CMOS
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ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運算放大器
中國上海，2025年7月29日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產品非常適用于電池或充電電池驅動的便攜式測量儀、可穿戴設備和室內探測器等小型應用中的測量放大器。
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太赫茲射頻前端集成：InP HEMT與CMOS的異質封裝方案
太赫茲（THz）波段位于微波與紅外光之間，具有獨特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、安全檢測等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而，太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關鍵組成部分，其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管（InP HEMT）憑借其優(yōu)異的高頻性能，在太赫茲頻段具有出色的增益和噪聲特性；而互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術則以其高集成度、低成本和成熟的制造工藝著稱。將InP HEMT與CMOS進行異質封裝，整合兩者的優(yōu)勢，成為實現(xiàn)高性能、低成本太赫茲射頻前端集成的有效途徑。
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量子-經(jīng)典混合芯片的接口設計，超導量子比特到CMOS控制電路的協(xié)同
量子計算邁向實用化的進程，量子-經(jīng)典混合芯片架構成為突破技術瓶頸的關鍵路徑。超導量子比特雖具備高速門操作與可擴展性優(yōu)勢，但其運行需在毫開爾文級低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集成度。這種物理條件的極端差異，催生了量子-經(jīng)典接口設計的核心挑戰(zhàn)：如何在超低溫與室溫之間實現(xiàn)高效、低噪聲的信號傳輸與協(xié)同控制。從超導諧振腔的量子態(tài)編碼到CMOS芯片的脈沖序列生成，接口設計正成為連接量子世界與經(jīng)典世界的橋梁。
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什么是BiCMOS？BiCMOS的工藝流程是什么樣的？
為增進大家對BiCMOS技術的認識，本文將對BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。
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CMOS圖像傳感器工作過程: 復位、光電轉換、積分、讀出幾部分介紹
CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅動器、列驅動器、時序控制邏輯、AD轉換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。
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雙極結型晶體管展現(xiàn)實力
在 CMOS 和寬帶隙半導體技術的進步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設備仍然在各種類型的電子設備中大量高效可靠地運行。事實上，在某些應用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產品。 BJT 技術的最新改進將使它們成為半導體技術領域的重要組成部分。
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高速AD轉換器的生存指南，第四部分
類似的原理也可以應用于任何使用差動信號的高速接口技術。事實上,隨著數(shù)據(jù)傳輸速度的加快,需要增加對這些項目的關注。隨著數(shù)據(jù)速率進入Gbps范圍,過程和板幾何形狀變得更小,在短得多的傳輸距離時,串擾等不必要的影響會成為一個問題。
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高速AD轉換器的生存指南，第三部分
在模擬數(shù)字轉換器(ADC)空間,目前主要有三種類型的數(shù)字輸出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,這三種輸出是互補金屬氧化物半導體(CMOS)、低壓差動信令(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。
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高速AD轉換器的生存指南，第二部分
目前，已經(jīng)有兩個標準已經(jīng)編寫來定義LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644規(guī)范,題為"低壓差動信令(LVDS)接口電路的電氣特性。另一種是題為"用于可伸縮相干接口的低壓差動信號(LVDS)標準"的IEEE標準159.3。"
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高速AD轉換器的生存指南，第一部分
由于設計者可以選擇許多類似數(shù)字轉換器,在選擇過程中需要考慮的一個重要參數(shù)是包括的數(shù)字數(shù)據(jù)輸出類型。目前,高速轉換器使用的三種最常見的數(shù)字輸出類型是互補金屬氧化物半導體(CMOS)、低壓微分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。
