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LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

21ic訊寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，能夠大幅提升電

顯示光電
2013-11-15

LED行業(yè) GAN 晶圓微波器件
淺析LED三要素：IQE、LEE與EQE

一.IQE、LEE與EQE定義首先給出內(nèi)量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)與外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)參數(shù)的定義與表達(dá)如下： IQE=單位時(shí)間內(nèi)

顯示光電
2013-11-14

LED 量子 NI GAN
劉志強(qiáng)：低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢(shì)

極值發(fā)光效率的解決方案在哪里?我們距離發(fā)光極限(400lm/W )還有多遠(yuǎn)? 11月10日下午，CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)分會(huì)首位發(fā)言人，中科院半導(dǎo)體研究所照明中心副研究員劉志強(qiáng)在介紹《低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢(shì)

顯示光電
2013-11-13

LED 量子點(diǎn) INGAN GAN
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能

消費(fèi)電子
2013-11-11

IGBT SIC HEV GAN
派克研究所：2020年前美軍將裝備10萬(wàn)輛電動(dòng)汽車

[摘要] 過(guò)度依賴石油資源已經(jīng)成為美國(guó)軍方不得不面臨的問(wèn)題，為緩解這一局面，美軍將目光投向了電動(dòng)汽車，而這些新能源汽車未來(lái)將被派往前線。　　【第一電動(dòng)網(wǎng)】(編譯李媛媛) 美國(guó)Navigant Research研究機(jī)

汽車電子
2013-11-09

電動(dòng)汽車微電網(wǎng) COM GAN
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源

21ic訊據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告，IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言，市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美

電源
2013-11-08

IGBT SIC HEV GAN
PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)

由愛(ài)戴愛(ài)集團(tuán)主辦，《Bodo's功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站于10月25-26號(hào)蘇州會(huì)議中心落下帷幕。繼PEC電力電子蘇州站圓滿結(jié)束后，PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)。據(jù)PEC組委會(huì)工作人員表示：PEC電力電子蘇州

半導(dǎo)體
2013-11-07

電力電子半導(dǎo)體制造 SIC GAN
SNL Kagan報(bào)告：OTT TV月租付費(fèi)將達(dá)80億美元

據(jù)SNL Kagan一份調(diào)查結(jié)果顯示，2017年之前，OTT TV月租付費(fèi)市場(chǎng)將顯著增長(zhǎng)，北美也將成為最大的OTT TV月租付費(fèi)市場(chǎng)。SNL Kagan的報(bào)告指出，消費(fèi)者對(duì)個(gè)性化的收視體驗(yàn)以及種類繁多的內(nèi)容選擇的需求在不斷提升，由此就

通信技術(shù)
2013-11-06

互聯(lián)網(wǎng) 平板電腦 TV GAN
Soraa公司獲得美國(guó)能源部撥款推進(jìn)GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已獲得美國(guó)能源部先進(jìn)能源研究計(jì)劃署(ARPA-E)數(shù)額幾百萬(wàn)美元的撥款，以推進(jìn)與將大尺寸GaN基底用于電力電子技術(shù)的研究相關(guān)的兩個(gè)項(xiàng)目。該公司目前已參與ARPA-E的SWITCHES項(xiàng)目，負(fù)責(zé)執(zhí)行項(xiàng)目第一

半導(dǎo)體
2013-11-04

LED 電力電子技術(shù) MARK GAN
解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源，耗電量?jī)H約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高、不含汞等環(huán)保與健康特性，且現(xiàn)今LED商品效率已超出每瓦110流明，LED應(yīng)用領(lǐng)域更是無(wú)限寬廣。尤其在照明、筆

顯示光電
2013-11-04

LED 氮化鎵基板 GAN
GT推HVPE系統(tǒng)加速磊晶生長(zhǎng)，資本支出可望減少25%

LED價(jià)格下滑趨勢(shì)不變，LED晶片廠不斷在制程與技術(shù)方面進(jìn)行改善以降低成本，半導(dǎo)體設(shè)備廠極特先進(jìn)科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開(kāi)發(fā)取代MOCVD中nGaN和uGaN生長(zhǎng)制程的HVPE系統(tǒng)，未來(lái)LED晶片廠可以透過(guò)增加

顯示光電
2013-10-30

UG ABS LED晶片 GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊韓國(guó)LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首

