GAN

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

烏干達政府接管由利比亞控股的烏干達電信

北京時間3月30日上午消息（張月紅）烏干達信息與通信技術(shù)部長周二表示，烏干達政府已經(jīng)接管了近日陷入困境的，由利比亞執(zhí)股的烏干達電信。信息與通信技術(shù)部長Aggry Awori在電話采訪中表示，烏干達政府作為監(jiān)管機構(gòu)，

通信技術(shù)
2011-03-30

電信 MT 通信技術(shù) GAN
硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

近日，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J. Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT研

電子設(shè)計自動化
2011-03-29

LED 硅基 BRIDGE GAN
硅襯底GaN有望成為降成本重要途徑之一

近日，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAIT) 已經(jīng)選擇Veeco的TurboDisc ?K465i?MOCVD作為其硅基氮化鎵功率器件研究的設(shè)備。對此，Veeco的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁William J.Miller表示：“Veeco被選中作為三星SAIT

單片機
2011-03-29

三星基板 BRIDGE GAN
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

模擬
2011-03-16

器件 FET EPC GAN
普瑞光電推出新型氮化鎵硅襯底LED制造技術(shù)

普瑞光電（Bridgelux）是一家美國LED照明的開發(fā)商與制造商，該公司近日宣布，他們已經(jīng)成功實現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負

顯示光電
2011-03-15

LED 光電氮化鎵 GAN
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

功率器件
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

電源-LED驅(qū)動
2011-03-14

器件 FET EPC GAN
【記者博客】關(guān)注基板

一直想為2月26日上市的任天堂新款便攜式游戲機“任天堂3DS”寫點什么，但既然S記者已經(jīng)正式在博客中為3DS撰文，日后與3DS相關(guān)的報道和博客也會不斷更新。因此，這次筆者決定把目光轉(zhuǎn)向自己負責(zé)的《日經(jīng)電子》雜志2月

模擬
2011-03-02

元件基板 LED芯片 GAN
Wolfgang Mayrhuber當選英飛凌新一屆監(jiān)事會主席

英飛凌科技股份公司年度股東大會于德國紐必堡時間2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber為監(jiān)事會股東代表（98.4%的得票率）。繼年度股東大會之后，監(jiān)事會一致推選Wolfgang Mayrhuber為其新一屆主席。Wolfgang Mayr

消費電子
2011-02-24

英飛凌 SHARE HUBER GAN
法官下達初步禁令禁止摩托羅拉泄露華為機密

北京時間2月23日消息，據(jù)國外媒體報道，華為贏得了美國法院下達的一個初步禁止令，禁止摩托羅拉在與諾西網(wǎng)絡(luò)的交易中移交華為的商業(yè)機密。芝加哥聯(lián)邦法官本周二下達的禁制令禁止摩托羅拉移交與華為對這個有爭議的解決

通信技術(shù)
2011-02-24

華為 GAN
Wolfgang Mayrhuber當選英飛凌新一屆監(jiān)事會主席

21ic訊英飛凌科技股份公司年度股東大會于德國紐必堡時間2011年2月17日任命Wolfgang Mayrhuber為監(jiān)事會股東代表（98.4%的得票率）。繼年度股東大會之后，監(jiān)事會一致推選Wolfgang Mayrhuber為其新一屆主席。Wolfgang

廠商動態(tài)
2011-02-23

英飛凌 BSP HUBER GAN
發(fā)展硅襯底LED技術(shù)形成自主創(chuàng)新品牌

科技部近日發(fā)文(國科發(fā)計(2011)5號)，決定在全國范圍內(nèi)新組建29個國家工程技術(shù)研究中心，其中，國家硅基LED工程技術(shù)研究中心成為本次組建項目之一，依托單位為南昌大學(xué)。這是我國第一個國家級LED工程技術(shù)研究中心。組

顯示光電
2011-02-15

半導(dǎo)體照明照明技術(shù) LED技術(shù) GAN
新材料拉動RF功率器件市場

『據(jù)ABIResearch網(wǎng)站2011年1月26日報道』雖然RF（射頻）功率半導(dǎo)體在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場，尤其是軍品市場，形勢已開始好轉(zhuǎn)。據(jù)美國市場研究機構(gòu)ABIResearch最新報告指出，GaN（氮化鎵）作

消費電子
2011-02-11

功率器件新材料 RF GAN
Veeco發(fā)表生產(chǎn)HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD

