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一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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英特爾下調(diào)第三季度營收預期
據(jù)彭博社報道，由于成熟市場的個人電腦需求較預期疲軟，英特爾今日宣布下調(diào)其第三財季營收和毛利率預期。英特爾今日在一份聲明中表示，該公司預計第三財季營收將達110億美元，或在此基礎上增加或減少2億美元，相比此
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GaN類藍色LED的相關專利訴訟不斷
圍繞GaN類藍色LED的相關專利，大型LED廠商曾在日本以及海外展開過訴訟。1996年日亞化學工業(yè)以豐田合成侵犯了該公司專利為由對后者提起訴訟，為了與之對抗，豐田合成也起訴了日亞化學工業(yè)，此后便展開了有關侵害專利以
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iSuppli：華為中興面臨增長放緩壓力
8月25日消息，據(jù)國外媒體報道，美國市場研究公司iSuppli周一發(fā)布報告稱，由于美國和印度對安全問題的擔憂，華為和中興將面臨增長放緩的壓力。iSuppli稱：“在一些亟待拓展的最大的市場中，這兩家企業(yè)面臨著強烈
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美國付費電視用戶數(shù)受互聯(lián)網(wǎng)沖擊首度下滑
北京時間8月24日消息，根據(jù)咨詢公司SNL Kagan的最新報告顯示，美國付費電視產(chǎn)業(yè)（包括有線電視、衛(wèi)星電視和通信公司的電視業(yè)務）用戶數(shù)在今年二季度首度出現(xiàn)下滑。SNL Kagan報告稱，美國的經(jīng)濟疲軟是導致下滑的原兇，
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韓國爭取云計算國際標準主導權
韓國ITU研究委員會于近日宣布，韓國電子通信研究院(ETRI)服務融合標準研究組的Lee-gangchan博士已獲任ITU-T下屬FGCloud標準組的副主席，韓國KT公司的Jim-hyeongsu部長已獲任FGSmart標準組的副主席。ITU-T在今年2月IT
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美國各州將跨州調(diào)查谷歌收集個人數(shù)據(jù)活動
北京時間6月22日凌晨消息，據(jù)國外媒體報道，美國康涅狄格州總檢察長理查德·布魯門薩爾(Richard Blumenthal)周一稱，他下屬的辦公室將會領導一項針對谷歌未經(jīng)授權即從無線電腦網(wǎng)絡中收集個人數(shù)據(jù)的跨州調(diào)查。目
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瞄準GaN及SiC功率半導體檢測標準—安捷倫開發(fā)新型測試裝置
目前，功率半導體受到越來越多的關注。這是因為在實現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對策時，功率半導體起到的作用極大。比如在日本國內(nèi)，“變頻器家電（空調(diào)、洗衣機、冰箱）”已變得相當普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
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HBLED或因材料限制缺貨
某研究報告指出，2010年下半年成長迅速的液晶電視用高亮度LED恐將因關鍵半導體材料短缺而受到限制。該研究報告指出，液晶電視用LED背光模塊的設備需求已大幅攀升，尤其是生產(chǎn)氮化鎵(galliumnitride，GaN)LED的有機金
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
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GaN（氮化鎵）射頻器件市場分析
MILMEGA有限公司總經(jīng)理 Pat Moore 氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。 與現(xiàn)有技術相比，
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德國MOCVD設備商AIXTRON接獲上海龍德芯光電設備訂單
德國MOCVD設備供貨商AIXTRON AG于日前接獲上海龍德芯光電公司的設備訂單，預計于2010年Q2出貨。龍德芯光電將利用AIXTRON MOCVD設備生產(chǎn)GaN高亮度LED，藉以進軍顯示器背光產(chǎn)業(yè)。目前中國大陸廠商積極引入MOCVD機臺，屆
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Veeco2010年Q1營收受惠于LED市場火熱磊晶廠積極擴產(chǎn)效應
美國設備大廠Veeco日前公布2010年Q1財報，營收達1.632億美元，季度增12%，年增120%，創(chuàng)下該公司史上新高。Veeco對外指出，臺廠新世紀光電已在2010年Q1向該公司訂購了數(shù)臺TurboDiscK465iGaNMOCVD機臺，擴充高亮度LED產(chǎn)
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MOCVD接單暢旺 Veeco獲利報喜
受惠于LED廠積極擴產(chǎn)，有機金屬化學汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設備大廠Veeco首季營收達1.632億美元，年增120%，季成長12%，本業(yè)每股稀釋盈余0.49美元，遠優(yōu)于2009年同期的本業(yè)每股虧損0.22美元，截至3月底在手訂單金額已達
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GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSupp
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GaN電源管理芯片市場將快速增長
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。 GaN是面向電源管理芯
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日大阪大學試制出GaN系半導體紅色LED
日本大阪大學研究生院工學研究系材料生產(chǎn)科學專業(yè)教授藤原康文試制出了利用GaN系半導體的紅色LED組件。利用GaN系半導體的藍色LED組件及綠色LED組件現(xiàn)已達到實用水平，但試制出紅色LED組件“還是全球
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GaN電源管理芯片市場將快速增長
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技
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GaN電源管理芯片市場將快速增長
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技