顯示光電
2013-10-30

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底

美國(guó)公司Soraa23日宣布，它已獲得美國(guó)能源部高級(jí)研究項(xiàng)目署ARPA-E的幾百萬(wàn)美元增投資金，繼續(xù)開(kāi)展與塊狀氮化鎵（GaN）襯底相關(guān)的兩個(gè)項(xiàng)目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)選定進(jìn)行GaN襯底項(xiàng)目研究

半導(dǎo)體
2013-10-29

LED IDE MARK GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

韓國(guó)LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首爾半導(dǎo)體的nPola UV產(chǎn)品目前已

半導(dǎo)體
2013-10-28

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
Soraa公司獲得美國(guó)能源部撥款推進(jìn)GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已獲得美國(guó)能源部先進(jìn)能源研究計(jì)劃署(ARPA-E)數(shù)額幾百萬(wàn)美元的撥款，以推進(jìn)與將大尺寸GaN基底用于電力電子技術(shù)的研究相關(guān)的兩個(gè)項(xiàng)目。該公司目前已參與ARPA-E的SWITCHES項(xiàng)

半導(dǎo)體
2013-10-28

LED 電力電子技術(shù) MARK GAN
LED產(chǎn)業(yè)新趨勢(shì)：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

寬禁帶半導(dǎo)體是尖端軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體憑借擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、

消費(fèi)電子
2013-10-28

半導(dǎo)體 LED產(chǎn)業(yè) GAN 晶圓
首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

韓國(guó)LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首爾半導(dǎo)體的nPola UV產(chǎn)品目前已

半導(dǎo)體
2013-10-28

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN
美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底[譯]

LEDinside譯美國(guó)公司Soraa23日宣布，它已獲得美國(guó)能源部高級(jí)研究項(xiàng)目署ARPA-E的幾百萬(wàn)美元增投資金，繼續(xù)開(kāi)展與塊狀氮化鎵（GaN）襯底相關(guān)的兩個(gè)項(xiàng)目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源轉(zhuǎn)換機(jī)

顯示光電
2013-10-28

LED IDE MARK GAN
LayTec原位測(cè)量系統(tǒng)Pyro 400“加盟”晶電GaN LED生產(chǎn)[譯]

LEDinside譯 LayTec宣布，晶元光電股份有限公司批準(zhǔn)LayTec的原位測(cè)量系統(tǒng)Pyro 400“加盟”其GaN LED生產(chǎn)?？偛吭O(shè)在臺(tái)灣的LED制造商現(xiàn)在將使用LayTec的的GaN表面溫度傳感與Pyro 400。據(jù)LayTec，Pyro 400測(cè)

顯示光電
2013-10-26

LED 測(cè)量系統(tǒng) 晶電 GAN
首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程 nPola產(chǎn)品將面市

韓國(guó)LED封裝大廠首爾半導(dǎo)體積極投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程為核心的nPola產(chǎn)品比傳統(tǒng)藍(lán)寶石基板LED在同樣面積上的效率是5-10倍，首爾半導(dǎo)體指出，nPola產(chǎn)品即將推出，其中，首爾半導(dǎo)體的nPola UV產(chǎn)品目前已

顯示光電
2013-10-25

首爾半導(dǎo)體 RGB LED產(chǎn)品 GAN

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LED行業(yè)2013年下半年市場(chǎng)報(bào)告分析

淺析LED三要素：IQE、LEE與EQE

劉志強(qiáng)：低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢(shì)

揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源

派克研究所：2020年前美軍將裝備10萬(wàn)輛電動(dòng)汽車

揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源

PEC電力電子西安站蓄勢(shì)待發(fā)

SNL Kagan報(bào)告：OTT TV月租付費(fèi)將達(dá)80億美元

Soraa公司獲得美國(guó)能源部撥款推進(jìn)GaN基底研究

解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

GT推HVPE系統(tǒng)加速磊晶生長(zhǎng)，資本支出可望減少25%

首爾半導(dǎo)體投入GaN

美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底

首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

Soraa公司獲得美國(guó)能源部撥款推進(jìn)GaN基底研究

LED產(chǎn)業(yè)新趨勢(shì)：寬禁帶半導(dǎo)體,軍事和節(jié)能產(chǎn)業(yè)的核心

首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程， nPola產(chǎn)品即將面市

美DOE增投資金助Soraa研究低成本塊狀GaN襯底[譯]

LayTec原位測(cè)量系統(tǒng)Pyro 400“加盟”晶電GaN LED生產(chǎn)[譯]

首爾半導(dǎo)體投入GaN-on-GaN制程 nPola產(chǎn)品將面市

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