CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

Sony或收購(gòu)瑞薩晶圓廠，擴(kuò)增CMOS芯片產(chǎn)能

Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬(wàn)美元收購(gòu)日本瑞薩電子(Renesas Elctronics)旗下晶圓廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器產(chǎn)能。目前該公司在這個(gè)市場(chǎng)已經(jīng)擁有大約30％的市占率了。兩家公司預(yù)

消費(fèi)電子
2013-12-10

CMOS SONY 晶圓廠芯片
HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場(chǎng)份額

據(jù)外媒EETasia報(bào)道，統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)HIS預(yù)測(cè)稱2020年硅基氮化鎵LED市場(chǎng)占有率將達(dá)到40%，目前該種LED市場(chǎng)占有率僅為1%據(jù)HIS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場(chǎng)2013-2

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-12-09

晶片 LED 硅基氮化鎵 CMOS
Sony擬收購(gòu)瑞薩晶圓廠　擴(kuò)增CMOS芯片產(chǎn)能

Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬(wàn)美元收購(gòu)日本瑞薩電子(Renesas Elctronics)旗下晶圓廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像感測(cè)器產(chǎn)能。目前該公司在這個(gè)市場(chǎng)已經(jīng)擁有大約30％的市占率了。兩家

模擬
2013-12-09

CMOS SONY 晶圓廠芯片
石墨烯傳感器被研制，比傳統(tǒng)傳感器強(qiáng)1000倍

新加坡南洋理工大學(xué)助理教授 Wang Qijie 和他的研究小組精心研制了一片石墨烯傳感器。這一新研發(fā)的傳感器將有機(jī)會(huì)應(yīng)用于紅外拍攝、交通超速拍照、衛(wèi)星地圖等等許多相關(guān)設(shè)備。研究團(tuán)隊(duì)正致力于將其開發(fā)成為商業(yè)產(chǎn)品。

測(cè)試測(cè)量
2013-12-07

電子傳感器石墨烯 CMOS
成像感應(yīng)器廠家瑞薩電子或被索尼收購(gòu)

隨著智能手機(jī)和平板電腦需求的不斷增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)于成像感應(yīng)器的需求也是越來(lái)越高。據(jù)Techno Systems Research的預(yù)計(jì)，全球CMOS感應(yīng)器市場(chǎng)的規(guī)模將在未來(lái)5年增長(zhǎng)60%，達(dá)到122.8億美元。為了提高成像感應(yīng)器的產(chǎn)量，近日

測(cè)試測(cè)量
2013-12-07

索尼瑞薩電子感應(yīng)器 CMOS
TD-LTE時(shí)代來(lái)臨開啟半導(dǎo)體廠商新戰(zhàn)場(chǎng)

【導(dǎo)讀】中國(guó)大陸TD-LTE手機(jī)市場(chǎng)戰(zhàn)火快速延燒。中國(guó)大陸政府即將對(duì)叁大電信商釋出TD-LTE牌照，激勵(lì)品牌廠加碼投入TD-LTE手機(jī)研發(fā)，因此基帶芯片商及功率放大器等業(yè)者，皆已展開供應(yīng)鏈搶單大戰(zhàn)，卡位TD-LTE市場(chǎng)商機(jī)。

半導(dǎo)體
2013-11-23

中國(guó)移動(dòng) 半導(dǎo)體廠商 TD-LTE CMOS
電路中7個(gè)常用接口類型之要點(diǎn)說(shuō)明

我們知道，在電路系統(tǒng)的各個(gè)子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)可能會(huì)存在一些問(wèn)題導(dǎo)致信號(hào)無(wú)法正常、高質(zhì)量地“流通”，例如有時(shí)電路子模塊各自的工作時(shí)序有偏差(如CPU與外設(shè))或者各自的信號(hào)類型不一致(如傳感器檢測(cè)光

模擬
2013-11-21

接口電路光隔離 CMOS
圖像傳感器大PK：CMOS較量CCD

圖像傳感器包括CCD與CMOS兩種。其中，CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡(jiǎn)稱，CMOS是“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡(jiǎn)稱。CCD是1970年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的W·B·B

半導(dǎo)體
2013-11-20

圖像傳感器噪聲 CCD CMOS
CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-18

定時(shí)電路 IC BSP CMOS
CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-18

定時(shí)電路 IC BSP CMOS
備忘錄：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月15日）

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局今日在網(wǎng)上公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月15日)》，布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)就是布圖設(shè)計(jì)的創(chuàng)作人或者其他權(quán)利人對(duì)布圖設(shè)計(jì)所享有的權(quán)利，具體來(lái)說(shuō)，就是指國(guó)家依據(jù)有關(guān)集成電路的法律規(guī)

半導(dǎo)體
2013-11-15

集成電路信息技術(shù) 線性 CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

消費(fèi)電子
2013-11-13

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-13

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

模擬
2013-11-12

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

訊：比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化

半導(dǎo)體
2013-11-12

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化

模擬
2013-11-11

半導(dǎo)體晶片 FINFET CMOS
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月8日）

訊：11月8日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月8日)》，據(jù)悉，世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織于1989年5月通過(guò)了《關(guān)于集成電路的知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》。以下是國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)

半導(dǎo)體
2013-11-08

集成電路線性 IO CMOS
模擬計(jì)數(shù)器電路圖

如圖所示，這個(gè)簡(jiǎn)單的電路在電平檢測(cè)器中使用一個(gè)LM311，并且用一個(gè)CMOS模擬電門來(lái)釋放電容。這種計(jì)數(shù)器的一大特點(diǎn)就是數(shù)可以改變。只有當(dāng)比較器運(yùn)行地較快時(shí)才需要改變電壓的大小。用相同的道理可以設(shè)計(jì)出一個(gè)價(jià)格便

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-05

模擬電路圖計(jì)數(shù)器電路 CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出

模擬
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

器件導(dǎo)通電阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關(guān)時(shí)間和0.033μW的功耗21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)

功率器件
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS

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CMOS

Sony或收購(gòu)瑞薩晶圓廠，擴(kuò)增CMOS芯片產(chǎn)能

HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場(chǎng)份額

Sony擬收購(gòu)瑞薩晶圓廠　擴(kuò)增CMOS芯片產(chǎn)能

石墨烯傳感器被研制，比傳統(tǒng)傳感器強(qiáng)1000倍

成像感應(yīng)器廠家瑞薩電子或被索尼收購(gòu)

TD-LTE時(shí)代來(lái)臨開啟半導(dǎo)體廠商新戰(zhàn)場(chǎng)

電路中7個(gè)常用接口類型之要點(diǎn)說(shuō)明

圖像傳感器大PK：CMOS較量CCD

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

備忘錄：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月15日）

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月8日）

模擬計(jì)數(shù)器電路圖

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

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