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利用好這五種資源

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嵌入式職業(yè)規(guī)劃
2012-04-08

POWER GAN SOURCES ROM
LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)

外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激

數(shù)字電源
2012-04-07

LED 基礎(chǔ)知識(shí) SIC GAN
你的錯(cuò)誤，手指知道

經(jīng)驗(yàn)說(shuō)：耳聽(tīng)為虛，眼見(jiàn)為實(shí)實(shí)驗(yàn)說(shuō)：人的視覺(jué)糾錯(cuò)系統(tǒng)在可靠性上比不上觸覺(jué)糾錯(cuò)系統(tǒng)。你的手和腳比你的眼睛更值得相信！“交流誤會(huì)”的來(lái)源人們說(shuō)話的時(shí)候常常會(huì)有口誤，想的是“話都不會(huì)說(shuō)了”

充電吧
2012-04-05

鍵盤(pán) 檢測(cè)器 GAN
日本礙子計(jì)劃2012年內(nèi)投放4英寸GaN基板

日本礙子公司公布了將于2012年內(nèi)向市場(chǎng)投放口徑為4英寸的GaN基板的業(yè)務(wù)目標(biāo)。該公司目前正在樣品供貨2英寸產(chǎn)品。在2012年3月上旬舉行的“第四屆日本東京國(guó)際照明展（LED Next Stage 2012）”上，該公司展出了GaN基板

顯示光電
2012-04-01

輸出功率基板 LED芯片 GAN
Facebook：翻滾吧！密碼

過(guò)去，跟隱私相關(guān)的有兩把鑰匙，一個(gè)是保險(xiǎn)柜的鑰匙，藏著畢生積蓄。另一個(gè)是日記本的鑰匙，藏著刻骨銘心的記憶。但是，現(xiàn)代人的隱私仿佛都跟密碼脫不開(kāi)關(guān)系?！短焯煜蛏稀氛f(shuō)百事配方由三個(gè)人保管，他們不乘同一架飛

充電吧
2012-03-28

FACEBOOK GAN
Inmarsat 發(fā)布 BGAN Link

全球領(lǐng)先的移動(dòng)衛(wèi)星通信運(yùn)營(yíng)商海事衛(wèi)星（Inmarsat）今日正式發(fā)布BGAN Link。這一全新寬帶IP數(shù)據(jù)服務(wù)可幫助用戶從一個(gè)永久性或半永久性網(wǎng)站上獲得持續(xù)可靠的連接。針對(duì)固定月租客戶，該服務(wù)提供高達(dá)0.5Mbps的數(shù)據(jù)連接

通信技術(shù)
2012-03-27

GB LINK RSA GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在

顯示光電
2012-03-26

晶片 LED 溫度 GAN
積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導(dǎo)體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡(jiǎn)稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細(xì)節(jié)，預(yù)定2013年初導(dǎo)入量產(chǎn)。普瑞光電行銷(xiāo)副總裁JasonPosselt表示，繼八吋晶圓廠后，普瑞光電下一步尋

顯示光電
2012-03-25

LED 氮化鎵基板 GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在

數(shù)字電源
2012-03-24

晶片 LED 溫度 GAN
Google+ 更新帶來(lái)相冊(cè)管理（Organizer）功能，讓你可以批次刪除、排序相簿照片

還有在用 Google+ 的朋友們（默）應(yīng)該會(huì)對(duì)此消息感到興奮 -- 他們打算把比較好用的相片管理接口放進(jìn)這個(gè)社群網(wǎng)站中了（畢竟... Google 不是有自己的相冊(cè)嗎？）。根據(jù)相冊(cè)開(kāi)發(fā)工程師 Isaac Sparrow 盡責(zé)地在 Google+

充電吧
2012-03-16

開(kāi)發(fā)工程師 GOOGLE ORGANIZER GAN
利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來(lái)III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

顯示光電
2012-03-14

LED 基板 PS GAN
阿曼Nawras演示LTE網(wǎng)絡(luò) 領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

北京時(shí)間3月13日早間消息（蔣均牧）阿曼Nawras日前進(jìn)行了第一次LTE網(wǎng)絡(luò)公開(kāi)演示，以LTE和全光網(wǎng)部署了馬斯喀特大商場(chǎng)（Muscat Grand Mall）。Nawras首席技術(shù)官沃爾夫?qū)?amp;middot;維姆霍夫（Wolfgang Wemhoff）表示：&

通信技術(shù)
2012-03-13

電信 LTE網(wǎng)絡(luò) WIMAX GAN
SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測(cè)試新挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體材料最近引來(lái)不少關(guān)注。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅對(duì)于設(shè)備生產(chǎn)商的運(yùn)行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導(dǎo)體用戶需要更高效的、切換時(shí)損失電力不那么多的設(shè)備。因此功率半導(dǎo)體廠商開(kāi)始轉(zhuǎn)向替代材料，更具體地說(shuō)是碳化硅

