來(lái)自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）的消息稱，預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)到年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量，與其他競(jìng)爭(zhēng)者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，但預(yù)估NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格仍會(huì)受到一定沖擊，進(jìn)而導(dǎo)致跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)。

在技術(shù)方面，為了盡快縮短與國(guó)外廠商的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在閃存技術(shù)上采取了跳躍式發(fā)展，32層堆棧的只是小量生產(chǎn)，64層堆棧是今明兩年生產(chǎn)的主力，再下一代則會(huì)直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會(huì)推出128層堆棧的閃存。

在這個(gè)問(wèn)題上，去年長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

性能上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對(duì)NAND行業(yè)來(lái)講將是顛覆性的。”

日前在GSA Memory+會(huì)議上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席CTO湯強(qiáng)發(fā)表了《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》演講，表示長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年8月份將會(huì)推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會(huì)不斷進(jìn)化中。