結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離

第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離

集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻

集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻

超小型肖特基二極管(特瑞仕)

特瑞仕半導(dǎo)體推出了世界上最小級(jí)別的 0603尺寸　超小型肖特基二極管。特瑞仕半導(dǎo)體針對(duì)便攜式儀器市場(chǎng)向小型化、薄型化進(jìn)步的需要、開(kāi)發(fā)了兩種世界上最小級(jí)別的肖特基二極管產(chǎn)品。XBS013V1DR-G和XBS013R1DR-G是超小型

肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝及應(yīng)用

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材

單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未

單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未

第五代肖特基二極管（Vishay）

日前，Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二極管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件將 D-Pak 的電流能力擴(kuò)展至高達(dá) 20 A，從而確定了業(yè)界的新標(biāo)準(zhǔn)。這些器件采用次

第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會(huì)暨展覽會(huì)（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界

第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會(huì)暨展覽會(huì)（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其

新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其

FlipKY芯片級(jí)封裝肖特基二極管（Vishay）

Vishay Intertechnology, Inc當(dāng)前正在提供目前市場(chǎng)上最小的業(yè)界首款 FlipKY® 芯片級(jí)肖特基二極管。

Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)與爭(zhēng)鋒