CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

TTL與CMOS的接口電路a

TTL與CMOS的接口電路a

基礎實用電路
2014-04-20

CMOS TTL 接口電路
CMOS與開關放大器的接口電路c

CMOS與開關放大器的接口電路c

基礎實用電路
2014-04-20

開關放大器 CMOS 接口電路
CMOS與開關放大器的接口電路b

CMOS與開關放大器的接口電路b

基礎實用電路
2014-04-20

開關放大器 CMOS 接口電路
CMOS與開關放大器的接口電路a

CMOS與開關放大器的接口電路a

基礎實用電路
2014-04-20

開關放大器 CMOS 接口電路
AC-SSR應用電路d

AC-SSR應用電路d

基礎實用電路
2014-04-20

應用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應用電路c

AC-SSR應用電路c

基礎實用電路
2014-04-20

應用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應用電路b

AC-SSR應用電路b

基礎實用電路
2014-04-20

應用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應用電路a

AC-SSR應用電路a

基礎實用電路
2014-04-20

應用電路 AC CMOS TTL
Peregrine半導體公司在電子設計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

這是產業(yè)界第一個可重構射頻前端，將促成單一平臺設計并支持TDD-LTE網絡北京－電子設計創(chuàng)新會議（EDI CON 2014）─ 2014年4月9日─ Peregrine半導體公司（納斯達克股票代碼：PSMI ）是射頻SOI（絕緣體上硅）技術的創(chuàng)

半導體
2014-04-16

ACM GLOBAL ULTRA CMOS
Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案，它采用Peregrine的130納米RF-SOI工藝技術的UItraCMOS 10工藝技術平臺。這是業(yè)界又一次對GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功

21ic專訪
2014-04-15

砷化鎵 RF GLOBAL CMOS
Peregrine半導體場推出UltraCMOS Global 1射頻前端

Peregrine半導體公司在電子設計創(chuàng)新會議(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS Global 1是行業(yè)中第一個可重構射頻前端( RFFE )系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所

通信技術
2014-04-14

ACM GLOBAL ULTRA CMOS
基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設計

　在無線射頻接收機中，射頻信號要經過諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進行傳輸。由于每個單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級級聯(lián)的系統(tǒng)

功率器件
2014-04-11

低噪聲放大器放大器噪聲系數(shù) CMOS
國內首顆可量產并具自主知識產權的CMOS GSM射頻前端芯片

中科漢天下致力于無線通信芯片及射頻前端芯片的研發(fā)。日前，該公司推出了國內首顆可大規(guī)模量產并具有完全自主知識產權的CMOS GSM射頻前端芯片—HS8269。 HS8269采用標準CMOS工藝，將全部電路（射頻功率放大器、

通信技術
2014-04-11

芯片射頻前端 GSM CMOS
專家觀點：FD SOI是20奈米節(jié)點最佳方案

全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導體制程節(jié)點的最佳解決方案，主要原因是該技術與塊狀CMOS制程技術相比，其成本與泄漏電流較低，性能表現(xiàn)則更高。同樣是100mm

模擬
2014-04-08

節(jié)點制程技術 FINFET CMOS
3D IC 封測臺廠續(xù)布局

封測臺廠持續(xù)布局3D IC。智慧型手機用CMOS影像感測元件，可率先采用3D IC技術，預估到2016年，整合應用處理器和記憶體的3DIC技術，有機會量產。媒體日前報導記憶體大廠美光(Micron)為布局3D IC技術，計劃透過華亞

模擬
2014-04-06

元件 IC CMOS
專家：FinFET并非半導體演進最佳選項

在歷史上，半導體產業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極

模擬
2014-04-01

半導體節(jié)點 FINFET CMOS
Sony擴產CMOS影像傳感元件買瑞薩鶴岡工廠風險大

日本家電巨擘Sony從2008~2011會計年度(2008/4~20012/3)，最終損益連續(xù)4年虧損，2012會計年度雖轉虧為盈，但2013會計年度估計又為虧損，主因為本業(yè)的家電事業(yè)持續(xù)虧損。因此英美的投資機構，均將Sony的債券列為垃圾級

半導體
2014-03-31

元件傳感 SONY CMOS
采用CMOS數(shù)字集成電路的搶答電路

采用CMOS數(shù)字集成電路的搶答電路

光電顯示電路
2014-03-23

數(shù)字集成電路 CMOS
LED芯片制作中襯底知識大全

外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下

顯示光電
2014-03-23

DRAM 電極 LED芯片 CMOS
高通創(chuàng)銳訊與RFaxis協(xié)作開發(fā)3x3 11ac解決方案，采用CMOS RF前端大幅度降低物料成本

美國高通技術公司旗下子公司—高通創(chuàng)銳訊最近與無晶圓半導體企業(yè)RFaxis公司合作，為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新的下一代RF解決方案。高通創(chuàng)銳訊與RFaxis協(xié)作開發(fā)3x3 <wbr>11ac解決方案，采用CMOS <wbr>

通信技術
2014-03-19

RF AC CMOS

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CMOS與開關放大器的接口電路c

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