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Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的穩(wěn)壓器 LTM4632

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩(wěn)壓器 LTM4632，用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個電壓軌供電：VD

線性電源
2016-04-15

ddr Linear sram 電源新品穩(wěn)壓器 qdr4 ltm4632
高速數(shù)字電路設計：互連時序模型與布線長度分析

高速電路設計領域，關于布線有一種幾乎是公理的認識，即“等長”走線，認為走線只要等長就一定滿足時序需求，就不會存在時序問題。本文對常用高速器件的互連時序建立模型，并給出一般性的時序分析公式。為

電子設計自動化
2015-05-27

PCB sdram phy芯片 ddr
e2v宣布計劃延長Micron部分SDR和DDR存儲產(chǎn)品的壽命

射頻功率、成像和高可靠性半導體解決方案領域的領軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v a&d) 近日宣布，將延長世界領先高級存儲解決方案供應商之一 Micron Techno

嵌入式硬件
2015-01-25

micron e2v 存儲技術(shù) ddr
詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD

單片機
2014-12-21

內(nèi)存條 SDRAM DDR DDR3
程序的思考(從單片機到PC)

關于程序的執(zhí)行，以前想的不多，沒有意識到一個程序在運行時，從哪里讀指令，數(shù)據(jù)又寫在哪里。從單片機上知道，在上電的那一刻，MCU的程序指針PC會被初始化為上電復位時的地址，從哪個地址處讀取將要執(zhí)行的指令，由此

單片機
2014-11-05

Flash 單片機 PC DDR
汽車音響導航系統(tǒng)中DDR高速信號的PCB設計

在以往汽車音響的系統(tǒng)設計當中，一塊PCB上的最高時鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時鐘頻率超過100MHz,有的甚至達到了GHz數(shù)量級。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)

嵌入式硬件
2014-09-01

導航系統(tǒng) 汽車音響 PCB設計 DDR
DDR內(nèi)存供電電路

DDR內(nèi)存供電電路

電源電路
2014-06-18

開關內(nèi)存供電電路 DDR
封測：京元電羽翼已豐，漸成硅品對手

【導讀】封測：京元電羽翼已豐，漸成硅品對手自半導體市場景氣于2001年跌落谷底而后翻揚后，封測產(chǎn)業(yè)大者恒大趨勢更為明顯，硅品為了與日月光、艾克爾、新科金朋（STATS-ChipPAC）等進行集團式對抗，董事長

半導體
2014-06-09

DRAM 內(nèi)存 DDR BSP
供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當紅

【導讀】供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當紅受惠于國際大廠如三星、海力士等將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND FLASH，DRAM產(chǎn)業(yè)今年供給吃緊，報價維持高檔，不像過去明顯受到PC淡季效應影響，加上第 4季PC傳統(tǒng)旺季來臨，需求明

半導體
2014-06-09

DRAM Flash DDR BSP
DRAM供應出現(xiàn)短缺，內(nèi)存價格即將“水漲船高”？

【導讀】DRAM供應出現(xiàn)短缺，內(nèi)存價格即將“水漲船高”？市場調(diào)研公司DRAMeXchange表示，目前由于DRAM市場向90納米工藝過渡，可能對供應構(gòu)成壓力，而且這種情況可能持續(xù)到11月份。雖然上周現(xiàn)貨市場的DRAM

半導體
2014-06-09

DRAM 內(nèi)存 DDR BSP
70奈米技術(shù) DRAM廠生存關鍵

【導讀】70奈米技術(shù) DRAM廠生存關鍵　　為強化競爭力，全球DRAM廠持續(xù)積極朝先進制程技術(shù)發(fā)展。有鑒于DDR2世代來臨，今年DRAM廠商競爭淘汰賽，將以90納米技術(shù)為基礎關卡，70納米為領先關鍵；今年，包括力晶、茂德

半導體
2014-06-09

DRAM 制程技術(shù) DDR BSP
三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回可能流向市場

【導讀】三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回可能流向市場據(jù)中國臺灣媒體報道，繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問題后，三星的68納米DRAM日前也曝出問題，導致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。今年4月，

半導體
2014-06-09

DRAM 三星 DDR BSP
BMW下一代ConnectedDrive車載系統(tǒng)：實現(xiàn)4G高速連接

【導讀】BMW已經(jīng)透露了下一代的內(nèi)置ConnectedDrive導航系統(tǒng)，在增強原有的功能之外還為這個平臺增加了更多的功能，首先采用了全新的iDrive Touch 方向把，和支持多點觸控可瀏覽網(wǎng)頁和地圖導航的多功能面板，而且能夠

半導體
2014-06-06

車載系統(tǒng) 4G DDR CONNECTED
2011年度Tektronix技術(shù)交流會廈門喜來登酒店

【導讀】科技正在發(fā)生著跨時代的變革。為了應對新數(shù)字世界所面臨的挑戰(zhàn)，日圖科技有限公司中國合作伙伴美國泰克為電子測量測試行業(yè)中從事研發(fā)設計、驗證、調(diào)試的工程師們推出了一系列的全新測試產(chǎn)品平臺及完善的解決

半導體
2014-06-06

泰克 DDR BSP TEKTRONIX
移動DDR2 DRAM將把DRAM擴展到手機以外領域

據(jù)iSuppli公司，雙倍數(shù)據(jù)率(DDR2)DRAM將迅速占領手機市場，這種新一代DRAM預計將取代傳統(tǒng)DDR，在2011年以前成為主流移動DRAM技術(shù)。在2010年總體移動DRAM出貨量中，預計約有

嵌入式硬件
2014-05-27

移動 DRAM DDR
Symwave將展示USB 3.0 RAIDDrive存儲方案

超高速(SuperSpeed) USB芯片系統(tǒng)方案供貨商Symwave(芯微科技)以及閃存存儲方案和DRAM模塊制造商Super Talent科技公司共同宣布，兩家公司將在2010年1月7-10日于拉斯韋加斯舉

嵌入式硬件
2014-05-23

USB AI DDR TALENT
三星宣布量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單

嵌入式硬件
2014-05-21

三星閃存芯片 NAND閃存 DDR
微芯4Kb SPD EEPROM元件支援DDR2/3/4

轉(zhuǎn)自臺灣新電子的消息，微芯(Microchip)發(fā)表新一代4Kb內(nèi)部整合電路(I2C)串列式存在偵測(Serial Presence Detect, SPD)電子式可清除程式化唯讀記憶體(EEPROM)元件34AA04。新元件適用于高速個人電腦(PC)和筆記本電腦中

半導體
2014-04-25

元件微芯 EEPROM DDR
嵌入式DDR總線的布線分析與設計

引言嵌入式DDR(Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率)設計是含DDR的嵌入式硬件設計中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強大，實現(xiàn)的功能越來越多，系統(tǒng)的工

嵌入式硬件
2014-04-22

嵌入式總線布線 DDR
北京君正獲5項計算機軟件著作權(quán)登記證書

　中證網(wǎng)訊北京君正(28.950,-0.41,-1.40%)（300223）4月14日晚間公告，公司于近日取得5 項由中華人民共和國國家版權(quán)局頒發(fā)的計算機軟件著作權(quán)登記證書。軟件名稱分別是“嵌入式CPU 自動化系統(tǒng)級測試的實現(xiàn)軟件V1.0”

半導體
2014-04-15

CPU 計算機軟件 DMA DDR

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DDR

Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的穩(wěn)壓器 LTM4632

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