日前，Veeco宣布，其引進的TurboDisc®MaxBright™氮化鎵（GaN）有機金屬化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）多反應(yīng)器系統(tǒng)，用于生產(chǎn)HBled。 Veeco介紹，MaxBright利用Veeco的FlowFlange®集群架構(gòu)自動化技術(shù)和專

顯示光電
2011-02-11

LED BRIGHT HB GAN
分析稱谷歌慈善機構(gòu)Google.org未實現(xiàn)預(yù)期目標

導(dǎo)語：《紐約時報》周六刊文指出，谷歌的慈善機構(gòu)Google.org曾讓非營利機構(gòu)興奮不已，但近五年的時間過去了，Google.org并未實現(xiàn)預(yù)期目標。以下為文章內(nèi)容摘要：在谷歌于2004年IPO(首次公開募股)前，公司聯(lián)合創(chuàng)始人拉

通信技術(shù)
2011-01-30

MIDDOT GOOGLE SMITH GAN
Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項目

Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項目。該項目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。

電子設(shè)計自動化
2011-01-24

LED 半導(dǎo)體材料 NI GAN
德研究報告檢討德公司在印度太陽能項目招標中零收獲

據(jù)德新社(DPA)報道，2010年德公司在印度太陽能項目招標中零收獲，從而引發(fā)關(guān)于德太陽能企業(yè)國際競爭力的關(guān)注。去年1月，印度政府發(fā)布太陽能發(fā)展規(guī)劃，提出太陽能安裝容量從目前幾乎為0至2022年提升至20吉瓦(相當于20

半導(dǎo)體
2011-01-08

太陽能可再生能源核電 GAN
印度太陽能項目德國零中標原因

2010年德公司在印度太陽能項目招標中零收獲，從而引發(fā)關(guān)于德太陽能企業(yè)國際競爭力的關(guān)注。去年1月，印度政府發(fā)布太陽能發(fā)展規(guī)劃，提出太陽能安裝容量從目前幾乎為0至2022年提升至20吉瓦(相當于20座核電站)的目標。

消費電子
2011-01-06

太陽能可再生能源核電 GAN
歐司朗直接綠色放射雷射研究獲得貝庫茨基金會頒獎

近日，歐司朗光電半導(dǎo)體公司因在直接綠色放射雷射(direct green-emitting laser)研究領(lǐng)域具有卓越貢獻而獲得貝庫茨基金會頒獎。歐司朗是亞光(3019) 客戶 MicroVision 的合成綠色雷射供應(yīng)商。MicroVision在此前宣

顯示光電
2010-12-15

歐司朗微型 GREEN GAN
英飛凌提名監(jiān)事會主席和新的首席財務(wù)官

日前，英飛凌監(jiān)事會提名Wolfgang Mayrhuber（63歲）出任監(jiān)事會主席。于2011年2月17日召開的2011年年度股東大會（AGM）上，監(jiān)事會將提議選舉Wolfgang Mayrhuber加入監(jiān)事會。2011年年度股東大會結(jié)束后，目前擔任此職

消費電子
2010-12-09

英飛凌 NI SAM GAN

首頁上一頁 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 下一頁尾頁

www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

GAN

烏干達政府接管由利比亞控股的烏干達電信

硅基GaN擔當下一階段LED成本下降的重任

硅襯底GaN有望成為降成本重要途徑之一

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

普瑞光電推出新型氮化鎵硅襯底LED制造技術(shù)

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

【記者博客】關(guān)注基板

Wolfgang Mayrhuber當選英飛凌新一屆監(jiān)事會主席

法官下達初步禁令禁止摩托羅拉泄露華為機密

Wolfgang Mayrhuber當選英飛凌新一屆監(jiān)事會主席

發(fā)展硅襯底LED技術(shù)形成自主創(chuàng)新品牌

新材料拉動RF功率器件市場

Veeco發(fā)表生產(chǎn)HB LED的MaxBright™ GaN MOCVD

分析稱谷歌慈善機構(gòu)Google.org未實現(xiàn)預(yù)期目標

Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項目

德研究報告檢討德公司在印度太陽能項目招標中零收獲

印度太陽能項目德國零中標原因

歐司朗直接綠色放射雷射研究獲得貝庫茨基金會頒獎

英飛凌提名監(jiān)事會主席和新的首席財務(wù)官

相關(guān)標簽

關(guān)注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