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組建一個(gè)電磁兼容實(shí)驗(yàn)室的方法
產(chǎn)品必須符合EMC(電磁兼容)要求，歐洲規(guī)定：銷售違反電磁兼容法令(89/336/EEC)的產(chǎn)品將面臨高額罰款，因此，商家越來越重視產(chǎn)品的電磁兼容性問題，為了降低成本，要根據(jù)公司需求和規(guī)模的不同，組建一個(gè)EMC實(shí)驗(yàn)室，本
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接觸式圖像傳感器在圖像采集上的應(yīng)用
圖像傳感器是利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像的光信號轉(zhuǎn)換為電信號的一種裝置。傳統(tǒng)的CCD技術(shù)上已經(jīng)比較成熟，然而由于工藝復(fù)雜導(dǎo)致成本居高不下，大大限制了其推廣與應(yīng)用。于是，接觸式圖像傳感器(CIS，Contact Image Senso
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接觸式圖像傳感器在圖像采集上的應(yīng)用
圖像傳感器是利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像的光信號轉(zhuǎn)換為電信號的一種裝置。傳統(tǒng)的CCD技術(shù)上已經(jīng)比較成熟，然而由于工藝復(fù)雜導(dǎo)致成本居高不下，大大限制了其推廣與應(yīng)用。于是，接觸式圖像傳感器(CIS，Contact Image Senso
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中興通訊去年專利申請數(shù)第一 華為第三
世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布的最新數(shù)據(jù)顯示，2011年國際專利申請數(shù)量達(dá)到181900件，比上年增長10%，創(chuàng)歷史新高。WIPO總干事Francis Gurry表示：“盡管全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)低迷，但全球企業(yè)的發(fā)明創(chuàng)新活動(dòng)并沒有因此受到影響
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世界知識產(chǎn)權(quán)組織：中國專利申請去年增33%
據(jù)路透社報(bào)道，一位聯(lián)合國官員在周一表示，全球范圍的專利申請數(shù)在去年達(dá)到了一個(gè)歷史性高度，這其中主要的增長是來自于中國及其它中等收入的國家和地區(qū)。世界知識產(chǎn)權(quán)組織公布2011年全球?qū)＠暾埧倲?shù)為181900項(xiàng)，較
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中國專利申請去年增33% 中興通訊申請數(shù)第一
北京時(shí)間3月6日消息，世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布的最新數(shù)據(jù)顯示，2011年國際專利申請數(shù)量達(dá)到181900件，比上年增長10%，創(chuàng)歷史新高。WIPO總干事Francis Gurry表示：“盡管全球經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)低迷，但全球企業(yè)的發(fā)明創(chuàng)
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策略布局見效果 張忠謀：臺積電20奈米最快明年起貢獻(xiàn)營收
臺積電 (2330-TW)(TSM-US) 董事長暨總執(zhí)行長張忠謀今(5)日出席臨時(shí)董事會決議說明記者會強(qiáng)調(diào)，28/20奈米營收貢獻(xiàn)將逐年攀升。其中20奈米部分，最快明(2013)年可望開始貢獻(xiàn)營收。 他指出，就臺積電技術(shù)與營運(yùn)事業(yè)發(fā)
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解讀夏普與奇美電子合作的意義
2011年2月4日，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》等媒體報(bào)道了夏普與臺灣奇美電子（Chi Mei Innolux）合作的消息。報(bào)道指出兩家公司的主要合作內(nèi)容包括：（1）夏普向奇美轉(zhuǎn)讓最新液晶面板技術(shù)，（2）夏普采購奇美制造的20～39英寸液晶
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中國國際科學(xué)儀器及實(shí)驗(yàn)室裝備展覽會今日開幕
今天，第九屆中國國際科學(xué)儀器及實(shí)驗(yàn)室裝備展覽會在北京拉開帷幕，此次展會將持續(xù)到4月27日。此次展會共有700家國內(nèi)外科學(xué)儀器及實(shí)驗(yàn)室裝備的相關(guān)企業(yè)參與，展出面積達(dá)30000平方米。 展會將更加重點(diǎn)突出國際化和專業(yè)
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肯尼亞推遲非法手機(jī)禁令最后期限
北京時(shí)間12月21日早間消息（蔣均牧）據(jù)國外媒體報(bào)道，肯尼亞電信監(jiān)管機(jī)構(gòu)CKK已推遲運(yùn)營商禁止非法手機(jī)入網(wǎng)的期限直至2012年4月，理由是網(wǎng)絡(luò)中缺乏探測非法手機(jī)的必須設(shè)備。該項(xiàng)禁令的生效期已從今年9月底延至年底前
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醫(yī)院HIS升級 衛(wèi)生信息化加快進(jìn)展
一二線城市各級醫(yī)院HIS升級契機(jī)來臨 筆者通過對一二線城市的三級醫(yī)院、二級醫(yī)院及部屬醫(yī)院進(jìn)行調(diào)研發(fā)現(xiàn)，近期HIS系統(tǒng)在一二線城市的各級醫(yī)院滲透率已經(jīng)較高，但上線時(shí)間較長。一般三級醫(yī)院HIS系統(tǒng)的上線時(shí)間已經(jīng)超過
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移動(dòng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)BSI加速發(fā)展
智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等手持式裝置當(dāng)?shù)?，且對于相機(jī)畫素規(guī)格要求愈來愈高，不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn)，預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination;BSI)制程，Omniv
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移動(dòng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)BSI加速發(fā)展
智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等手持式裝置當(dāng)?shù)?，且對于相機(jī)畫素規(guī)格要求愈來愈高，不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn)，預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination；BSI)制程，Omni
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移動(dòng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)BSI加速發(fā)展
智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等手持式裝置當(dāng)?shù)溃覍τ谙鄼C(jī)畫素規(guī)格要求愈來愈高，不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn)，預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination；BSI)制程，Omni
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移動(dòng)設(shè)備盛行半導(dǎo)體/設(shè)備廠搶進(jìn)BSI制程
連于慧／臺北 智慧型手機(jī)、平板電腦等手持式裝置當(dāng)?shù)?，且對于相機(jī)畫素規(guī)格要求愈來愈高，不但是畫素規(guī)格朝800萬邁進(jìn)，預(yù)期2012年起1,200萬畫素CIS將成為主流趨勢，CIS技術(shù)紛紛導(dǎo)入背照式(Backside Illumination；BSI
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CMOS與CCD圖像傳感器
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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CMOS與CCD圖像傳感器
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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CMOS與CCD圖像傳感器
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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CMOS與CCD圖像傳感器
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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2011年中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商隆重揭曉
在工信部和中國電子學(xué)會的支持下，由中國電子展組委會主辦，電子元件技術(shù)網(wǎng)組織實(shí)施的“2011年度中國電子制造商采購行為調(diào)查暨中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商評選”結(jié)果在本屆電子展期間隆重揭曉。共有28家國際和國內(nèi)電
