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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

半導(dǎo)體
2014-01-08

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設(shè)計的藝術(shù)

時下，LED照明技術(shù)正掀起產(chǎn)業(yè)革命旋風(fēng)。LED照明燈泡廠商正致力于快速提高性能和降低LED燈泡價格。去年，普通家庭款式的LED燈泡，如A19LED燈泡售價在20美金至60美金之間，當時已具有非常高的性價比。今年，高端的LED燈

顯示光電
2014-01-06

芯片級 LED芯片 LED燈泡 GAN
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

元器件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費電子
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
汽車共享業(yè)正從快速擴張步入盈利時代

[摘要] 清潔技術(shù)市場調(diào)研與咨詢公司Navigant Research預(yù)計，2013年初到年末，全球加入汽車共享的成員已從230萬增加到1200萬。　　隨著消費者對開車燃油成本逐年上升愈加失望，以及購車欲望的下降，汽車共享

汽車電子
2014-01-02

汽車 IPC VI GAN
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2013-12-31

基板 GAN 功率半導(dǎo)體元件
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

GAN SIC 功率半導(dǎo)體元件
奧迪注冊新商標預(yù)示未來新車陣容

[摘要] 奧迪近期注冊了一系列新商標，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，其中f-tron可能為一款燃料電池車型。奧迪近期注冊了一系列新商標，包括SQ2、SQ4、Q9和F-TRON等，這些新商標可能是未來新車陣容的名稱。

汽車電子
2013-12-27

奧迪 SUV LAN GAN
日本低阻值的n

日本名城大學(xué)和名古屋大學(xué)的研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉(zhuǎn)換效率(wall-plug efficiency )提升了15%左右。這種低阻值的n

顯示光電
2013-12-24

電極阻值 LG GAN
日本低阻值的n-AlGaN，電光轉(zhuǎn)換效率提升15%

日本名城大學(xué)和名古屋大學(xué)的研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉(zhuǎn)換效率(wall-plugefficiency)提升了15%左右。這種低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在

半導(dǎo)體
2013-12-21

阻值電光 LG GAN
吉利2014年初在巴西運營將在當?shù)亟◤S

[摘要] 中國吉利控股集團計劃2014年1月開始正式進軍巴西市場，從2014年1月開始，吉利將在巴西銷售帝豪EC7和全球鷹GC2兩款車。

汽車電子
2013-12-20

吉利 NI UI GAN
日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉(zhuǎn)換效率

日本名城大學(xué)和名古屋大學(xué)的研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分，研究人員成功將電光轉(zhuǎn)換效率(wall-plugefficiency)提升了15%左右。這種低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在

半導(dǎo)體
2013-12-19

阻值電光 LG GAN
北方微電子:提升芯片亮度、降低成本的設(shè)備技術(shù)前瞻性布局

隨著LED市場競爭的愈發(fā)激烈，LED芯片企業(yè)要保持市場地位，贏取穩(wěn)定的利潤率，就必須不斷提升產(chǎn)品性能，主動提高光效、降低成本，做到成本下降快于產(chǎn)品價格下降。而降低外延、芯片成本除了規(guī)?；a(chǎn)外，主要在技術(shù)創(chuàng)

顯示光電
2013-12-13

芯片微電子 LED芯片 GAN
德科學(xué)家利用“煉金術(shù)”開發(fā)暖色調(diào)LED

 近日，德國科學(xué)家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種方法，讓原本發(fā)出藍色冷光的LED燈呈現(xiàn)溫暖的色調(diào)。這種方法可以徹底革新高效LED，并且它已經(jīng)為這支團隊獲得了科學(xué)獎提名。    近年來，LE

顯示光電
2013-12-06

LED HMI IDT GAN
德科學(xué)家利用“煉金術(shù)”開發(fā)暖色調(diào)LED 獲科學(xué)獎提名

近日，德國科學(xué)家團隊已經(jīng)開發(fā)出一種方法，讓原本發(fā)出藍色冷光的LED燈呈現(xiàn)溫暖的色調(diào)。這種方法可以徹底革新高效LED，并且它已經(jīng)為這支團隊獲得了科學(xué)獎提名。近年來，LED由于其發(fā)光效率高、對環(huán)境友好等優(yōu)點逐漸得到

半導(dǎo)體
2013-12-06

LED HMI IDT GAN

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GAN

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

芯片級拆解：全面剖析新型LED燈泡設(shè)計的藝術(shù)

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

汽車共享業(yè)正從快速擴張步入盈利時代

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

奧迪注冊新商標預(yù)示未來新車陣容

日本低阻值的n

日本低阻值的n-AlGaN，電光轉(zhuǎn)換效率提升15%

吉利2014年初在巴西運營將在當?shù)亟◤S

日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉(zhuǎn)換效率

北方微電子:提升芯片亮度、降低成本的設(shè)備技術(shù)前瞻性布局

德科學(xué)家利用“煉金術(shù)”開發(fā)暖色調(diào)LED

德科學(xué)家利用“煉金術(shù)”開發(fā)暖色調(diào)LED 獲科學(xué)獎提名

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