發(fā)與部署此一新一代HMC內存技術的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會的關鍵因素，
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三星與美光結盟推動新一代內存規(guī)格
三星電子（SamsungElectronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內存立方體」（HybridMemoryCube，HMC）協(xié)會，以用來開發(fā)與部署此一新一代HMC內存技術的開放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會的關鍵因素，也
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眾廠商督促芯片界轉用新型內存技術
三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內存(stackable memory)芯片技術過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應該開始向名為“hybrid-cube”的混合
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三星、美光督促芯片界轉用新型內存技術
三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內存(stackablememory)芯片技術過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應該開始向名為“hybrid-cube”的混合
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三星、美光督促芯片界轉用新型內存技術
三星目前正聯(lián)合競爭對手美光督促芯片界向新型堆疊式內存(stackable memory)芯片技術過渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應該開始向名為“hybrid-cube&r
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Rambus指控美光和海力士串謀打壓其芯片技術
9月20日消息，Rambus律師周一在法庭上表示，微芯片制造商美光和海力士串謀打壓Rambus高端芯片技術，以阻止Rambus技術成為業(yè)界標準。不過美光和海力士在加州法庭上回擊稱：“Rambus的RDRAM內存芯片技術失敗的原因
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%
據(jù)IHSiSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%，廠商份額明顯變化
據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為
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英特爾稱RDRAM沒成為標準只能怪Rambus自己
8月30日消息，據(jù)國外媒體報道，與Rambus合作的英特爾高管表示，RDRAM沒有成為行業(yè)標準，Rambus只能怪自己，而不是芯片廠商。英特爾工程師保羅·法希(Paul Fahey)在加利福尼亞州高等法院的庭審中為海力士(Hynix
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DRAM低潮期 廠商整并好時機
由于市場需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產(chǎn)20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2
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美光：DRAM掀整并風
茂德有望引進新合作伙伴，再度掀起DRAM業(yè)界“整并說”。美光執(zhí)行長愛波頓認為，市況不好，但并非供過于求，預期景氣下修幅度不會如以往劇烈，前景很快就會明朗化，業(yè)界也將掀起整并風。外電報導，美光認為，標準型存
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英利能源擬為美光伏電站提供55000塊多晶硅組件
LincolnRenewableEnergy公司(LRE)日前選擇英利綠色能源(YingliGreenEnergy，NYSE:YGE)為其位于新澤西州坎伯蘭縣FairfieldTownship的10MW光伏新電站提供55000塊YGE-235系列多晶硅組件。 該項目被稱為新澤西橡樹光
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DRAM明年Q2才看到春燕 低潮期正是廠商整并好時機
由于市場需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產(chǎn)20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2
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第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預計下挫
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應嚴重過剩和價格下滑的局面，導致下半年DRAM供應商陷入困境。 主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預計第三季度將降到1.60美元，比第
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第三季度及下半年剩余時間DRAM價格預計下挫
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應嚴重過剩和價格下滑的局面，導致下半年DRAM供應商陷入困境。主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價格預計第三季度將降到1.60美元，比第二季度
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DRAM廠：不應以變動成本作為衡量減產(chǎn)標準
DRAM現(xiàn)貨報價跌勢完全止不住，報價瀕臨跌破變動成本1美元邊緣，爾必達(Elpida)上周開第1槍宣布減產(chǎn)，引發(fā)力晶和瑞晶跟進，讓業(yè)界再度陷入是否應該減產(chǎn)的討論聲浪中；然而，有DRAM廠提出另一個觀點表示，DRAM廠在評估
