胡皓婷/臺北 近來市場上傳出,因晶圓代工端產能吃緊,故使得部分CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)業(yè)者供貨不順,而自家擁有產能的業(yè)者可望因此獲得更多訂單。 其中,Aptina因有美光(Micron Technology)的
日本昭和殼牌石油(ShowaShellSekiyuKK)21日發(fā)布新聞稿宣布,旗下全資子公司SolarFrontier(舊稱ShowaShellSolar)已和德國太陽能發(fā)電系統(tǒng)整合商MHHSolartechnikGmbH簽署了太陽能電池販售合作契約,SolarFrontier將自20
全球電子設計創(chuàng)新企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司 ,日前宣布在幫助ASIC與FPGA設計者們提高驗證效率方面取得最新重大進展。加上對最新Accellera Universal Verification Methodology (UVM) 1.0業(yè)界標準的全面支持,600多
MIPS 體系和CISC體系結構有什么不同
新一代RX系列32位CISC MCU(瑞薩電子)
· 明輸出VP是指當CIS讀取白樣張時,光電傳感器輸出的電信號值。· 明偏差UP是指像素陣列中,所有像素點的明輸出的偏差值。·
北京時間10月26日上午消息(蔣均牧)據(jù)國外媒體報道,俄羅斯聯(lián)邦反壟斷局(FAS)已命令該國三大移動運營商MegaFon、MTS和VimpelCom,降低他們用戶在其他獨聯(lián)體(CIS)的漫游資費,并改善定價透明度。俄反壟斷局與哈
韓國現(xiàn)代重工業(yè)株式會社(HyundaiHeavyIndustries)與法國圣戈班集團(Saint-Gobain)將在韓國合作興建最大的薄膜太陽能電池工廠。雙方將各自向該廠投資1100億韓圜(9900萬美元),總投資為1.98億美元。雙方的合作將采取合
北京時間9月7日早間消息(仰常山)2009年,華為在土耳其市場銷售額為4.6億美元,今年的目標是突破5億美元。中國是土耳其第二大貿易伙伴國,華為、中興等公司都在土耳其進行投資。據(jù)土耳其《世界報》報道,華為集團土
北京時間8月17日消息,據(jù)國外媒體報道,谷歌前高管、天使投資公司Felicis Venture創(chuàng)始人艾丁·森庫特(Aydin Senkut)剛剛為四年前成立的這家公司籌集了4000萬美元的資金。Felicis Venture這一輪融資活動的超額融
德國銅銦硒(CIS)薄膜模塊生產商Sulfurcell公司于2010年7月28日與中國和印度簽署供應16MW產品協(xié)議。Sulfurcell公司的黑色模塊尤其適用于建筑一體化太陽能發(fā)電系統(tǒng)。在中國,有超過10MW的Sulfurcell的太陽能電池板將被
來自全球太陽能產業(yè)巨人的投資使得德國光伏產業(yè)實現(xiàn)穩(wěn)步增長,在2009年其3.8GW的總裝機容量或者一半新的裝機容量,使其在這一領域居于世界領先地位??偛课挥诿绹腇irstSolarInc.,通過對其位于法蘭克福的制造工廠投
新瑞薩公布它的微控制器(MCU)路線圖,但是并未透露計劃細節(jié),預計將用它新的結構產品來復蓋市場。針對全球上升的8位,16位及32位MCU市場那些它的競爭對手會不會感到威脅是個問題。至少從目前的態(tài)勢似乎瑞薩的競爭對手并
用友醫(yī)療衛(wèi)生信息系統(tǒng)有限公司總經理 吳曉冬 4月29日,由用友醫(yī)療衛(wèi)生信息系統(tǒng)有限公司主辦的基于健康檔案的區(qū)域衛(wèi)生信息平臺建設方案專題研討會在北京召開,會上,用友醫(yī)療公司總經理吳曉冬表示,在專業(yè)化基礎
瑞薩公布MCU路線圖競爭對手會感到有威脅嗎?
晶圓代工業(yè)者世界先進(5347)在歷經面板產業(yè)Q4較積極的庫存調整洗禮后,受惠于歐美TV終端需求仍穩(wěn)定成長,加上大陸地區(qū)農歷年前亦存在備貨需求,預期LCD產業(yè)明年Q1即可望展開復蘇,該公司亦可望因此受惠。法人預期,世
全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司今天宣布,位于中國深圳的、無晶圓廠集成電路設計領先企業(yè)芯邦科技股份有限公司已采用Cadence Incisive Xtreme III系統(tǒng)來加速其RTL設計流程,并為下一代數(shù)字消費和網(wǎng)絡芯
臺積電(2330)65奈米接獲全球感測影像組件大廠豪威(OmniVision)最新OmniBSI-2技術代工訂單,這是豪威第一次使用65奈米生產新產品,有助臺積電本季12吋產能利用率持續(xù)拉高滿載,達成淡季不淡的目標。 臺積電預估
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后,以電荷的方
CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后,以電荷的方