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TMS320C6727 DSP兩種引導方式設計
摘要：文中詳細描述了TMS320C6727DSP兩種引導方式，并給出了在工程應用的實現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設計過程中使用外部程序存儲芯片，節(jié)約了布線空間和設計成本。在引導過程中，主機能夠驗證寫入DSP芯片的數(shù)據(jù)，
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自主創(chuàng)新：LED照明的必由之路
全球提倡低碳生活，節(jié)能減碳的LED半導體照明成為時代“寵兒”。LED是全球矚目的新一代環(huán)保光源，其高亮度、低熱量、長壽命、無毒等優(yōu)點，被稱為21世紀最具發(fā)展綠色照明光源。目前，我國已將半導體LED照明列入了中長期
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好的開始！臺積Q1營收季增1.7%、二度優(yōu)財測
臺積電(2330)今(10日)公告3月營收，月增6.68%、年增13.2%來到499.56億元，Q1營收則季增1.65%、年增11.7%來到1482.15億元，成績甚至還優(yōu)于日前調(diào)高財測所估、Q1營收將季增0.8%來到1470億元的預期。根據(jù)臺積說明，Q1營
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吉凱恩970萬歐元收購威廉姆斯混合動力業(yè)務部
[摘要] 英國吉凱恩集團日前收購了威廉姆斯混合動力，并將更名吉凱恩混合動力。 據(jù)彭博社報道，英國吉凱恩集團日前收購了威廉姆斯大獎賽工程公司(Williams Grand Prix Engineering，縮寫WGPE)旗下的混合動
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新型多功能材料將走向市場
新型高能熱塑性塑料（HPTPs）有望成為取代先進的金屬、陶瓷等復合材料部件的輕質(zhì)材料，走向關(guān)鍵市場。新型多功能材料可以克服成本和性能方面的限制，找到更廣泛的應用，特別是在航空航天、醫(yī)療和電子領(lǐng)域。不過，將H
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TE：緊貼市場需求，推出創(chuàng)新型電路保護器件
TE電路保護事業(yè)部主要提供過壓、過流、過溫以及混合四類電路保護型器件，慕尼黑上海電子展上TE高級市場經(jīng)理陶航以及電路保護事業(yè)部應用經(jīng)理郭濤先生向筆者詳細介紹了TE最新推出的用于鋰聚合物電池的熱保護器件MHP-TA
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28nm來到臨界點 臺積電高通格羅方德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
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28nm來到臨界點 臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先
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II型α亞型磷脂酰肌醇-4-激酶的結(jié)構(gòu)功能研究獲得突破
中國科學院生物物理研究所陳暢研究組繼發(fā)現(xiàn)II型α亞型磷脂酰肌醇-4-激酶在腫瘤生長中的作用（Oncogenes，2010）之后，與生物物理所孫飛研究組及伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校Klaus Schulten研究組合作，共同于3月28日
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臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來到臨界點
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
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臺積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來到臨界點
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
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決戰(zhàn)28納米
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進。如2007年達到45nm，2009年達到32nm，2011年達到22nm。但是到了2013年的14nm時開始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時間推
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中興通訊不侵犯“閃點”專利權(quán) 獲美337調(diào)查終裁三連勝
21ic通信網(wǎng)訊：近日，美國國際貿(mào)易委員會ITC就美國閃點專利經(jīng)營公司（FlashpointTechnology,Inc）訴中興通訊專利侵權(quán)一案，做出終審裁定：中興通訊不侵犯原告Flashpoint圖像處理相關(guān)技術(shù)專利權(quán)，未違反337條款。ITC本
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臺積電28nm 大爆單
晶圓代工龍頭臺積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開，并拿下9成高市占率，今年為了因應中低階智慧型手機需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，推出低成本版本28HPC制程，獲得手機晶片廠全面采用，
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臺積電28nm 大爆單
晶圓代工龍頭臺積電（2330）28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的28HPM制程去年產(chǎn)能全開，并拿下9成高市占率，今年為了因應中低階智慧型手機需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，推出低成本版本28HPC制程，獲得手機晶片廠全面采
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臺積電28nm 大爆單
臺積電營收表現(xiàn)及28奈米比重一覽 臺積電 晶圓代工龍頭臺積電（2330）28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的28HPM制程去年產(chǎn)能全開，并拿下9成高市占率，今年為了因應中低階智慧型手機需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，
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移動芯片大比拼之工藝制程分析
在移動通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個工藝
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Emulex助力惠普交付高性能密集云及存儲應用
2014年3月3日 – 網(wǎng)絡連接、監(jiān)控和管理領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者Emulex公司（NYSE:ELX）日前宣布推出面向全新惠普 BladeSystem C-Class服務器、基于Emulex LightPulse®第五代（16GFC）光纖通道（FC）HBA技術(shù)的HP LPe1605
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移動芯片大比拼之工藝制程分析
在移動通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個工藝
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移動芯片大比拼之工藝制程分析
移動通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個工藝方
