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宏力半導(dǎo)體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。目前，宏力
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世健成為Spansion授權(quán)代理商
21ic訊 新加坡主板上市公司世健科技有限公司(下稱“世健”或“世健集團(tuán)”)今天宣布正式成為Spansion在亞洲的授權(quán)代理商。Spansion是全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)方案供應(yīng)商，其閃存、微控制器、模擬器
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大數(shù)據(jù)分析系列3：大數(shù)據(jù)分析如何權(quán)衡存儲
系列1：未來24個月市場趨勢和IT投入重點(diǎn)系列2：大數(shù)據(jù)分析對IT資源的需求前言：為了準(zhǔn)確描述中國大數(shù)據(jù)市場和技術(shù)發(fā)展趨勢，解析大數(shù)據(jù)發(fā)展的各階段對IT技術(shù)的需求，2013年6月，中橋調(diào)研咨詢（以下簡稱中橋）對中國4
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閃存技術(shù)新起點(diǎn)：三星3D V-NAND技術(shù)解析
三星這兩年已經(jīng)是全球最大的NAND供應(yīng)商，不僅生產(chǎn)能力強(qiáng)大，技術(shù)實(shí)力也是頂級的。本月初宣布量產(chǎn)世界首款3D垂直閃存V-NAND，月中就有相關(guān)的企業(yè)級V-NAND閃存發(fā)布了。海力士、SanDisk、美光、東芝等其他NAND廠商也有各
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中橋分析師談閃存技術(shù)與趨勢—IT創(chuàng)造價值
2013年8月17日在IBM閃存技術(shù)與趨勢研討會上，中橋國際調(diào)研咨詢（以下簡稱“中橋”）的總經(jīng)理兼首席分析師王叢（Kim Wang）女士根據(jù)中橋2013年在中國的最新相關(guān)調(diào)查數(shù)據(jù)，就閃存技術(shù)與趨勢為參會者分享了《IT創(chuàng)造價值
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只對高端，三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD
在硬盤廠商之間的較量中，比拼的不僅僅是性能參數(shù)上的快速，對于推出新技術(shù)、新產(chǎn)品的速度也同樣要追求一個“快”字。 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)
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Spansion任命Robin J. Jigour為高級副總裁兼閃存業(yè)務(wù)群總經(jīng)理
Spansion公司日前宣布任命Robin J. Jigour為高級副總裁兼閃存業(yè)務(wù)群總經(jīng)理。Spansion公司總裁兼首席執(zhí)行官John Kispert 先生表示：“Robin 將會為Spansion帶來深厚的
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IBM投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)
OFweek電子工程網(wǎng)訊：北京時間4月12日消息，據(jù)國外媒體報道，IBM今日公布了其閃存計(jì)劃，其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣
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IBM投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)
OFweek電子工程網(wǎng)訊：北京時間4月12日消息，據(jù)國外媒體報道，IBM今日公布了其閃存計(jì)劃，其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣
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IBM重砸10億巨資研發(fā)閃存技術(shù)
IBM今日公布了其閃存計(jì)劃，其中包括投資10億美元用于研發(fā)閃存技術(shù)和使用固態(tài)硬盤的一系列系統(tǒng)。IBM將通過這項(xiàng)計(jì)劃將閃存應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心之中。像大數(shù)據(jù)那樣的技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目將令閃存成為企業(yè)的主流存儲技術(shù)，因?yàn)槠髽I(yè)需
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聯(lián)華電子與美商Spansion合作技術(shù)研發(fā)與授權(quán)協(xié)議
聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion日前共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術(shù)。此份非專屬授權(quán)協(xié)議包
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聯(lián)華電子與美商Spansion合作技術(shù)研發(fā)與授權(quán)協(xié)議
雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術(shù)，以推動高效能低功耗電子產(chǎn)品的問世聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedd
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無限擦寫循環(huán)？Macronix新閃存技術(shù)
固態(tài)硬盤普及了，隨之而來的可靠性喝壽命問題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時代就只有3000次了，TLC規(guī)格的更
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IBM宣布收購閃存技術(shù)公司德州記憶
北京時間8月17日消息，IBM宣布，公司董事會已通過收購私人控股的高端企業(yè)存儲技術(shù)供應(yīng)商德州記憶系統(tǒng)公司(Texas Memory Systems)，以擴(kuò)大自己的存儲供應(yīng)。IBM預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于今年晚些時候完成，但未透露交易的具體價
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IBM宣布收購閃存技術(shù)公司德州記憶
北京時間8月17日消息，IBM宣布，公司董事會已通過收購私人控股的高端企業(yè)存儲技術(shù)供應(yīng)商德州記憶系統(tǒng)公司(Texas Memory Systems)，以擴(kuò)大自己的存儲供應(yīng)。IBM預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于今年晚些時候完成，但未透露交易的具體價
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IBM重大技術(shù)突破 能耗低于NAND閃存技術(shù)
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長30
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IBM重大技術(shù)突破 能耗低于NAND閃存技術(shù)
根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)，可以將電子自旋周期延長30
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閃存技術(shù)在3G時代的應(yīng)用
標(biāo)簽：閃存技術(shù) 3G下一代手機(jī)將有更多功能服務(wù)的應(yīng)用可使用戶完成許多曾經(jīng)難以想象的事情。只需一部手機(jī)，人們的購物、工作、居家生活將更便捷。這些功能在技術(shù)上的實(shí)現(xiàn)并不困難，但如果缺乏完善的安全保護(hù)系統(tǒng)，人
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東芝慶祝其閃存技術(shù)發(fā)明二十五周年
據(jù)國外媒體報道，NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了，而東芝打算來合理地慶祝這一上個世紀(jì)80年代在其實(shí)驗(yàn)室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱，幸虧有了閃存，現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先
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閃存技術(shù)商Violin Memory完成D輪融資5千萬美元
據(jù)國外媒體報道，利用閃存技術(shù)建立儲存陣列的科技公司ViolinMemory，計(jì)劃于下周一宣布完成規(guī)模達(dá)5000萬美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。參與此輪融資的投資者包括有：出于戰(zhàn)略考量的日本芯
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