DDR

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SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、

通信技術(shù)
2012-06-25

SRAM DDR 計數(shù)器
GDDR6顯存啟動 2014年到來

GDDR5顯存已經(jīng)成為中高端獨立顯卡的標(biāo)配，頻率也在不斷拔高，現(xiàn)在動不動就上6GHz。很自然地你也應(yīng)該能想到，下一代GDDR6悄然已經(jīng)啟動了。GDDR6的標(biāo)準制定工作由JEDEC負責(zé)，而其中占據(jù)主導(dǎo)地位的還是AMD。事實上，GDD

智能硬件
2012-06-25

AMD 顯存 DDR4 DDR
SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

嵌入式軟件
2012-06-23

SRAM DDR 計數(shù)器
便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達到JEDEC(電子器件工程設(shè)計聯(lián)合會)的標(biāo)準規(guī)范(JESD79E)，對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個

線性電源
2012-06-09

內(nèi)存便攜設(shè)備電源解決方案 DDR
便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達到JEDEC(電子器件工程設(shè)計聯(lián)合會)的標(biāo)準規(guī)范(JESD79E)，對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個

功率器件
2012-06-09

內(nèi)存便攜設(shè)備電源解決方案 DDR
三星Hynix擴容LPDDR內(nèi)存產(chǎn)能

三星電子和Hynix半導(dǎo)體都采用30nm技術(shù)，積極擴容生LPDDR2 DRAM芯片，同時已經(jīng)拿出LPDDR3樣品，并且將于2012年下半年批量生產(chǎn)。兩個廠商都在摩拳擦掌，以滿足云計算應(yīng)用對LPDDR系列內(nèi)存需求。與此同時，美光科技公司的

智能硬件
2012-05-30

三星內(nèi)存 PD DDR
采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計

嵌入式教程
2012-05-28

Xilinx FPGA SDRAM DDR
三星傳將中止GDDR5顯存生產(chǎn)

們獲悉，有傳聞表示，顯存生產(chǎn)大戶韓國三星電子有可能中止顯存業(yè)務(wù)，停止生產(chǎn)顯卡用顯存芯片，這意味著GDDR5顯存少了一家供貨商。如果傳聞成真，那么NVIDIA、AMD和Intel以及其它一些使用GDD5芯片的廠商，都會心急如焚

智能硬件
2012-05-25

三星顯卡顯存 DDR
三星將采用20nm工藝制造4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒

繼去年采用30nm制程生產(chǎn)目前存儲密度最高的4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒之后，昨日三星正式宣布該公司開始使用最新的20nm制程工藝制造這一產(chǎn)品。新的20nm工藝4Gbit LPDDR2內(nèi)存顆粒更?。核念w粒堆疊封裝組成的一塊2GByte LPD

智能硬件
2012-05-21

三星內(nèi)存 PD DDR
減少DDR記憶體驗負載的探測技術(shù)

DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統(tǒng)的驗證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計最具挑戰(zhàn)性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗證這些系統(tǒng)的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測技術(shù)變成了一個值得深

測試測量
2012-05-14

電路板電容探測技術(shù) DDR
DDR測試技術(shù)介紹與工具分析

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國

測試測量
2012-05-04

測試技術(shù) 時序 BSP DDR
DDR測試技術(shù)介紹與工具分析

DDR測試技術(shù)介紹與工具分析

嵌入式軟件
2012-05-02

測試技術(shù) 時序 BSP DDR
DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時代步伐？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國

測試測量
2012-03-23

測試技術(shù) 時序 DDR3 DDR
Cyclone II實現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

Cyclone II實現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

嵌入式教程
2012-03-19

接口 SDRAM CYCLONE DDR
Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計

嵌入式教程
2012-03-17

Altera PCI EXPRESS DDR
DDR-1500/DSC-2200在高性能測試測量中的應(yīng)用

GE智能平臺的DDR-1500高性能測試測量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來實現(xiàn)高性能測試測量。在測試測量過程中及時進行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動態(tài)監(jiān)測情況

測試測量
2012-03-13

測試測量 GE DSC DDR
平臺ASIC架構(gòu)與傳統(tǒng)ASIC設(shè)計對比分析

采用先進半導(dǎo)體工藝，結(jié)構(gòu)化ASIC平臺可以提供更多經(jīng)預(yù)定義、預(yù)驗證和預(yù)擴散的金屬層，并支持各種存儲器接口，能簡化接口設(shè)計和時序問題。本文詳細介紹了結(jié)構(gòu)化ASIC平臺的這些特點和性能。最新的ASIC設(shè)計架構(gòu)能夠大大

電子設(shè)計自動化
2012-03-12

金屬 ASIC設(shè)計 BSP DDR
汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號的PCB設(shè)計

在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計當(dāng)中，一塊PCB上的最高時鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時鐘頻率超過100MHz,有的甚至達到了GHz數(shù)量級。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動的串行式設(shè)計方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計要

汽車電子
2012-02-12

導(dǎo)航系統(tǒng) 汽車音響 PCB設(shè)計 DDR
基于i.MX51的應(yīng)用處理器開發(fā)評估方案設(shè)計

基于i.MX51的應(yīng)用處理器開發(fā)評估方案設(shè)計

嵌入式教程
2012-01-17

應(yīng)用處理器 MDASH I.MX DDR
中國聯(lián)通攜手寶馬共推互聯(lián)駕駛服務(wù)

12月7日，中國聯(lián)通與寶馬公司在上海舉行新聞發(fā)布會，宣布將在中國合作推廣BMW互聯(lián)駕駛（BMW ConnectedDrive）服務(wù)。根據(jù)協(xié)議，中國聯(lián)通將提供基于2G GSM、3G WCDMA網(wǎng)絡(luò)的移動通信、系統(tǒng)集成、呼叫中心、內(nèi)容提供等綜

通信技術(shù)
2011-12-07

中國聯(lián)通寶馬 CONNECTED DDR

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DDR

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

GDDR6顯存啟動 2014年到來

SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

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三星Hynix擴容LPDDR內(nèi)存產(chǎn)能

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