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下一話(huà)題 深紫外LED發(fā)光？
1997年，日亞化學(xué)成功研發(fā)世界首個(gè)發(fā)光波長(zhǎng)為371 nm的GaN基紫外發(fā)光LED。2003年，美國(guó)SETi公司開(kāi)發(fā)出波長(zhǎng)為280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日，諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者之一天野浩在記者見(jiàn)面會(huì)上介紹了自己正在
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Soraa新建GaN LED制造廠
美國(guó)公司Soraa計(jì)劃在紐約錫拉丘茲開(kāi)設(shè)一家半導(dǎo)體制造工廠。該公司將與紐約州達(dá)成合作，共同新建一家先進(jìn)的氮化鎵基板(GaN on GaN)LED制造工廠。據(jù)悉，新工廠將雇用數(shù)百名工人。 在與紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院的
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深紫外LED研究進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用分析
隨著LED技術(shù)不斷發(fā)展，其發(fā)光波長(zhǎng)已經(jīng)由可見(jiàn)光波段拓展到深紫外波段，其技術(shù)逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應(yīng)用更加廣泛，甚至可能超越目前的藍(lán)光LED。從深紫外LED的發(fā)光
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LED價(jià)格半年下降近50% 四大趨勢(shì)帶來(lái)行業(yè)發(fā)展新機(jī)遇
2015中國(guó)LED供應(yīng)鏈大會(huì)在馬鞍山召開(kāi)。本次大會(huì)以“推動(dòng)聯(lián)合、促進(jìn)創(chuàng)新”為主題，來(lái)自行業(yè)主管部門(mén)領(lǐng)導(dǎo)、協(xié)學(xué)會(huì)專(zhuān)家、企業(yè)高層的百余人圍繞一系列產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)問(wèn)題進(jìn)行
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IDC預(yù)測(cè)，亞太地區(qū)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)可能會(huì)顛覆
根據(jù)IDC最新研究結(jié)果顯示，截至2020年，全球?qū)⒂?95億個(gè)裝置被連結(jié)，進(jìn)而創(chuàng)造高達(dá)1.7兆美金的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模。其中，透過(guò)串接人、流程、事(裝置)與資料就能創(chuàng)造6,780億美金的市場(chǎng)商機(jī)。 IDC亞太區(qū)行動(dòng)化與物聯(lián)網(wǎng)研究
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實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。 RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
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Qorvo在升級(jí)DOCSIS3.1中結(jié)合GaN on SiC及先進(jìn)的封裝技術(shù)從而降低成本，增加帶寬并節(jié)省電路板空間
移動(dòng)設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo，Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品，旨在加速高速有線電視 (CATV) DOCSIS 3.
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司擴(kuò)大面向無(wú)線電源充電應(yīng)用的超小型及低成本eGaN FET產(chǎn)品系列
EPC2037增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管(100 V、1 A、550 mΩ)由一個(gè)數(shù)字驅(qū)動(dòng)器直接驅(qū)動(dòng)，于采用D類(lèi)及E類(lèi)放大器拓?fù)涞臒o(wú)線充電應(yīng)用中可以實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)及特別優(yōu)越的性能。
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如何充分發(fā)揮電氣化優(yōu)勢(shì) 商用車(chē)是未來(lái)發(fā)展重點(diǎn)
隨著人們對(duì)于環(huán)境保護(hù)問(wèn)題變得越來(lái)越重視，汽車(chē)的電氣化工作也被逐漸提上了日程。由于電動(dòng)汽車(chē)在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中不僅具有稅收方面的優(yōu)勢(shì)，而且其還具有零排放零污染等特點(diǎn)。
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如何充分發(fā)揮電氣化優(yōu)勢(shì) 商用車(chē)是未來(lái)發(fā)展重點(diǎn)
隨著人們對(duì)于環(huán)境保護(hù)問(wèn)題變得越來(lái)越重視，汽車(chē)的電氣化工作也被逐漸提上了日程。由于電動(dòng)汽車(chē)在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中不僅具有稅收方面的優(yōu)勢(shì)，而且其還具有零排放零污染等特點(diǎn)。
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Qorvo推出一款極具成本效益的高性能Ka波段 3W GaN功率放大器
21ic訊 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器，用于傳輸高速互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的商用 VSAT 衛(wèi)
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Qorvo GaN產(chǎn)能即將實(shí)現(xiàn)翻倍
21ic訊 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，已成功地將專(zhuān)有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集
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基于電流非隔離降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)使用的eGaN FETs
設(shè)計(jì)和建造隔離，降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在可實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的5伏輸出使用硅MOSFET但具有有限的性能寬輸入電壓范圍和高輸出電流，特別是在低負(fù)荷和高輸入電壓。更重要的是，硅成熟，從寬
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Modelithics 和 Qorvo 大力擴(kuò)展 GaN RF 仿真模型庫(kù)
21ic訊 Modelithics, Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics™ 高精度非線性模型庫(kù)。當(dāng)前的 GaN 模型版本 (v1.5) 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計(jì)劃將增加
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粗心科學(xué)家偶然發(fā)現(xiàn)將電池續(xù)航時(shí)間提升數(shù)倍方法
電池續(xù)航和充電一直都是我們腦海中揮之不去的東西。我們總是在尋找可以充電的地方，生怕自己的智能手機(jī)沒(méi)電了，而電池續(xù)航表現(xiàn)也一直都是我們購(gòu)買(mǎi)新手機(jī)考慮的一個(gè)重要因素
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為何諾貝爾獎(jiǎng)得主力薦紫光LED？
當(dāng)初因發(fā)明藍(lán)色LED而獲取2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的中村修二，研討會(huì)時(shí)表示，“使用藍(lán)色LED的白色LED早晚會(huì)消失。”如今一舉“推翻”自己的研究成果，或許是出于對(duì)自己創(chuàng)立的Soraa公司主推紫色LED的
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EPC 推出高功率密度的增強(qiáng)型氮化鎵((eGaN)功率晶體管 EPC2039
全新eGaN FET (EPC2039)具備優(yōu)越性能、大功率及采用超小型封裝的優(yōu)勢(shì)，其價(jià)格也可以支付得起。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2039功率晶體管。該產(chǎn)品是一種具備高功率密度的增強(qiáng)型氮化鎵((eGaN)功率晶體管，其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在柵極上施加5 V電壓時(shí)的最大阻抗為 22 mΩ。 由于它在超小型封裝內(nèi)具備高開(kāi)關(guān)性能，因此它在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)具備高性能優(yōu)勢(shì)。
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GaN（氮化鎵）將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步
實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。GaN是一種已經(jīng)成熟的
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技術(shù)前沿：TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)等問(wèn)題。21ic訊 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
21ic訊 全集成GaN FET功率級(jí)原型機(jī)幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢(shì)近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線 (QFN) 封裝內(nèi)的
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