治精微推出共模電壓270 V, CMRR 100 dB 精密差動放大器ZJA3669

上海治精微電子有限公司(以下簡稱“治精微”)，總部位于張江的高端模擬芯片方案供應(yīng)商，宣布推出共模電壓270 V，CMRR 100 dB，2.5 kV靜電保護能力(ESD HBM)精密差動放大器ZJA3669。

【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路

后摩爾時代專題，泰克張欣與北大集成電路學(xué)院唐克超老師共話鐵電晶體管、存儲計算科研進展。

旭化成微電子新橫濱半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心成立

旭化成微電子株式會社于2024年6月14日在日本神奈川縣橫濱市設(shè)立了“AKM※共創(chuàng)與技術(shù)中心”。該中心綜合了各項技術(shù)開發(fā)的主要功能，包括半導(dǎo)體集成電路及各種傳感器件的產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)。

芯動北京五大亮點邀您搶“鮮”看！更多精彩 現(xiàn)場揭曉！

一年一度的“芯動北京”如約而至，將于8月30日盛大開幕。本屆論壇遵循“延續(xù)傳統(tǒng)、發(fā)揚特色”原則，在規(guī)模、形式、議程等方面推陳出新打造出五大特色亮點。

Nordic Semiconductor 推出 CSP 版 nRF7002 Wi-Fi 6 協(xié)同 IC

Wi-Fi 集成電路（IC）的新封裝版本具有與原產(chǎn)品相同的業(yè)界領(lǐng)先功能和低功耗，但外形更小巧，適用于緊湊型無線設(shè)計

新征程 芯動能丨第六屆浦東新區(qū)長三角集成電路技能競賽即將啟動，構(gòu)建人才“強磁場”！

突發(fā)！中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，起訴美國國防部

近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司宣布已正式向美國法院提交訴狀，起訴美國國防部將其列入中國軍事企業(yè)清單的決定。

基于LTC7803方案的Rsense電阻電流采樣

大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展使得電子產(chǎn)品的體積越來越小，促使了便攜式電子產(chǎn)品如雨后春筍一般蓬勃發(fā)展，不斷添加的新特征和能力，使得電子產(chǎn)品變得越來越復(fù)雜。

功耗降低、性能提升！我國科學(xué)家發(fā)明新型“熱發(fā)射極”晶體管

8月15日消息，大家都知道，晶體管是集成電路的基本單元，是如今時代不可或缺的元件之一。

可變增益的功率放大器單片微波集成電路(MMIC)

隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，對功率放大器的性能要求日益提高，尤其是在衛(wèi)星通信、數(shù)字微波通信等領(lǐng)域，功率放大器不僅需要具備高輸出功率、高效率，還需要能夠根據(jù)實際需求靈活調(diào)整增益。為此，可變增益的功率放大器單片微波集成電路(MMIC)應(yīng)運而生。本文將深入探討可變增益功率放大器MMIC的設(shè)計原理、關(guān)鍵技術(shù)、性能優(yōu)勢及應(yīng)用前景。

多Die FPGA芯片：技術(shù)創(chuàng)新與未來趨勢

在半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展中，現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）作為一種高度靈活且可配置的集成電路，已經(jīng)在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出其獨特的優(yōu)勢。而多Die FPGA芯片作為FPGA技術(shù)的新一輪創(chuàng)新，正逐步成為業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討多Die FPGA芯片的概念、技術(shù)特點、應(yīng)用場景以及未來發(fā)展趨勢，并附帶一段簡化的代碼示例，以幫助讀者更好地理解這一前沿技術(shù)。

集成電路如何替換?替換集成電路需要注意什么?

為增進大家對集成電路的認識，本文將對集成電路的替換方法、集成電路替換注意事項予以介紹。

集成電路有哪些檢測方法?常用的一些集成電路該如何檢測?

為增進大家對集成電路的認識，本文將對集成電路的常用檢測方法以及常用集成電路的檢測予以介紹。

專用集成電路包含哪些設(shè)備?專用集成電路有哪些功能?

為增進大家對集成電路的認識，本文將對專用集成電路的設(shè)備、專用集成電路的功能和作用予以介紹。

美國又在芯片封鎖下狠手：建造封裝供應(yīng)鏈 更好封鎖中國廠商等！

7月19日消息，據(jù)國外媒體報道稱，美國試圖通過更多的補貼來在自己的本土打造芯片全產(chǎn)業(yè)鏈。

淺析MOS管在集成電路的詳細應(yīng)用

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOS管)是現(xiàn)代集成電路中不可或缺的元件之一。自1960年代問世以來，MOS管因其低功耗、高集成度、良好的溫度穩(wěn)定性和廣泛的電壓適應(yīng)性等優(yōu)點，在集成電路設(shè)計中占據(jù)了核心地位。本文將詳細探討MOS管在集成電路中的多種應(yīng)用，包括其基本工作原理、優(yōu)點、具體應(yīng)用實例以及未來發(fā)展趨勢。

如何通過電源去耦保持集成電路(IC)的低阻抗

在電子系統(tǒng)設(shè)計中，電源去耦是一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，特別是對于集成電路(IC)來說，保持電源進入IC的低阻抗對于確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。本文將從電源去耦的基本概念出發(fā)，深入探討如何通過有效的去耦措施來保持電源進入IC的低阻抗，從而提高系統(tǒng)的整體性能。

可靠的電容傳感器接口的模擬前端IC測量方法

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電容傳感器在各個領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。電容傳感器以其高靈敏度、高分辨率和非接觸測量等優(yōu)點，在工業(yè)自動化、智能家居、醫(yī)療健康等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。然而，電容傳感器接口的測量精度和可靠性一直是研究的熱點和難點。模擬前端IC(集成電路)作為電容傳感器接口的核心部件，其測量方法的選擇和優(yōu)化對于提高電容傳感器的性能至關(guān)重要。本文將對目前用于可靠的電容傳感器接口的模擬前端IC測量方法進行綜述和分析。

基于FD-SOI的FPGA芯片技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用

在當(dāng)前的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，F(xiàn)D-SOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator，全耗盡絕緣層上硅)技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢備受關(guān)注。FPGA(Field Programmable Gate Array，現(xiàn)場可編程門陣列)作為一種可編程的集成電路，其靈活性和可配置性在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)FD-SOI技術(shù)與FPGA相結(jié)合時，產(chǎn)生的基于FD-SOI的FPGA芯片不僅繼承了FPGA的靈活性和可配置性，還獲得了FD-SOI技術(shù)的諸多優(yōu)勢。本文將詳細探討基于FD-SOI的FPGA芯片的技術(shù)優(yōu)勢以及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。

CMOS數(shù)字集成電路概述及其特點

在現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展中，集成電路作為電子系統(tǒng)的核心，其性能和技術(shù)水平直接決定了整個電子系統(tǒng)的性能和可靠性。CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)數(shù)字集成電路，作為當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的集成電路技術(shù)之一，其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能使其在計算機、通信、消費電子等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將對CMOS數(shù)字集成電路進行詳細介紹，并探討其特點。