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三星研究所CEO：硅技術將向10nm發(fā)展
韓國三星先進技術研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。Kim博士表示，閃存技術
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瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術
瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術
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閃存技術正悄然替代硬盤
改變IT世界三大力量之 閃存的故事 未來10年，對計算機改變最大的技術。 解決計算機硬盤性能瓶頸，正在逐步替代硬盤的閃存。 話說現(xiàn)代計算機，都是依據馮·諾依曼型原理開發(fā)的，俗稱馮&mi
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蘋果收購閃存技術廠商Anobit，可以將iPad的存儲容量提高一倍
北京時間12月20日消息，據國外媒體報道，蘋果已經以5億美元價格收購了以色列閃存技術廠商Anobit。報道稱，Anobit管理層正在集合員工以正式宣布公司被蘋果收購的消息。上周有媒體報道稱，蘋果正在同Anobit進行談判，打
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瑞薩領先業(yè)界開發(fā)出40nm工藝的MCU混載閃存技術
試制的40nm閃存混載芯片瑞薩電子2011年12月14日宣布開發(fā)出了40nm工藝的MCU混載閃存技術。采用該技術的首款產品——車載閃存混載MCU預定2012年初秋開始樣品供貨。目前正在量產的閃存混載MCU，即使是最高端產
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Fusion-io上市首日大漲18.42% 兩度上調發(fā)行價
北京時間6月10日，美國閃存技術公司Fusion-io周四登陸紐交所，發(fā)行價每股19美元。Fusion-io以每股25美元開盤，股價一度走高至33美元，截至收盤大漲18.42，報每股11.50美元，目前總市值15.1億美元。6月7日，公司宣
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英特爾稱其20納米閃存技術領先三星 今年下半年將開始量產8GB產品
英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。英特爾的非揮發(fā)性內存解決方案部門的總經理TomRampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的
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東芝升級24納米閃存技術
東芝日前對旗下24納米工藝閃存芯片進行升級并推出了最新SmartNAND系列產品，東芝此次閃存升級可能是在為蘋果下一代iPhone 5手機的發(fā)布做準備。SmartNAND系列產品基于24納米制程工藝，芯片最大容量可達64GB，適用于媒
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愛迪德獲得 CCBN2011“科技創(chuàng)新國際貢獻獎”
北京2011年4月1日電 /美通社亞洲/ -- 全球領先的軟件安全和媒體技術公司愛迪德今日宣布，公司條件接收系統(tǒng)3.0（CAS 3.0）獲得了由中國廣播電視設備工業(yè)協(xié)會頒發(fā)的“科技創(chuàng)新國際貢獻獎”。愛迪德的 CAS 3.0可以幫助廣
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GlobalFoundries攜手飛思卡爾研發(fā)90納米閃存技術
GlobalFoundries除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬柵極(HKMG)技術，試產出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米閃存技術，進一步強化合作關系。
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90奈米閃存技術
全球晶圓(Global Foundries)除了在28奈米制程上，宣布以28奈米高介電金屬閘極(HKMG)技術，試產出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90奈米閃存技術，進一步強化合作關
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TIMC組建聯(lián)盟布局存儲閃存技術
據臺灣媒體報道，臺灣創(chuàng)新內存公司(TIMC)將聯(lián)合茂德、晶豪科、翔準等公司，布局自有儲存型閃存(NAND Flash)技術，而政府層面將給予40%的研發(fā)補貼?！ 〈饲癟IMC規(guī)劃以日本廠商爾必達為技術合作伙伴進行DRAM產業(yè)再造，
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瑞薩力晶合資閃存業(yè)務散伙
據日本媒體報道，日本半導體廠商Renesas瑞薩科技與臺灣力晶半導體已經決定終結雙方合資的閃存研發(fā)合資企業(yè)。瑞薩計劃把股權、設計資產及債權債務轉讓給力晶，并于今日正式解散雙方在日本的合資公司。力晶最早于2006年
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NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，
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飛索澄清“暫停與武漢新芯的合作”純屬誤解
針對先前有媒體報導飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation昨日駁斥上述說法，并指出這是一場誤解。事實上，飛索與中芯國際和武漢新芯的合作，都還在持續(xù)進行中，包括盡快移轉43納米的技術，還
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美光公司因其DRAM和NAND閃存技術創(chuàng)新獲半導體Insight獎
美光科技股份有限公司宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內領先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術”獎，其1Gb、50納米
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SanDisk與索尼聯(lián)合開發(fā)TB級閃存技術
據存儲在線報道，在近期的CES展會上，SanDisk與索尼共同宣布了一項計劃，雙方打算聯(lián)合開發(fā)兩款新型大容量閃存，將閃存容量提升到TB級以上。這兩款新產品目前被暫時定名為"Memory Stick format for Extended Hig
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掌握閃存技術 才能解救臺DRAM產業(yè)
由于產業(yè)先前進入景氣循環(huán)的低潮，繼之又碰到史上罕見的全球景氣衰退，DRAM產業(yè)的形勢到了2008年下半已經到極為險峻的地步。這不僅發(fā)生在國內，也發(fā)生在全球各DRAM廠。內存產業(yè)是臺灣半導體產業(yè)的兩大支柱之一，臺灣
