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TMS320C6727 DSP兩種引導(dǎo)方式設(shè)計(jì)
摘要：文中詳細(xì)描述了TMS320C6727DSP兩種引導(dǎo)方式，并給出了在工程應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設(shè)計(jì)過(guò)程中使用外部程序存儲(chǔ)芯片，節(jié)約了布線空間和設(shè)計(jì)成本。在引導(dǎo)過(guò)程中，主機(jī)能夠驗(yàn)證寫(xiě)入DSP芯片的數(shù)據(jù)，
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自主創(chuàng)新：LED照明的必由之路
全球提倡低碳生活，節(jié)能減碳的LED半導(dǎo)體照明成為時(shí)代“寵兒”。LED是全球矚目的新一代環(huán)保光源，其高亮度、低熱量、長(zhǎng)壽命、無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)，被稱(chēng)為21世紀(jì)最具發(fā)展綠色照明光源。目前，我國(guó)已將半導(dǎo)體LED照明列入了中長(zhǎng)期
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好的開(kāi)始！臺(tái)積Q1營(yíng)收季增1.7%、二度優(yōu)財(cái)測(cè)
臺(tái)積電(2330)今(10日)公告3月?tīng)I(yíng)收，月增6.68%、年增13.2%來(lái)到499.56億元，Q1營(yíng)收則季增1.65%、年增11.7%來(lái)到1482.15億元，成績(jī)甚至還優(yōu)于日前調(diào)高財(cái)測(cè)所估、Q1營(yíng)收將季增0.8%來(lái)到1470億元的預(yù)期。根據(jù)臺(tái)積說(shuō)明，Q1營(yíng)
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吉?jiǎng)P恩970萬(wàn)歐元收購(gòu)?fù)匪够旌蟿?dòng)力業(yè)務(wù)部
[摘要] 英國(guó)吉?jiǎng)P恩集團(tuán)日前收購(gòu)了威廉姆斯混合動(dòng)力，并將更名吉?jiǎng)P恩混合動(dòng)力。 據(jù)彭博社報(bào)道，英國(guó)吉?jiǎng)P恩集團(tuán)日前收購(gòu)了威廉姆斯大獎(jiǎng)賽工程公司(Williams Grand Prix Engineering，縮寫(xiě)WGPE)旗下的混合動(dòng)
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新型多功能材料將走向市場(chǎng)
新型高能熱塑性塑料（HPTPs）有望成為取代先進(jìn)的金屬、陶瓷等復(fù)合材料部件的輕質(zhì)材料，走向關(guān)鍵市場(chǎng)。新型多功能材料可以克服成本和性能方面的限制，找到更廣泛的應(yīng)用，特別是在航空航天、醫(yī)療和電子領(lǐng)域。不過(guò)，將H
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TE：緊貼市場(chǎng)需求，推出創(chuàng)新型電路保護(hù)器件
TE電路保護(hù)事業(yè)部主要提供過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫以及混合四類(lèi)電路保護(hù)型器件，慕尼黑上海電子展上TE高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陶航以及電路保護(hù)事業(yè)部應(yīng)用經(jīng)理郭濤先生向筆者詳細(xì)介紹了TE最新推出的用于鋰聚合物電池的熱保護(hù)器件MHP-TA
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28nm來(lái)到臨界點(diǎn) 臺(tái)積電高通格羅方德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推
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28nm來(lái)到臨界點(diǎn) 臺(tái)積電高通格羅芳德等決戰(zhàn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先
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II型α亞型磷脂酰肌醇-4-激酶的結(jié)構(gòu)功能研究獲得突破
中國(guó)科學(xué)院生物物理研究所陳暢研究組繼發(fā)現(xiàn)II型α亞型磷脂酰肌醇-4-激酶在腫瘤生長(zhǎng)中的作用（Oncogenes，2010）之后，與生物物理所孫飛研究組及伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校Klaus Schulten研究組合作，共同于3月28日
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臺(tái)積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來(lái)到臨界點(diǎn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推
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臺(tái)積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來(lái)到臨界點(diǎn)
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推
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決戰(zhàn)28納米
在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm，2009年達(dá)到32nm，2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開(kāi)始出現(xiàn)偏差，英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推
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中興通訊不侵犯“閃點(diǎn)”專(zhuān)利權(quán) 獲美337調(diào)查終裁三連勝
21ic通信網(wǎng)訊：近日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)ITC就美國(guó)閃點(diǎn)專(zhuān)利經(jīng)營(yíng)公司（FlashpointTechnology,Inc）訴中興通訊專(zhuān)利侵權(quán)一案，做出終審裁定：中興通訊不侵犯原告Flashpoint圖像處理相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利權(quán)，未違反337條款。ITC本
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臺(tái)積電28nm 大爆單
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開(kāi)，并拿下9成高市占率，今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，推出低成本版本28HPC制程，獲得手機(jī)晶片廠全面采用，
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臺(tái)積電28nm 大爆單
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的28HPM制程去年產(chǎn)能全開(kāi)，并拿下9成高市占率，今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，推出低成本版本28HPC制程，獲得手機(jī)晶片廠全面采
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臺(tái)積電28nm 大爆單
臺(tái)積電營(yíng)收表現(xiàn)及28奈米比重一覽 臺(tái)積電 晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）28奈米高介電金屬閘極（HKMG）的28HPM制程去年產(chǎn)能全開(kāi)，并拿下9成高市占率，今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求，特別在28奈米HKMG技術(shù)上，
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析
在移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動(dòng)通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個(gè)工藝
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Emulex助力惠普交付高性能密集云及存儲(chǔ)應(yīng)用
2014年3月3日 – 網(wǎng)絡(luò)連接、監(jiān)控和管理領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者Emulex公司（NYSE:ELX）日前宣布推出面向全新惠普 BladeSystem C-Class服務(wù)器、基于Emulex LightPulse®第五代（16GFC）光纖通道（FC）HBA技術(shù)的HP LPe1605
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析
在移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動(dòng)通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個(gè)工藝
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析
移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動(dòng)通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個(gè)工藝方
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