12月16日消息,臺(tái)灣第二大芯片代工廠商臺(tái)聯(lián)電周二表示,計(jì)劃通過(guò)旗下投資子公司向一家從事發(fā)光二極管芯片生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的中國(guó)大陸公司投資800萬(wàn)美元。 臺(tái)聯(lián)電在公告中稱(chēng),這家公司位于山東省。 按收入計(jì),臺(tái)聯(lián)電是僅次于臺(tái)
12月16日消息,臺(tái)灣第二大芯片代工廠商臺(tái)聯(lián)電周二表示,計(jì)劃通過(guò)旗下投資子公司向一家從事發(fā)光二極管芯片生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的中國(guó)大陸公司投資800萬(wàn)美元。臺(tái)聯(lián)電在公告中稱(chēng),這家公司位于山東省。按收入計(jì),臺(tái)聯(lián)電是僅次于臺(tái)積
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示,將于2010年下半年推出28納米制程,采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出,聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。 據(jù)悉,
晶圓代工龍頭臺(tái)積電、聯(lián)電,跨足LED(發(fā)光二極管)有志一同,聯(lián)電昨日宣布,子公司聯(lián)電新投資事業(yè),投資山東冠銓光電八百萬(wàn)美元,臺(tái)積電昨日則是推出模塊化BCD制程,將為客戶(hù)生產(chǎn)高電壓整合發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)
聯(lián)電(2303)昨日宣布順利完成日本聯(lián)日半導(dǎo)體(UMC Japan,UMCJ)收購(gòu)計(jì)劃,聯(lián)電后續(xù)將強(qiáng)制購(gòu)回剩余在外流通股份,并按日本Jasdaq證券市場(chǎng)規(guī)定辦理下市,進(jìn)一步納入聯(lián)電公司體系,藉此提高經(jīng)營(yíng)效率。 整并成為各個(gè)
聯(lián)電(2303)昨(15)日宣布已完成合并聯(lián)日半導(dǎo)體;龍頭大哥臺(tái)積電(2330)本月初也擴(kuò)大大陸市場(chǎng)布局,未來(lái)華北、華中與華南均將擴(kuò)充營(yíng)銷(xiāo)人力。晶圓雙雄全球布局進(jìn)入收割期,有助海外據(jù)點(diǎn)虧損縮小。
看好明年半導(dǎo)體復(fù)蘇力道,臺(tái)積電、聯(lián)電大幅增加資本支出,由于特許并購(gòu)超威關(guān)系企業(yè)Globalfoundries,晶圓雙雄全球布局的動(dòng)作更是積極。 2009年是半導(dǎo)體否極泰來(lái)的一年,臺(tái)積電與聯(lián)電第三季起隨12吋先進(jìn)制程需求加
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示,將于2010年下半年推出28納米制程,采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出,聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。據(jù)悉,早
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示,將于2010年下半年推出28納米制程,采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出,聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。據(jù)悉,早
經(jīng)濟(jì)部根據(jù)新竹地檢署的起訴內(nèi)容,認(rèn)定聯(lián)電違法「創(chuàng)設(shè)」大陸和艦科技,裁罰聯(lián)電五百萬(wàn)元;臺(tái)北高等行政法院兩年前認(rèn)為經(jīng)濟(jì)部未提出任何明確證據(jù),撤銷(xiāo)經(jīng) 濟(jì)部的罰鍰處分。不過(guò)經(jīng)濟(jì)部上訴后又出現(xiàn)翻案機(jī)會(huì),最高行政法
臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示,將于2010年下半年推出28納米制程,采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。騰訊科技訊12月11日訊,臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國(guó)巴爾的摩所
聯(lián)電(UMC)稍早前在2009國(guó)際電子組件會(huì)議(International Electron Device Meeting,IEDM)中,發(fā)表了其獨(dú)特的28奈米制程混合型高介電系數(shù)╱金屬閘極(HK/MG)技術(shù)。 業(yè)界現(xiàn)有兩種不同的HK/MG整合方案同時(shí)并行,分別為
聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺(tái)積電落差拉近在半年以?xún)?nèi)。 臺(tái)積電
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院表示,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇力高于全球。聯(lián)電今天公布,11月?tīng)I(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣91。56億元(臺(tái)幣,下同),年增達(dá)52%,月減1。51%;累計(jì)前11月?tīng)I(yíng)收793。24億元,年減9。78%。 聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)
據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電11月份的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)顯示,芯片銷(xiāo)售在第三季度出現(xiàn)高峰后,增速已經(jīng)放緩,這一趨勢(shì)可能會(huì)延續(xù)至明年第一季度。 聯(lián)電周二表示,11月份的銷(xiāo)售額為91。56元臺(tái)幣(約合2。84億美元),較去年
據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電11月份的銷(xiāo)售業(yè)績(jī)顯示,芯片銷(xiāo)售在第三季度出現(xiàn)高峰后,增速已經(jīng)放緩,這一趨勢(shì)可能會(huì)延續(xù)至明年第一季度。聯(lián)電周二表示,11月份的銷(xiāo)售額為91.56元臺(tái)幣(約合2.84億美元),較去年同期
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院表示,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇力高于全球。聯(lián)電今天公布,11月?tīng)I(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣91.56億元(臺(tái)幣,下同),年增達(dá)52%,月減1.51%;累計(jì)前11月?tīng)I(yíng)收793.24億元,年減9.78%。聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收比10
聯(lián)電(2303)昨(8)日公布11月?tīng)I(yíng)收91.56億元,月下滑1.5%,為本季第二個(gè)月?tīng)I(yíng)收下滑,但因持續(xù)維持90億元高檔,仍可達(dá)成第四季營(yíng)收與第三季持平的目標(biāo)。 相對(duì)于聯(lián)電11月?tīng)I(yíng)收繼續(xù)下降,龍頭大哥臺(tái)積電今(9)日也將公
歐美市場(chǎng)感恩節(jié)銷(xiāo)售頗佳,緊接著就是圣誕節(jié)到來(lái)的消費(fèi)性需求,晶圓代工業(yè)者多認(rèn)為第4季較上季些微成長(zhǎng),而目前預(yù)期2010年第1季全球客戶(hù)的投片需求在網(wǎng)通芯片方面包括高通(Qualcomm)、博通 (Broadcom)、Atheros仍維持
聯(lián)電旗下驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)廠頎邦昨日宣布,換股合并仁寶關(guān)系企業(yè)飛信半導(dǎo)體,以1.8股飛信換1股頎邦,交易金額約為60億元新臺(tái)幣(約合12.68億人民幣)。頎邦與飛信合并后,仁寶躍居新頎邦第一大股東,持股9%,聯(lián)電居次約3%;新