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ISP+可拓展算力組合，飛凌微實現(xiàn)圖像傳感器與SoC之間更好的融合
當前端側AI正在快速落地推進，而智能車載領域尤為活躍，特別是在國內市場，智能車載的快速發(fā)展引人注目。據(jù)Yole預測，2023年至2029年，全球車載攝像頭市場規(guī)模將從57億美元增至84億美元。但目前車載視覺系統(tǒng)方案尚未統(tǒng)一，既有大域控制架構的探索，也有分布式架構的應用。而在分布式架構的應用場景中，面臨的主要挑戰(zhàn)在于如何更好地融合圖像傳感器與SoC，以實現(xiàn)性能與成本的最佳平衡。此外，在技術層面，需要通過更先進的平臺工具和AI加速技術，結合圖像性能優(yōu)化手段，推動技術的迭代與升級。
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如何處理CMOS接口電路問題？CMOS電路SCR閂鎖介紹
一直以來，CMOS電路都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞢MOS電路的相關介紹，詳細內容請看下文。
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最強梳理! 使用CMOS集成電路需注意的幾個問題
集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。
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如何提高BJT開關速度？為什么BJT比CMOS速度要快？
在這篇文章中，小編將對BJT的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
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一種改進型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路
在現(xiàn)代通信及電子系統(tǒng)中，鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop, PLL)是一種重要的頻率同步與控制技術。CMOS電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase-Locked Loop, CPPLL)因其開環(huán)增益大、捕獲范圍寬、捕獲速度快、穩(wěn)定度高和相位誤差小等優(yōu)勢，被廣泛應用于無線通信、時鐘恢復及頻率合成等領域。然而，傳統(tǒng)CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路存在電流失配、電荷共享和時鐘饋通等問題，這些問題限制了其性能和應用范圍。本文設計了一種改進型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路，通過優(yōu)化電荷泵電路和增加開關噪聲抵消電路，有效解決了上述問題，并擴展了鎖相環(huán)的鎖頻范圍。
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如何設計CMOS運放？超詳細設計過程，看完必會！
本文中，小編將對CMOS運放設計予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內容哦。
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1款模擬開關應用電路的糾錯與改正！
在這篇文章中，小編將對一個模擬開關應用電路進行糾錯，并對錯誤的模擬開關應用電路進行改正。通過這篇文章，小編希望大家可以對模擬開關應用電路有所認識和了解，詳細內容如下。
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CMOS數(shù)字集成電路概述及其特點
在現(xiàn)代電子技術的發(fā)展中，集成電路作為電子系統(tǒng)的核心，其性能和技術水平直接決定了整個電子系統(tǒng)的性能和可靠性。CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)數(shù)字集成電路，作為當前應用最廣泛的集成電路技術之一，其獨特的結構和優(yōu)異的性能使其在計算機、通信、消費電子等眾多領域發(fā)揮著至關重要的作用。本文將對CMOS數(shù)字集成電路進行詳細介紹，并探討其特點。
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全局快門賦予機器人更“快”的環(huán)境感知和捕捉能力——思特威CMOS圖像傳感器SC038HGS亮相松山湖論壇
據(jù)思特威銷售總監(jiān)宗翔（Will Zong）介紹：“全局快門的傳感器，會分為全局快門和卷簾快門兩種技術。全局快門的產品，參數(shù)上幀率會達到120幀，或者240幀甚至更高，卷簾快門一般做一些監(jiān)控類應用的話，幀率只有30幀，全局快門更適合于拍攝快速移動的物品，這個才是全局快門和卷簾快門最主要的區(qū)別。”
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前有禁令，后有三星，索尼還能穩(wěn)坐CMOS圖像傳感器的王座嗎？
索尼亟需打破自身保守謹慎的態(tài)度，雙管齊下智能手機與汽車市場，在技術研發(fā)上秉持創(chuàng)新精神，推出更具競爭力的CIS“黑科技”，才能在下半場的市場爭奪戰(zhàn)中站穩(wěn)腳跟，否則就只能看著三星一路高歌了。資本市場往往以利益為重，不料被政治橫插了一腳。在遭受美國連續(xù)幾輪打壓后，華為不堪重負，高端手機出貨量驟減。而產業(yè)鏈上下游市場牽一發(fā)而動全身，索尼（Sony）在內的供應鏈企業(yè)成了華為禁令的間接受害者，營收額下滑不說，鎧俠（Kioxia）甚至推遲了IPO計劃。
