21ic訊 寬禁帶半導體是尖端軍事和節(jié)能產業(yè)的核心：相比于Si和GaAs材料，以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體憑借擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強等特點，能夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率工作性能，在軍事、新能源、電動汽車等領域應用前景巨大。

LED之外，寬禁帶半導體功率器件開始嶄露頭角：目前GaN和SiC最大的應用領域為LED行業(yè)，形成了100億美元的市場；除此之外，近兩年在微波功率器件和電力電子器件領域開始走向商業(yè)化，我們認為未來兩年GaN和SiC功率器件市場將開始快速發(fā)展，潛在市場容量超過300億美元，未來將在軍事設備、光伏逆變器、電動汽車等領域開始逐步替代Si和GaAs功率器件。

GaN是微波器件的首選，在軍事領域將大展拳腳：GaN適用于高頻大功率應用，是微波器件最為理想的材料，其功率密度是現(xiàn)有GaAs器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準，美軍干擾機和“宙斯盾”驅逐艦的相控陣雷達開始換裝GaN產品，軍用市場將在未來幾年推動GaN微波器件的快速發(fā)展。

電力電子領域寬禁帶半導體能夠降低50%的電力損耗，SiC適用于1200V以上高壓應用，GaN適用于中低壓高頻應用：SiC單晶制備工藝相對成熟，同質外延易于制備縱向結構的器件提高耐壓性能，商業(yè)化的SiC器件耐壓在600~1200V，適用于風力發(fā)電、鐵路機車、電網等大功率應用。

GaN異質外延缺陷密度較大，目前只能制備橫向結構的器件，耐壓性能提升較為困難，但是GaN-on-Si成本較低，加之LED行業(yè)存在大量MOCVD外延設備可以共用，未來有望快速降低成本，廣泛應用于UPS、光伏逆變器、電動汽車等領域。

民用領域商業(yè)化加速，國內企業(yè)開始切入：2013PCIM和ICSCRM數(shù)家企業(yè)推出6寸SiC晶圓、SiC功率器件和600VGaN功率器件產品，2014年開始都將步入量產階段，顯示出SiC和GaN功率器件在民用市場的商業(yè)化進程開始加速，而國內企業(yè)也開始切入這一領域；SiC的難點在于單晶制備，國內從事SiC晶圓生產的主要包括山東天岳和天富熱電，山東天岳已開始對外銷售2~4英寸SiC晶圓，6寸晶圓將于2015年開始量產。

GaN的難點在于外延生長，LED龍頭三安光電已經完成GaNHEMT功率器件的試制，進入樣品測試階段。GaN功率元器件的外延制程同LED相近，并且對外延品質要求更高，我們認為LED芯片龍頭企業(yè)如三安光電、德豪潤達等憑借在LED外延方面的技術領先，未來在GaN功率器件領域也將占得一席之地，打開新的利潤增長空間
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