去年6月底,美光拋棄了雷克沙(Lexar),隨后品牌宣告破產(chǎn),而中國(guó)的公司收購(gòu)了,不少玩家也都希望這個(gè)有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來(lái)。
全球企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)上排名前16強(qiáng),其中有一半的廠商專(zhuān)業(yè)做存儲(chǔ),心無(wú)旁騖。專(zhuān)業(yè)自然會(huì)更專(zhuān)心,專(zhuān)心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來(lái)。
東芝今天公布的財(cái)報(bào)顯示,由于旗下閃存芯片業(yè)務(wù)(全球第二大NAND芯片生產(chǎn)商)對(duì)外出售交易記入9660億日元收益,該公司4至6月份季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)1.02萬(wàn)億日元(約合91.6億美元),高于上年同期的503.3億日元。
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日本東芝公司周三公布的財(cái)報(bào)顯示,得益于今年早些時(shí)候?qū)⑵溟W存芯片業(yè)務(wù)以180億美元出售給美國(guó)私募股權(quán)公司貝恩資本(Bain Capital)領(lǐng)導(dǎo)的財(cái)團(tuán),這家日本公司4-6月份季度凈利潤(rùn)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄水平。
武漢是長(zhǎng)江的水運(yùn)中樞,如何共抓大保護(hù),不搞大開(kāi)發(fā),改變舊有發(fā)展模式,將生態(tài)理念完整內(nèi)嵌到高質(zhì)量發(fā)展的經(jīng)濟(jì)邏輯中?武漢光谷正在嘗試一條以綠色、創(chuàng)新發(fā)展為引領(lǐng)的路子。
在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地),紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加,預(yù)計(jì)Q3、Q4兩個(gè)季度中NAND價(jià)格都會(huì)下跌10%,不用過(guò)這也加速了大容量SSD硬盤(pán)的普及,未來(lái)2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。
Intel此前已經(jīng)推出QLC閃存的企業(yè)級(jí)SSD DC系列,合作伙伴美光也在企業(yè)級(jí)的5120 ION中首次使用了QLC。現(xiàn)在,Intel的第一款QLC雙內(nèi)存消費(fèi)級(jí)SSD曝光了,命名為“SSD 660p”。
英特爾最近發(fā)展挫折不斷,工藝落后,處理器被趕超,Intel真的如它的年齡一樣,開(kāi)始失去了活力,失去了迸發(fā)的動(dòng)力?不過(guò)畢竟英特爾在過(guò)去給世界帶來(lái)了很多優(yōu)秀的產(chǎn)品,雖然暫時(shí)遭遇一些挑戰(zhàn),不過(guò)未來(lái)誰(shuí)都說(shuō)不好,畢竟瘦死的駱駝比馬大,Intel的根基還在,想要重返巔峰,也是不無(wú)可能。
2018年全球電子系統(tǒng)產(chǎn)值將達(dá)到1.62萬(wàn)億美元,其中半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值將達(dá)到5091億美元,也是全球半導(dǎo)體產(chǎn)值首次突破5000億美元大關(guān),同比增長(zhǎng)14%,原因跟DRAM內(nèi)存、NAND閃存均價(jià)大幅增長(zhǎng)有關(guān)。
示Intel已經(jīng)在開(kāi)始使用3D QLC閃存生產(chǎn)他們的第一款數(shù)據(jù)中心SSD,會(huì)直接使用PCI-E接口,應(yīng)該會(huì)有PCI-E卡的版本和U.2的版本,目前還不知道這款SSD的正確名字,知確定它會(huì)是數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品中新D5系列產(chǎn)品的一部分,這也預(yù)示著Intel會(huì)采用全新的SSD命名方法。
東芝是NAND閃存的發(fā)明人,還是最早開(kāi)發(fā)3D NAND閃存的,同時(shí)也是閃存芯片公司中第一個(gè)討論QLC閃存的,這點(diǎn)倒是不假,首次公開(kāi)研發(fā)QLC閃存的廠商就是東芝,三星作為全球最大的NAND廠商在TLC閃存上先吃了螃蟹,但在QLC閃存三星倒是很低調(diào),前不久量產(chǎn)的第五代V-NAND閃存還是TLC類(lèi)型的,三星只是表態(tài)稱(chēng)后續(xù)會(huì)有QLC閃存及1Tb核心容量的閃存。
三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過(guò)90層,且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲(chǔ)器,其單顆封裝的傳輸速度即可達(dá)1.4Gbps,相較于前一代64層的產(chǎn)品,傳輸速度提高了40%,并可實(shí)現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫(xiě)入延遲。
如果用一個(gè)詞來(lái)描述2016年的固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的話,那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過(guò)去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價(jià),閃存顆粒的制程問(wèn)題引發(fā)的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。
我們?cè)诳碨TM32中文參考手冊(cè)p316頁(yè)IWDG獨(dú)立看門(mén)狗時(shí),看到“如果用戶(hù)在選擇字節(jié)中啟用了“硬件看門(mén)狗”功能,在系統(tǒng)上電復(fù)位后,看門(mén)狗會(huì)自動(dòng)開(kāi)始運(yùn)行;如果在計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)結(jié)束前,若軟件沒(méi)有向鍵寄存器寫(xiě)入相應(yīng)的值,則
近日,三星電子正式宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代V-NAND 3D堆疊閃存芯片,采用96層堆疊設(shè)計(jì),與前一代產(chǎn)品相比容量和速度都有大幅提升。它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。
7月2日,根據(jù)外媒報(bào)道,去年中國(guó)半導(dǎo)體的進(jìn)口額為2601億美元,占全世界半導(dǎo)體交易量的65%。中國(guó)政府的目標(biāo)是截止2025年為止將半導(dǎo)體自給率提升至70%,中國(guó)政府的目標(biāo)是“世界智能手機(jī)的90%、電腦的65%和智能電視的67%都在中國(guó)生產(chǎn),對(duì)于生產(chǎn)這些產(chǎn)品所必需的半導(dǎo)體,中國(guó)不能只依靠進(jìn)口”。中國(guó)的半導(dǎo)體自給率在2016年只占13.5%左右。由于中美貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā),使得中國(guó)目前發(fā)力半導(dǎo)體行業(yè)。
福州市中級(jí)人民法院3日裁定美光半導(dǎo)體銷(xiāo)售(上海)有限公司立即停止銷(xiāo)售、進(jìn)口十余款Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條及相關(guān)芯片,并刪除其網(wǎng)站中關(guān)于上述產(chǎn)品的宣傳廣告、購(gòu)買(mǎi)鏈接等信息。同時(shí),也裁定美光半導(dǎo)體(西安)有限責(zé)任公司立即停止制造、銷(xiāo)售、進(jìn)口數(shù)款內(nèi)存條產(chǎn)品。
在現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中,采用Flash做為DSP程序加載和引導(dǎo)是一種常用的方法,它為用戶(hù)對(duì)那些將來(lái)可能需要改變數(shù)據(jù)或代碼的系統(tǒng)維護(hù)提供了有效手段。利用Flash器件,能夠?qū)崿F(xiàn)在線程序編寫(xiě),減少EPROM程序燒寫(xiě)帶來(lái)的麻煩。