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報(bào)告稱云計(jì)算未來(lái)5年可為歐洲節(jié)省6450億歐元
英國(guó)經(jīng)濟(jì)與商務(wù)研究中心(Centre for Economics and Business Research)的一份報(bào)告顯示，如果歐盟五個(gè)最大的經(jīng)濟(jì)體在部分服務(wù)中采用云計(jì)算，他們?cè)谖磥?lái)五年間一共可以節(jié)省6450億歐元?！ ∫杂?guó)為例，如果能大力推廣
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英飛凌提名Wolfgang Mayrhuber出任監(jiān)事會(huì)主席
今天，英飛凌監(jiān)事會(huì)提名Wolfgang Mayrhuber（63歲）出任監(jiān)事會(huì)主席。在將于2011年2月17日召開的2011年年度股東大會(huì)（AGM）上，監(jiān)事會(huì)將提議選舉Wolfgang Mayrhuber加入監(jiān)事會(huì)。2011年年度股東大會(huì)結(jié)束后，目前擔(dān)任此
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新世紀(jì)周刊：印度電信腐敗難局
拉賈(Andimuthu Raja)原本只是印度南部一個(gè)名不見經(jīng)傳的小鎮(zhèn)律師，沒有電信或商業(yè)方面的任何資歷。2007年，他卻一躍成為印度經(jīng)濟(jì)命脈電信部掌門人，統(tǒng)領(lǐng)世界上發(fā)展最快的手機(jī)市場(chǎng)。原因很簡(jiǎn)單：他得到了所在黨派DMK領(lǐng)
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聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片出貨量重登高峰
IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科近期營(yíng)運(yùn)回溫，受惠產(chǎn)品售價(jià)調(diào)降及中國(guó)農(nóng)歷年拉貨效應(yīng)激勵(lì)下，市場(chǎng)直指聯(lián)發(fā)科第4季手機(jī)芯片出貨量將重回歷史高峰單月2,000萬(wàn)套的水平。聯(lián)發(fā)科表示，單月出貨量還無(wú)法確定，不過(guò)12月因?yàn)橛修r(nóng)歷年前拉
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美國(guó)有線電視訂戶數(shù)下滑 觀眾流向網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)
據(jù)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，由于大量更為年輕、精通技術(shù)的觀眾選擇在諸如Hulu和Netflix這樣的視頻網(wǎng)站上觀看電視節(jié)目，美國(guó)有線電視訂戶數(shù)呈現(xiàn)三十年來(lái)最大幅度的下滑。 研究公司SNLKagan稱，有線電視、衛(wèi)星和電信公司提
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富士通展示GaN功率晶體管的試制晶圓
富士通半導(dǎo)體在“CEATEC JAPAN 2010”（2010年10月5～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上，展示了集成GaN功率晶體管的直徑150mm的硅晶圓。在該元件量產(chǎn)線所在的會(huì)津若松市的工廠中進(jìn)行了試制。面向2012年的正式量產(chǎn)，將于20
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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英特爾下調(diào)第三季度營(yíng)收預(yù)期
據(jù)彭博社報(bào)道，由于成熟市場(chǎng)的個(gè)人電腦需求較預(yù)期疲軟，英特爾今日宣布下調(diào)其第三財(cái)季營(yíng)收和毛利率預(yù)期。英特爾今日在一份聲明中表示，該公司預(yù)計(jì)第三財(cái)季營(yíng)收將達(dá)110億美元，或在此基礎(chǔ)上增加或減少2億美元，相比此
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GaN類藍(lán)色LED的相關(guān)專利訴訟不斷
圍繞GaN類藍(lán)色LED的相關(guān)專利，大型LED廠商曾在日本以及海外展開過(guò)訴訟。1996年日亞化學(xué)工業(yè)以豐田合成侵犯了該公司專利為由對(duì)后者提起訴訟，為了與之對(duì)抗，豐田合成也起訴了日亞化學(xué)工業(yè)，此后便展開了有關(guān)侵害專利以
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iSuppli：華為中興面臨增長(zhǎng)放緩壓力
8月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)市場(chǎng)研究公司iSuppli周一發(fā)布報(bào)告稱，由于美國(guó)和印度對(duì)安全問(wèn)題的擔(dān)憂，華為和中興將面臨增長(zhǎng)放緩的壓力。iSuppli稱：“在一些亟待拓展的最大的市場(chǎng)中，這兩家企業(yè)面臨著強(qiáng)烈
