作者:宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)Michael A. de Rooij博士及張遠(yuǎn)哲博士面向不同種類的家電,eGaN FET技術(shù)在推動(dòng)無線充電市場(chǎng)的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動(dòng)
氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍非常廣,包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。不久前,Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器,型號(hào)“P
陳鈺林透露,國(guó)產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展,100V、150V、650V三個(gè)GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn),2019年正式量產(chǎn)。目前,英諾賽科已有5個(gè)產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單,這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。
SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。
硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下,硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò),以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù),功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。
更高功率密度是目前電源IC廠商的一致目標(biāo),近日TI發(fā)布了全新的DC/DC降壓器和高壓GaN電源產(chǎn)品,將功率密度提升到新的高度。
目前,功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn),將來也會(huì)快速發(fā)展,從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn),比如,生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著,要用更高的工作電壓來管理更高的功率,卻不能增加重量和尺寸,比如,太陽能串式逆變器和電動(dòng)汽車牽引電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。
0 引言半導(dǎo)體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個(gè)階段。第一代半導(dǎo)體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表,主要應(yīng)用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G
目前,功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn),將來也會(huì)快速發(fā)展,從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn),比如,生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。
第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān),可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣,但是速度會(huì)數(shù)百萬倍地快,尺寸會(huì)數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負(fù)擔(dān)性是半導(dǎo)體電源開關(guān)的關(guān)鍵屬性。
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級(jí)性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù),聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外,雙方通過提供兼容產(chǎn)品,將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。
固態(tài)射頻能量應(yīng)用正在逐漸興起,可預(yù)見這將成為功率晶體管的又一巨大市場(chǎng)。很多LDMOS晶體管廠商譬如NXP、英飛凌等等都已經(jīng)開始發(fā)力。而MACOM一直以硅基GaN見長(zhǎng), GaN的性能優(yōu)勢(shì)也使得其能在固態(tài)射頻能量應(yīng)用上獲得更
專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評(píng)估平臺(tái)。
材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會(huì),缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用,無論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場(chǎng),都是世界各國(guó)爭(zhēng)奪的戰(zhàn)略陣地。
未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng),還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場(chǎng)機(jī)遇。
2022年,GaN RF器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到11億美元,約占整個(gè)RF 功率市場(chǎng)的45%...
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強(qiáng)功能,并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的開發(fā)速度。這些晶體管針對(duì)寬帶應(yīng)用進(jìn)行過輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。
電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時(shí)起,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。