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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導(dǎo)體制
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世界先進買新廠，2季后貢獻業(yè)績
世界先進(5347)已確定買下南科8寸晶圓廠，將可以加快擴充總產(chǎn)能，初期每年約可增加40萬片晶圓產(chǎn)能，估計約2季時間轉(zhuǎn)換制程后，便可開始貢獻業(yè)績。 世界先進現(xiàn)有月產(chǎn)能13.9萬片規(guī)模，本季持續(xù)滿載。為快速擴產(chǎn)，世
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三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM
三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)
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三星量產(chǎn)最先進20nm 4Gb DDR3 DRAM
作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制
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韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成
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韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成
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傳高端LPDDR DRAM開始缺貨
3月5日消息，業(yè)內(nèi)知名爆料人士“手機晶片達(dá)人”在今天的微博上透露，雖然還處于淡季，但高端LPDDR DRAM開始缺貨。 “手機晶片達(dá)人”預(yù)測，今年需求旺季來臨時，內(nèi)存的供應(yīng)量將更不容樂觀。LPDDR(Low Power Double Da
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力成：3月起稼動率看9成，今年營運料逐季增
IC封測力成(6239)董事長蔡篤恭(見附圖)指出，今年1、2月間力成因工作天數(shù)較短，營運偏淡，惟與Tessera的授權(quán)合約終止訴訟塵埃落定，力成將可全力沖刺業(yè)務(wù)，不僅要重返DRAM封測領(lǐng)域，包括邏輯IC、NAND Flash與晶圓凸塊
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記憶體市場翻身 封測廠華東否極泰來
記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，記憶體歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈現(xiàn)價揚走勢，而NAND Flash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對華東將是否極
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內(nèi)存市場翻身迎來機遇 封測廠華東否極泰來
記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，內(nèi)存歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現(xiàn)價揚走勢，而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對華東將是否極泰來
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LED業(yè)持續(xù)擴張 外資看好上游晶粒廠
隨著LED照明需求快速成長，瑞信證券出具最新研究報告表示，其看好LED這一波產(chǎn)業(yè)成長景況與DRAM業(yè)于1990~1995年隨PC滲透率拉升所推動的榮景現(xiàn)象相似，即LED業(yè)目前正進入擴張期，而這個階段中將可見到LED產(chǎn)業(yè)
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應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告
2014年2月12日，加州圣克拉拉——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財年第一季度財務(wù)報告。2014財年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單
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應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財年第一季度財務(wù)報告。2014財年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單額為22.9億美元，較去年第四季度增
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三星25納米DRAM量產(chǎn) 4Q13的4GB均價高到34美元
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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Intel重操舊業(yè)：晶體管級別看其eDRAM緩存
可能很多同學(xué)不知道，Intel成立初期不是做微處理器的，而是主營SRAM、DRAM等存儲芯片，只不過后來受到日本廠商的沖擊，才果斷轉(zhuǎn)型，成就了一番霸業(yè)。不過，Intel現(xiàn)在又有點重操舊業(yè)的架勢，Haswell處理器中有部分集成
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4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，
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金價走勢 牽動封測廠毛利
國際金價走勢止跌反彈，牽動第1季封測臺廠包括日月光、矽品和南茂等毛利率。 截至1月17日，金價已連4周周線收紅，成為去年9月以來最長波段漲勢。跡象顯示實質(zhì)需求轉(zhuǎn)強，金價自去年12月31日的每盎司1182.27美元的6
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三星重新挑戰(zhàn)處理器市場 將推三大“武器”
三星電子2013年在移動應(yīng)用處理器(AP)市場發(fā)展受挫，為重新進行挑戰(zhàn)，目前正積極集中事業(yè)力量。三星2013年初野心勃勃推出了Exynos5OCTA8核心行動應(yīng)用處理器，因性能不夠完全，且不支援長期演進技術(shù)升級版(LTE-A)等，未
