2018中國閃存市場峰會(huì)在上海舉行,群聯(lián)電子董事長潘健成在論壇上發(fā)表了題為“閃存內(nèi)存存儲(chǔ)前世今生展望”的演講。潘健成表示,群聯(lián)電子成立于2000年,開發(fā)出全球第一顆USB1.1的單芯片代號(hào)1001,是國內(nèi)比較獨(dú)特的一家存儲(chǔ)公司。
西部數(shù)據(jù)公司近日推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(EFD)-西部數(shù)據(jù)iNAND?MC EU321,旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。
根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)研,今年第三季度DRAM的合約價(jià)漲幅會(huì)縮小到1~2%,到了第四季度可能會(huì)下跌5%,而且不排除跌幅擴(kuò)大的可能,因?yàn)橄掳肽闐RAM的市場需求疲軟,新的智能手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求,導(dǎo)致出貨平淡,而消費(fèi)級(jí)的PC市場則由于Intel方面的供貨不足會(huì)受到?jīng)_擊。
現(xiàn)在此事已經(jīng)得到了深圳市龍崗區(qū)法院的宣判,據(jù)WP7吧網(wǎng)友放出的判決書顯示,法院認(rèn)為華為對(duì)于Mate9系列的閃存芯片的確是宣傳不當(dāng),但不是虛假宣傳,Mate9系列的閃存屬于定制的,擁有大部分UFS2.1的特性,但不完整符合UFS2.1的標(biāo)準(zhǔn),也不算是通用的UFS2.0閃存芯片。
對(duì)于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking,長江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報(bào)記者專訪表示,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年,長江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。
瑞薩科技公司(Renesas)近日宣布,作為帶有片上閃存的R8C/Tiny系列小型高性能16位MCU一部分的7個(gè)家族30款新產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商品化。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K和R8C/2L家族適用的應(yīng)用包括電源|穩(wěn)壓器|穩(wěn)壓器控制和
被稱之為USB存驅(qū)動(dòng)器 、“U盤驅(qū)動(dòng)器”或“USB Dongle”的USB類存儲(chǔ)設(shè)備,真正使數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方式發(fā)生了革命性的變革并極大地推動(dòng)了便攜性的發(fā)展。自2000
近日,東芝內(nèi)存公司與西部數(shù)據(jù)為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導(dǎo)體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。東芝于去年2月份開始建造Fab 6工廠,并于本月早些時(shí)候開始生產(chǎn)96層3D閃存。該工廠專門用于制造3D閃存,東芝與西數(shù)已經(jīng)為該工廠安裝了尖端的制造設(shè)備。
今天東芝、西數(shù)一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用,配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經(jīng)運(yùn)轉(zhuǎn)了,新的研發(fā)及生產(chǎn)中心重點(diǎn)就是96層堆棧3D NAND閃存,QLC閃存也將是重點(diǎn),該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。
9月18日,中興通訊聯(lián)合Intel在北京舉行存儲(chǔ)新品發(fā)布會(huì)。本次推出的三款新品:中端存儲(chǔ)KS3200 V2、高端存儲(chǔ)KU5200 V2和全閃存存儲(chǔ)KF8200,
在NAND閃存市場上,三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額,不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域,尤其是紫光旗下的長江存儲(chǔ),他們?cè)谖錆h投資240億美元建設(shè)中國最大的存儲(chǔ)芯片基地,今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近日傳出三大利空,引發(fā)引發(fā)市場憂心產(chǎn)業(yè)需求轉(zhuǎn)弱,包括晶圓檢測設(shè)備大廠科磊(KLA-Tencor)預(yù)告下季出貨量可能不如預(yù)期、美光(Micron)坦承NAND 閃存價(jià)格本季已下跌,加上分析師看跌第4季NAND內(nèi)存價(jià)格展望。
近日,威剛(ADATA)宣布推出IUSP33F PCIe BGA SSD,該SSD采用BGA封裝,尺寸比M.2 2242 SSD還要小上80%。IUSP33F PCIe BGA SSD采用了3D閃存,支持PCIe Gen 3x2接口,適用于超極本、平板、二合一電腦等小尺寸計(jì)算設(shè)備。
西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難,他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢,中國的NAND廠商在2020年之前不會(huì)帶來什么有意義的改變。
與內(nèi)存相比,NAND閃存價(jià)格在今年初就開始由漲轉(zhuǎn)跌,上半年跌幅至少50%。對(duì)于未來的NAND價(jià)格走勢,市場及分析師普遍認(rèn)為還會(huì)繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價(jià)格下跌,但是今天股價(jià)遭殃的反而是希捷、西數(shù),其中希捷股價(jià)暴跌7%,Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標(biāo)股價(jià)。
TMS320VC5409是TI公司推出的新一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng),如機(jī)頂盒(STB)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)字無線通信等。閃爍存儲(chǔ)器(FLASH MEMORY)是可以在線電擦寫、掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器。FLASH與EPROM相比,具有更高的性能價(jià)格比,而且體積小、功耗低、擦寫速度快、使用比較方便。因此,采用FLASH存儲(chǔ)程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好
近日,紫光集團(tuán)董事長趙偉國在重慶出席首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(簡稱“智博會(huì)”)時(shí)表示,芯片是IT及通信產(chǎn)業(yè)的基石,同時(shí)也是智能產(chǎn)業(yè)的源頭,紫光集團(tuán)不僅在移動(dòng)通信、存儲(chǔ)、安全、AI等多個(gè)領(lǐng)域掌握極具競爭力的芯片技術(shù),并且擁有全面的云網(wǎng)基礎(chǔ)架構(gòu)產(chǎn)品,和貼近行業(yè)需求的云解決方案,以及從芯到云的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。
三十年河?xùn)|,三十年河西——說的是世事盛衰興替,變化無常。然而在全球半導(dǎo)體市場,領(lǐng)頭羊的位置卻鮮有變化。自1993年開始,英特爾一直是全球最大半導(dǎo)體廠商。直至2017年,后來居上的三星才打破了這一現(xiàn)象,成為全球最大的半導(dǎo)體廠商。