如圖所示為2W音頻功率放大電路。該電路采用了14腳封裝的LM380作為放大器件,輸入信號經(jīng)音量控制電位器Rp(20kΩ)和22μF的耦合電容加到運放LM380的反相輸入端(引腳6),其同相輸入端(引腳2)接地,引腳1外接10μF的濾波
如圖所示為7W輸出的低頻功率放大電路。該電路中采用了場效應(yīng)管輸入型集成運放LF356作為電壓放大。該級作為三極管組成的功放電路的激 勵級。圖示電路引入了大環(huán)路負反饋,其反饋電阻R2為100kΩ,輸入端由C1(1μF)和R1
如圖所示為10W音頻功率放大電路。該電路采用了集成功放μPCI238作為放大器件,輸入信號經(jīng)耦合電容(其容量為lμF)和電阻(其阻值為56kΩ)加到運放的同相輸入端(引腳l),其輸出端(引腳4)和反相輸入端(引腳2)之間接56kΩ
本文介紹了將虛擬儀器技術(shù)引入到音頻分析儀器的設(shè)計,采用LabVIEW編寫程序。通過測試典型的音頻放大器,檢測虛擬式音頻放大器測試的實用效果,測量音頻信號的電壓與頻率、時域幅值分析、頻域分析、失真分析和信噪比等。
如圖所示為2W音頻功率放大電路。該電路采用了14腳封裝的LM380作為放大器件,輸入信號經(jīng)音量控制電位器Rp(20kΩ)和22μF的耦合電容加到運放LM380的反相輸入端(引腳6),其同相輸入端(引腳2)接地,引腳1外接10μF的濾波
如圖所示為7W輸出的低頻功率放大電路。該電路中采用了場效應(yīng)管輸入型集成運放LF356作為電壓放大。該級作為三極管組成的功放電路的激 勵級。圖示電路引入了大環(huán)路負反饋,其反饋電阻R2為100kΩ,輸入端由C1(1μF)和R1
如圖所示為10W音頻功率放大電路。該電路采用了集成功放μPCI238作為放大器件,輸入信號經(jīng)耦合電容(其容量為lμF)和電阻(其阻值為56kΩ)加到運放的同相輸入端(引腳l),其輸出端(引腳4)和反相輸入端(引腳2)之間接56kΩ
采用直接數(shù)字放大技術(shù),設(shè)計了基于DPPC2006的數(shù)字音頻功率放大器,該系統(tǒng)采用高速VMOSFET構(gòu)成H橋互補對稱結(jié)構(gòu),控制功能由AT89S51實現(xiàn).
采用直接數(shù)字放大技術(shù),設(shè)計了基于DPPC2006的數(shù)字音頻功率放大器,該系統(tǒng)采用高速VMOSFET構(gòu)成H橋互補對稱結(jié)構(gòu),控制功能由AT89S51實現(xiàn).
手持媒體播放設(shè)備中的揚聲器音頻功率放大器多為AB 類放大器,分為傳統(tǒng)型和全差分型兩種架構(gòu)。全差分型架構(gòu)表現(xiàn)出更優(yōu)異的噪聲抑制能力,因此受到了越來越多用戶的歡迎。本文將給出一種全差分型替換傳統(tǒng)型AB 類放大器的解決方案。
下面就音頻放大器(Audio power amplifier)在手機中的應(yīng)用做一下簡單的分析。
BCD開發(fā)了自己的便攜式系統(tǒng)中,音頻功率放大器產(chǎn)品。
下面就音頻放大器(Audio power amplifier)在手機中的應(yīng)用做一下簡單的分析。
美國國家半導(dǎo)體公司 (NS)的高保真度LME™ 音頻放大器系列再添加兩款新品。這兩款200V的單聲道音頻功率放大器輸入級新品,不但失真率低于同類競爭產(chǎn)品,而且還為設(shè)計者縮短系統(tǒng)設(shè)計周期。
美國國家半導(dǎo)體公司 (NS)的高保真度LME™ 音頻放大器系列再添加兩款新品。這兩款200V的單聲道音頻功率放大器輸入級新品,不但失真率低于同類競爭產(chǎn)品,而且還為設(shè)計者縮短系統(tǒng)設(shè)計周期。
美國國家半導(dǎo)體(NS)宣布推出200V功率放大器輸出級驅(qū)動器系列的另一新型號。這款型號為LME49810的200V單芯片驅(qū)動器內(nèi)置Baker補償性鉗位電路,可以執(zhí)行許多分立元件的功能,使高功率音頻放大器可以減省超過25顆分立元件。
日前,互動多媒體芯片設(shè)計公司埃派克森微電子,慶祝了其五周年華誕。埃派克森公司于2002年由高勇回國創(chuàng)立,后由風(fēng)險投資公司注資。擁有近五十項已發(fā)布和正在申請的全球?qū)@夹g(shù),部分專利是互動多媒體領(lǐng)域的基礎(chǔ)或核