隨著手機市場的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場增長不斷上升,設計人員面臨著在總體設計中增加功能性,但同時需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應對客戶需求和發(fā)展趨勢,飛兆半導體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容,新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容,新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻
特瑞仕半導體推出了世界上最小級別的 0603尺寸 超小型肖特基二極管。特瑞仕半導體針對便攜式儀器市場向小型化、薄型化進步的需要、開發(fā)了兩種世界上最小級別的肖特基二極管產(chǎn)品。XBS013V1DR-G和XBS013R1DR-G是超小型
肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù),Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù),Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
日前,Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二極管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件將 D-Pak 的電流能力擴展至高達 20 A,從而確定了業(yè)界的新標準。這些器件采用次
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二極管的功率半導體供應商英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會(APEC)上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二極管的功率半導體供應商英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會(APEC)上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其
Vishay Intertechnology, Inc當前正在提供目前市場上最小的業(yè)界首款 FlipKY® 芯片級肖特基二極管。