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Molex在中國成都開設(shè)全新高科技全球模具中心

2014年1月17日，為了更好地滿足全球電子行業(yè)對創(chuàng)新型可靠精密互連解決方案的需求，Molex公司在其位于中國成都高新技術(shù)開發(fā)區(qū)(Chengdu Hi-Tech Development Zone)的運(yùn)營場所開設(shè)了全新的全球模具中心，擴(kuò)大公司的全球

消費(fèi)電子
2014-01-20

MOLEX 模具 GAN DEVELOPMENT
黑莓宣布向德國一軟件公司售出1000部手機(jī)

黑莓發(fā)布聲明，該公司與一家德國軟件公司達(dá)成購買1000部BB10智能手機(jī)的協(xié)議。而在過去的鼎盛時期，黑莓每小時的手機(jī)銷量近7000部。近來黑莓境況艱難，它不得不時刻提醒人們它仍然在開門營業(yè)。自10月以來，該公司不斷

通信技術(shù)
2014-01-17

軟件黑莓 GAN
黑莓宣布剛售出1000部手機(jī)

1月17日消息，據(jù)外國媒體報道，黑莓發(fā)布聲明，該公司與一家德國軟件公司達(dá)成購買1000部黑莓10智能手機(jī)的協(xié)議。而在過去的鼎盛時期，黑莓每小時的手機(jī)銷量近7000部。近來黑莓境況艱難，它不得不時刻提醒人們它仍然在開

通信技術(shù)
2014-01-17

軟件黑莓 GAN
諾基亞控告HTC侵犯其專利案件遭德國法院否決

與其他科技公司一樣，諾基亞這段時間以來一直忙著訴訟案件。在歐洲，諾基亞之前在英國已經(jīng)贏得了禁售HTC手機(jī)的訴訟案件。但是，盡管贏得了這次與HTC的專利訴訟案，HTC One及One mini并沒有被禁售。但是，諾基亞現(xiàn)在在

通信技術(shù)
2014-01-10

諾基亞手機(jī)軟件 HTC GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-10

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
如何使用氮化鎵第四章：在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）

我們在之前章節(jié)談?wù)摿耸褂玫増鲂?yīng)晶體管在驅(qū)動器及版圖方面的考慮因素從而提高性能。本章我們會探討在高頻降壓轉(zhuǎn)換器使用最優(yōu)版圖并在1 MHz頻率開關(guān)時可實現(xiàn)高于96%效

功率器件
2014-01-09

降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵 FET GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

半導(dǎo)體
2014-01-08

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設(shè)計的藝術(shù)

時下，LED照明技術(shù)正掀起產(chǎn)業(yè)革命旋風(fēng)。LED照明燈泡廠商正致力于快速提高性能和降低LED燈泡價格。去年，普通家庭款式的LED燈泡，如A19LED燈泡售價在20美金至60美金之間，當(dāng)時已具有非常高的性價比。今年，高端的LED燈

顯示光電
2014-01-06

芯片級 LED芯片 LED燈泡 GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

功率半導(dǎo)體元器件 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
汽車共享業(yè)正從快速擴(kuò)張步入盈利時代

[摘要] 清潔技術(shù)市場調(diào)研與咨詢公司Navigant Research預(yù)計，2013年初到年末，全球加入汽車共享的成員已從230萬增加到1200萬。　　隨著消費(fèi)者對開車燃油成本逐年上升愈加失望，以及購車欲望的下降，汽車共享

汽車電子
2014-01-02

汽車 IPC VI GAN
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2013-12-31

元件功率半導(dǎo)體基板 GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件功率半導(dǎo)體 SIC GAN
奧迪注冊新商標(biāo) 預(yù)示未來新車陣容

[摘要] 奧迪近期注冊了一系列新商標(biāo)，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，其中f-tron可能為一款燃料電池車型。奧迪近期注冊了一系列新商標(biāo)，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，這些新商標(biāo)可能是未來新車陣容的名稱。

汽車電子
2013-12-27

奧迪 SUV LAN GAN
日本低阻值的n

日本名城大學(xué)和名古屋大學(xué)的研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉(zhuǎn)換效率(wall-plug efficiency )提升了15%左右。這種低阻值的n

顯示光電
2013-12-24

電極阻值 LG GAN

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氯化鈣補(bǔ)鈣
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Molex在中國成都開設(shè)全新高科技全球模具中心

黑莓宣布向德國一軟件公司售出1000部手機(jī)

黑莓宣布剛售出1000部手機(jī)

諾基亞控告HTC侵犯其專利案件遭德國法院否決

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

如何使用氮化鎵第四章：在高頻降壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設(shè)計的藝術(shù)

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

汽車共享業(yè)正從快速擴(kuò)張步入盈利時代

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

奧迪注冊新商標(biāo) 預(yù)示未來新車陣容

日本低阻值的n

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