12月13日至15日在美國舊金山舉行的的美國電氣與電子工程師學(xué)會(IEEE)國際電子器件會議(IEDM)上,來自飛利浦的研發(fā)專家發(fā)表了17余篇關(guān)于尖端半導(dǎo)體研發(fā)的論文,詳細(xì)介紹了飛利浦與比利時微電子研究中心(IMEC)以
飛利浦(Philips)公司日前宣布在LDMOS技術(shù)上取得重大突破,可降低3G蜂窩基站的復(fù)雜性和運(yùn)營成本,同時大大增強(qiáng)性能和可靠性。采用飛利浦新型第4代LDMOS技術(shù)生產(chǎn)的射頻功率晶體管與現(xiàn)有LDMOS器件相比,增益更大,運(yùn)行效率更高。因此,射...