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長江存儲推出全新致鈦系列消費級固態(tài)硬盤
2020年9月10日，長江存儲推出致鈦系列兩款消費級固態(tài)硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強勁的性能和可靠的品質。兩款產品現(xiàn)已登陸京東預售，參加預售的消費者將享受10元抵50元定金膨脹優(yōu)惠活動，兩款產品將于9月22日起正式開放購買。
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realme真我X50 Pro曝光采用了UFS 3.0+Turbo Write+HPB的先進閃存技術
日前，有數(shù)碼博主曬出了一組realme真我X50 Pro與小米10的閃存跑分對比圖，從圖上來看，realme真我X50 Pro的跑分更高，不少網友猜測可能是用了UFS3.1閃存。那是事實是這樣嗎
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大聯(lián)大世平集團推出基于NXP LPC55系列之電腦周邊產品應用解決方案
2019年7月16日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦(NXP)MCU LPC55系列之電腦周邊產品應用解決方案。
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長江存儲將宣布Xtacking 2.0閃存技術 速度堪比DDR4內存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
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長江存儲將宣布Xtacking 2.0閃存技術 速度堪比DDR4內存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
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長江存儲將宣布Xtacking 2.0閃存技術 速度堪比DDR4內存
目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
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紫光集團發(fā)布聲明：與SK共同研發(fā)閃存芯片消息不屬實
據(jù)報道，今天紫光集團發(fā)布聲明稱，有關“與SK海力士就芯片閃存技術許可進行談判與合作”的消息純屬捕風捉影的市場傳言，完全沒有事實依據(jù)。
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全面解析閃存技術大餐 架構/顆粒/接口/可靠性
閃存最明顯特點就是穩(wěn)定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規(guī)定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數(shù)據(jù)保護等
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11年經驗積淀 華為閃存技術怎么樣了？
云計算、大數(shù)據(jù)、移動互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預測，到2020年，全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎上，增加20億移動寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術市場規(guī)模將高達2000億美元。華為在2016全球聯(lián)接指
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走進閃存技術
作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩種存儲器的折衷，閃存是20世紀80年代問世的。像EEPROM存儲器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)
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ST閃存技術解析
前言閃存是手機、數(shù)碼相機、數(shù)字電視和機頂盒或發(fā)動機控制模塊等數(shù)字應用中一種十分常見的半導體存儲器，這類芯片需具備系統(tǒng)級編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?/p>
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走進閃存技術
作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩種存儲器的折衷，閃存是20世紀80年代問世的。像EEPROM存儲器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)
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ST閃存技術解析
前言閃存是手機、數(shù)碼相機、數(shù)字電視和機頂盒或發(fā)動機控制模塊等數(shù)字應用中一種十分常見的半導體存儲器，這類芯片需具備系統(tǒng)級編程功能和斷電數(shù)據(jù)保存功能。閃存兼?zhèn)涓叽鎯?/p>
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IBM重大技術突破 能耗低于NAND閃存技術
根據(jù)Computerworld網站報道，IBM研究人員在自旋電子學領域(“自旋遷移電子學”的簡稱)取得了重大技術突破，能夠利用電子在磁場內的自旋并結合讀寫頭，在半導體材
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賽普拉斯向UMC授權55納米嵌入式閃存技術
嵌入式非易失性存儲解決方案領導者賽普拉斯半導體公司與全球領先的半導體代工廠聯(lián)華電子公司(紐交所代號 UMC， 臺灣證券交易所代號 TWSE： 2303)日前聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽
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NAND價格縮水暗藏發(fā)展契機 閃存技術有望拓展新興應用
【導讀】NAND價格縮水暗藏發(fā)展契機 閃存技術有望拓展新興應用 NAND閃存業(yè)務正在走上正軌，根據(jù)Semico Research公司的研究，盡管“第一季度出現(xiàn)了顯著的跌價”但這并沒有妨礙NAND成為有史以來成長最快的半
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臺積電與超捷在90nm混載閃存技術領域展開合作
【導讀】臺積電與超捷在90nm混載閃存技術領域展開合作 美國超捷（SST）與臺積電（TSMC）日前就面向90nm邏輯LSI混載的閃存技術簽訂了授權合同。TSMC將接受SST公司90nm混載閃存技術“超快閃（SuperFlash）”
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恒憶與海力士擴大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品
【導讀】恒憶與海力士擴大合作，共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品 恒憶（Numonyx）宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家
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NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年
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NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年
