閃存
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MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測器
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測器能夠?qū)Χ鄠€系統(tǒng)電壓進行管理。MAX16070/MAX16071還可通過專用的高邊電流檢測放大器精確監(jiān)測(±2.5%)一路電流通道。MAX16070可
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閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用
O 引言Linux系統(tǒng)自誕生以來，不斷發(fā)展壯大，支持越來越多的硬件體系，獲得了日益廣泛的應(yīng)用，從服務(wù)器、桌面計算，到機頂盒、手機、路由器等，可以說無處不在。雖然都是Lin
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Atmel推出業(yè)內(nèi)性能最高、擁有1kB閃存的8位tinyAVR 繼續(xù)引領(lǐng)8位MCU的發(fā)展
21ic訊 全球微控制器(MCU)及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel® 公司今日在“2016年德國嵌入式系統(tǒng)展”(Embedded World 2016)上宣布，推出全球性能最高，帶有1kB閃存的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/
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ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計
自問世以來，NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
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賽普拉斯業(yè)界最快的HyperFlash NOR閃存推出新款產(chǎn)品
全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出一款256Mb NOR HyperFlash™ 產(chǎn)品。該器件為3.0V S26KL256S HyperFlash， 是業(yè)界首創(chuàng)支持高帶寬、少引腳的HyperBus™接口的閃存中的最新一款。該器件是高性能應(yīng)用的理想選擇，例如汽車儀表盤、工業(yè)自動化、通訊系統(tǒng)，以及醫(yī)療設(shè)備等需要最高讀取帶寬來快速啟動的即時開機設(shè)備，這些設(shè)備還需要通過引腳數(shù)較少的接口減小封裝尺寸和PCB成本。
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采用基于Altera FPGA的存儲參考設(shè)計 NAND閃存使用壽命加倍
21ic訊 Altera公司開發(fā)了基于其Arria® 10 SoC的存儲參考設(shè)計，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計在經(jīng)過優(yōu)化的高性價
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美光科技推出專為消費類應(yīng)用設(shè)計的新型閃存
美光科技有限公司今天宣布，其豐富的閃存產(chǎn)品系列又添新成員——為尋求高性能和高可靠性，且極其注重成本的消費類應(yīng)用提供了量身定制的解決方案。新型TLC NAND是基于16納米(nm)工藝制造而成，能讓U盤和消費類固態(tài)硬盤等應(yīng)用的各方面功能取得理想平衡。預(yù)計市場在整個2015年都將對TLC有強勁需求，占到NAND存儲總量的幾乎一半。
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東芝擴大符合e·MMC 5.1版標準的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
支持“command queuing”和“secure write protection”特性東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會) e∙MMC™ 版 5.
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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基于Linux和S3C2410的嵌入式圖象傳輸系統(tǒng)設(shè)計
1 引言如何更好的獲得監(jiān)控現(xiàn)場的圖象數(shù)據(jù)一直是棘手的一個問題，傳統(tǒng)的方法是采用CCD攝象機獲取現(xiàn)場的視頻信息，這種方法易于實現(xiàn)，但成本較高。隨著 ARM系列處理器應(yīng)用的
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意法半導(dǎo)體(ST)推出閃存容量高達512KB的STM32F3微控制器
21ic訊 意法半導(dǎo)體的STM32F3系列微控制器再添新產(chǎn)品，滿足市場對高性能、創(chuàng)新功能和價格實惠的需求。新微控制器的片上存儲容量增至512KB閃存 (Flash) 以及80KB靜態(tài)隨機存取記憶體 (SRAM)，并集成豐富的外設(shè)接口，其
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Spansion完成對富士通微控制器和模擬業(yè)務(wù)部門收購
2013年 08月02日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對富士通半導(dǎo)體有限公司微控制器和模
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LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術(shù)
LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披露了這項全
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Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)
2013年 08 月 15 日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今日宣布起訴臺灣旺宏電子股份有限公司，控告其在
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