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美國(guó)付費(fèi)電視用戶數(shù)受互聯(lián)網(wǎng)沖擊首度下滑
北京時(shí)間8月24日消息，根據(jù)咨詢公司SNL Kagan的最新報(bào)告顯示，美國(guó)付費(fèi)電視產(chǎn)業(yè)（包括有線電視、衛(wèi)星電視和通信公司的電視業(yè)務(wù)）用戶數(shù)在今年二季度首度出現(xiàn)下滑。SNL Kagan報(bào)告稱，美國(guó)的經(jīng)濟(jì)疲軟是導(dǎo)致下滑的原兇，
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韓國(guó)爭(zhēng)取云計(jì)算國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)權(quán)
韓國(guó)ITU研究委員會(huì)于近日宣布，韓國(guó)電子通信研究院(ETRI)服務(wù)融合標(biāo)準(zhǔn)研究組的Lee-gangchan博士已獲任ITU-T下屬FGCloud標(biāo)準(zhǔn)組的副主席，韓國(guó)KT公司的Jim-hyeongsu部長(zhǎng)已獲任FGSmart標(biāo)準(zhǔn)組的副主席。ITU-T在今年2月IT
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美國(guó)各州將跨州調(diào)查谷歌收集個(gè)人數(shù)據(jù)活動(dòng)
北京時(shí)間6月22日凌晨消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)康涅狄格州總檢察長(zhǎng)理查德·布魯門薩爾(Richard Blumenthal)周一稱，他下屬的辦公室將會(huì)領(lǐng)導(dǎo)一項(xiàng)針對(duì)谷歌未經(jīng)授權(quán)即從無(wú)線電腦網(wǎng)絡(luò)中收集個(gè)人數(shù)據(jù)的跨州調(diào)查。目
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瞄準(zhǔn)GaN及SiC功率半導(dǎo)體檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)—安捷倫開發(fā)新型測(cè)試裝置
目前，功率半導(dǎo)體受到越來(lái)越多的關(guān)注。這是因?yàn)樵趯?shí)現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對(duì)策時(shí)，功率半導(dǎo)體起到的作用極大。比如在日本國(guó)內(nèi)，“變頻器家電（空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱）”已變得相當(dāng)普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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HBLED或因材料限制缺貨
某研究報(bào)告指出，2010年下半年成長(zhǎng)迅速的液晶電視用高亮度LED恐將因關(guān)鍵半導(dǎo)體材料短缺而受到限制。該研究報(bào)告指出，液晶電視用LED背光模塊的設(shè)備需求已大幅攀升，尤其是生產(chǎn)氮化鎵(galliumnitride，GaN)LED的有機(jī)金
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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GaN（氮化鎵）射頻器件市場(chǎng)分析
MILMEGA有限公司總經(jīng)理 Pat Moore 氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，
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德國(guó)MOCVD設(shè)備商AIXTRON接獲上海龍德芯光電設(shè)備訂單
德國(guó)MOCVD設(shè)備供貨商AIXTRON AG于日前接獲上海龍德芯光電公司的設(shè)備訂單，預(yù)計(jì)于2010年Q2出貨。龍德芯光電將利用AIXTRON MOCVD設(shè)備生產(chǎn)GaN高亮度LED，藉以進(jìn)軍顯示器背光產(chǎn)業(yè)。目前中國(guó)大陸廠商積極引入MOCVD機(jī)臺(tái)，屆
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Veeco2010年Q1營(yíng)收受惠于LED市場(chǎng)火熱磊晶廠積極擴(kuò)產(chǎn)效應(yīng)
美國(guó)設(shè)備大廠Veeco日前公布2010年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收達(dá)1.632億美元，季度增12%，年增120%，創(chuàng)下該公司史上新高。Veeco對(duì)外指出，臺(tái)廠新世紀(jì)光電已在2010年Q1向該公司訂購(gòu)了數(shù)臺(tái)TurboDiscK465iGaNMOCVD機(jī)臺(tái)，擴(kuò)充高亮度LED產(chǎn)
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