模擬
2012-03-13

功率半導(dǎo)體示波器 SIC GAN
利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

近幾年來(lái)III族氮化物（III-Nitride）高亮度發(fā)光二極體（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深獲廣大重視，目前廣泛應(yīng)用于交通號(hào)志、LCD背光源及各種照明使用上?；旧?，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

數(shù)字電源
2012-03-12

LED 基板 PS GAN
3D活體器官生物打印機(jī)在美成功發(fā)明

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，器官移植拯救了很多人的生命，但這項(xiàng)技術(shù)也存在器官來(lái)源不足、排異反應(yīng)難以避免等弊端。不過(guò)，隨著未來(lái)“生物打印機(jī)”的問(wèn)世，這些問(wèn)題將迎刃而解。或許，醫(yī)生有朝一日可以“按需打印

醫(yī)療電子
2012-03-09

打印機(jī) 3D模型 GAN
PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應(yīng)用

薄膜材料已在半導(dǎo)體材料、超導(dǎo)材料、生物材料、微電子元件等方面得到廣泛應(yīng)用。為了得到高質(zhì)量的薄膜材料，脈沖激光沉積技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。本文介紹了脈沖激光沉積(PLD)薄膜技術(shù)的原理及特點(diǎn)，分析了脈沖激光沉積

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-03-07

薄膜溫度 PLD GAN
日LED大廠告璨圓侵權(quán)

日本LED大廠豐田合成（ToyodaGosei）上周五向桃園地方法院針對(duì)璨圓提出侵權(quán)控告，主張璨圓所生制的氮化鎵（GaN）系列LED侵害兩件發(fā)明專(zhuān)利權(quán)，璨圓昨（28）日公告，尚未收到任何法院文件，已委請(qǐng)專(zhuān)利律師因應(yīng)法律程序

顯示光電
2012-03-01

豐田 LED 專(zhuān)利侵權(quán) GAN
白色LED發(fā)展史（一）：獨(dú)家壟斷崩潰，迎來(lái)競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代

白色LED是液晶電視及手機(jī)等配備的液晶顯示器不可缺少的背照燈光源。最近，LED作為照明器具光源受到的關(guān)注越來(lái)越高。由藍(lán)色LED與螢光體組合而成、并在今天獲得廣泛市場(chǎng)的白色LED問(wèn)世于1996年。最初是作為實(shí)現(xiàn)手機(jī)液晶

顯示光電
2012-02-24

電子 LED GAN
傳三菱化學(xué)10月量產(chǎn)LED用GaN襯底耗電可降70%

據(jù)日經(jīng)新聞23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三菱化學(xué)(Mitsubishi Chemical)計(jì)劃于今(2012)年10月開(kāi)始量產(chǎn)使用于LED的氮化鎵(GaN)襯底，因其電光轉(zhuǎn)換率高(將電力轉(zhuǎn)換成光的效率)，故搭載該GaN襯底的LED照明的耗電力可較現(xiàn)行產(chǎn)品刪減50-70%。

消費(fèi)電子
2012-02-24

LED 電力 CHEMICAL GAN
南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

近日，科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單，全國(guó)共有14項(xiàng)課題獲得立項(xiàng)，其中南昌大學(xué)申報(bào)的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯

消費(fèi)電子
2012-02-20

新材料 LED芯片 LED照明 GAN

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利用好這五種資源

LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)

你的錯(cuò)誤，手指知道

日本礙子計(jì)劃2012年內(nèi)投放4英寸GaN基板

Facebook：翻滾吧！密碼

Inmarsat 發(fā)布 BGAN Link

硅上GaN LED分析

積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED

硅上GaN LED分析

Google+ 更新帶來(lái)相冊(cè)管理（Organizer）功能，讓你可以批次刪除、排序相簿照片

利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

阿曼Nawras演示LTE網(wǎng)絡(luò) 領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測(cè)試新挑戰(zhàn)

利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

3D活體器官生物打印機(jī)在美成功發(fā)明

PLD技術(shù)在功能薄膜材料研究中的應(yīng)用

日LED大廠告璨圓侵權(quán)

白色LED發(fā)展史（一）：獨(dú)家壟斷崩潰，迎來(lái)競(jìng)爭(zhēng)時(shí)代

傳三菱化學(xué)10月量產(chǎn)LED用GaN襯底耗電可降70%

南昌大學(xué)LED照明項(xiàng)目獲國(guó)家“863計(jì)劃”重點(diǎn)支持

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