摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
(馬喬)北京時(shí)間6月21日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,國(guó)際評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)穆迪(Moody’s)周一表示,由于贏得了與蘋(píng)果的專利糾紛訴訟,四面楚歌的諾基亞將為自己贏得更多的改革時(shí)間。 但穆迪也表示,這次勝訴并不足以改變?cè)摴?/p>
新浪科技訊 北京時(shí)間6月21日早間消息,國(guó)際評(píng)級(jí)機(jī)構(gòu)穆迪周一表示,由于在與蘋(píng)果的專利糾紛中勝訴,困境重重的諾基亞將為自己贏得更多的改革時(shí)間。 但穆迪也表示,這次勝訴并不足以改變?cè)摴緦?duì)諾基亞償債壓力的
6月21日消息,據(jù)路透社報(bào)道,評(píng)級(jí)公司穆迪投資者服務(wù)周一表示,通過(guò)與蘋(píng)果的專利訴訟和解,處于困境中的諾基亞為自己謀求變化贏得了更多的時(shí)間。不過(guò)穆迪表示,專利和解協(xié)議不足以改變其對(duì)諾基亞信譽(yù)所面臨壓力的看法
歐洲微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)與其合作伙伴共同開(kāi)發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。借助這項(xiàng)新技術(shù),GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-elect
AZZURRO半導(dǎo)體成立于2003年,具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù),該技術(shù)源自德國(guó)Magdeburg大學(xué),在2010年10月獲得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家創(chuàng)投業(yè)者共1,500萬(wàn)歐元的資金投入
北京時(shí)間6月3日午間消息(張?jiān)录t)對(duì)于印度對(duì)通信和IT業(yè)都鼓勵(lì)電信設(shè)備本土化生產(chǎn)的政策,中興通訊表示,希望印度政府放寬時(shí)間,留給廠商足夠的時(shí)間啟動(dòng)生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。中興印度公司首席執(zhí)行官崔良軍表示,印度是中興的戰(zhàn)
歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規(guī)格硅襯底上制造出了高質(zhì)量的GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)層,雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的HEMT(High electron mobility transistor:高電子遷移率晶體管)異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管
新浪科技訊 北京時(shí)間5月19日晚間消息,思杰系統(tǒng)(Citrix Systems)日前宣布,任命西蒙·海耶斯(Simon Hayes)為公司戰(zhàn)略聯(lián)盟副總裁,任命喬·凱勒(Joe Keller)為公司聯(lián)盟及社區(qū)營(yíng)銷副總裁。 海耶斯曾在思科任職14年
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激
日本田村制作所與光波公司日前宣布,開(kāi)發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件,開(kāi)發(fā)的LED元件與以前使用藍(lán)寶石基板的LED元件相比,每單位面積可流過(guò)10倍以上的電流。 外媒報(bào)導(dǎo),日本田村制作所與光波公司,開(kāi)發(fā)
蒙西LED光電產(chǎn)業(yè)集群區(qū)將計(jì)劃于4月18日在鄂爾多斯新能源產(chǎn)業(yè)示范區(qū)新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)舉行奠基慶典。按照此前的項(xiàng)目環(huán)評(píng)公示,其中LED外延、芯片項(xiàng)目建設(shè)年限為2011-2013年,項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模為年產(chǎn)3英寸GaN-LED外延片720萬(wàn)片。
日本田村制作所與光波公司日前宣布,開(kāi)發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件,開(kāi)發(fā)的LED元件與以前使用藍(lán)寶石基板的LED元件相比,每單位面積可流過(guò)10倍以上的電流。 外媒報(bào)導(dǎo),日本田村制作所與光波公司,開(kāi)發(fā)
從“2011中國(guó)(廈門(mén))LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇”上獲悉,兩岸合資LED項(xiàng)目“開(kāi)發(fā)晶”,將于2011年底開(kāi)工建設(shè),比原計(jì)劃2012的6月提前半年動(dòng)工。廈門(mén)開(kāi)發(fā)晶照明公司由LED芯片商臺(tái)灣晶元光電、長(zhǎng)
4月8日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,穆迪公司下調(diào)了諾基亞的信用等級(jí),主要原因是諾基亞的市場(chǎng)地位下降和向微軟Windows Phone軟件過(guò)渡的不確定性。穆迪周四稱,它將諾基亞的信用等級(jí)從以前的A2下調(diào)到A3。穆迪還把諾基亞的短
比利時(shí)IMEC宣布,美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項(xiàng)目。發(fā)布資料顯示,GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)(1)22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)、(2)硅(Si)上氮化鎵(GaN)技術(shù)(GaN on Si技術(shù))的戰(zhàn)略性長(zhǎng)期合作協(xié)議上
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。